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公开(公告)号：CN101527284A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910128517.8
申请日：2009-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L27/15 , H01L29/786 , H01L21/027 , G02F1/1362
Abstract: 简化安装在EL显示装置的薄膜晶体管的制造步骤。通过如下步骤形成薄膜晶体管，并且使用该薄膜晶体管制造EL显示装置：层叠第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、第二导电膜；在其上形成第一抗蚀剂掩模；进行第一蚀刻形成薄膜叠层体；对该薄膜叠层体进行带着侧面蚀刻的第二蚀刻形成栅电极层；使用第二抗蚀剂掩模形成源电极及漏电极层等。
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公开(公告)号：CN107564967B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201710928567.9
申请日：2013-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
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公开(公告)号：CN104508548B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201380038555.9
申请日：2013-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F2001/134372 , G02F2202/02 , G02F2202/10 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
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公开(公告)号：CN104332472B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201410429433.9
申请日：2009-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/127 , H01L29/1054 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 需要包括氧化物半导体以及具备适当的结构并其占有面积小的保护电路等的显示装置。使用非线性元件形成保护电路，该非线性元件包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的重叠于栅电极的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上并重叠于栅电极，并且通过层叠导电层和第二氧化物半导体层而形成的第一布线层及第二布线层。将非线性元件的栅电极连接到扫描线或信号线，并且将非线性元件的第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极层，以施加栅电极的电位。
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公开(公告)号：CN103400838B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310335796.1
申请日：2009-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , H01L27/0266 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种显示装置。保护电路包括非线性元件，该非线性元件包括：栅电极；覆盖栅电极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上与栅电极重叠，并其中层叠有导电层和第二氧化物半导体层的第一布线层及第二布线层。在栅极绝缘层上接合物理性质彼此不同的氧化物半导体层，由此与肖特基结相比可进行稳定工作。因此，结漏降低，且可提高非线性元件的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102496628B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110373876.7
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13392 , G02F1/13458 , G02F2001/13398 , G09G2300/0804 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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公开(公告)号：CN104508548A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038555.9
申请日：2013-07-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F2001/134372 , G02F2202/02 , G02F2202/10 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
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公开(公告)号：CN101713897B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN200910205211.8
申请日：2009-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/167 , H01L27/02 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/127 , H01L29/1054 , H01L29/20 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 需要包括氧化物半导体以及具备适当的结构并其占有面积小的保护电路等的显示装置。使用非线性元件形成保护电路，该非线性元件包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的重叠于栅电极的第一氧化物半导体层；以及其端部在第一氧化物半导体层上并重叠于栅电极，并且通过层叠导电层和第二氧化物半导体层而形成的第一布线层及第二布线层。将非线性元件的栅电极连接到扫描线或信号线，并且将非线性元件的第一布线层或第二布线层直接连接到栅电极层，以施加栅电极的电位。
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公开(公告)号：CN102160184B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980137843.3
申请日：2009-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/133 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13392 , G02F1/13458 , G02F2001/13398 , G09G2300/0804 , H01L27/124 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 一种显示装置，包括其中像素电极层按矩阵排列并且对应于该像素电极层而设置具有不同含氧量的至少两种氧化物半导体层的组合的反交错型薄膜晶体管的像素部。在该显示装置中在像素部周边，焊盘部设置成通过由与像素电极层相同的材料形成的导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。通过提供适合于在显示面板中设置的焊盘部的结构，可以实现本发明防止在各种显示装置中由于薄膜的分离所造成的缺陷的一个目的。
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公开(公告)号：CN103545342A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310468513.0
申请日：2009-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5221
Abstract: 本公开涉及半导体装置。一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部，该像素包括：具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管；以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边，设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且，所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。
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