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公开(公告)号：CN101401154B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200780008569.0
申请日：2007-02-06
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种制造磁记录介质(30)的方法，包括在非磁性基底(1)的至少一侧上沉积磁性层或含Co磁性层(3)以及将原子部分地注入到磁性层或含Co磁性层中以部分地非磁性化磁性层或含Co磁性层的步骤，从而形成非磁性部分(4)和通过非磁性部分磁性分离的磁记录图形，且在含Co磁性层的情况下，使由X射线衍射确定的含Co磁性层的相关部分的Co(002)或Co(110)峰值强度降低至1/2以下。一种磁记录和再现装置包括磁记录介质(30)、用于在记录方向上驱动磁记录介质的驱动部件(26)、由记录部件和再生部件组成的磁头(27)、用于使磁头相对于磁记录介质运动的机构(28)、以及适于使信号进入磁头并从磁头再生输出信号的记录和再现信号处理机构(29)。
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公开(公告)号：CN101517640B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780035193.2
申请日：2007-09-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底上形成磁性层，将原子注入所述磁性层的部分中，以使得所述部分消磁或者使其获得非晶，从而形成磁性分离的磁记录图形，所述注入原子的步骤包括以下步骤：对所形成的磁性层的表面施加SOG膜作为抗蚀剂，部分地去除或减薄所述抗蚀剂，并且用原子辐照所述表面，从而通过所述磁性层的去除了所述抗蚀剂或者其中所述抗蚀剂被减薄的部分使得原子部分地注入到所述磁性层中。
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公开(公告)号：CN102037508A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118008.5
申请日：2009-05-20
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 福岛正人
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855 , G01R33/1207
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质的评价方法，所述磁记录介质是离散方式或者位图案方式磁记录介质，即使在其表面残留凹凸也有稳定的磁头浮起特性、并且能够适应高记录密度，本发明的评价方法能够以高生产效率提供该磁记录介质。这样的评价方法是在圆盘状基板的至少一个表面具磁记录图案、在表面具有与所述磁记录图案对应的凹凸的磁记录介质的评价方法，其特征在于，使安装有传感器的磁头滑块在旋转的所述磁记录介质的表面浮起走行，对所述磁头滑块和所述磁记录介质非接触状态下从所述传感器输出的信号进行检测，根据该信号来判断所述磁记录介质是否合格。
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公开(公告)号：CN101970209A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980103147.0
申请日：2009-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: B29C59/02 , G11B5/84 , H01L21/027
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明的目的在于提供使用氧蚀刻耐性优异且适用期长的抗蚀剂形成材料的、可以在常温下矩形性良好地进行压印(压纹)的凹凸图案形成方法。本发明的凹凸图案形成方法的特征在于，包括下述工序(1)、工序(2)和工序(3)，工序(1)：将包含下述组成式(A)所表示的倍半硅氧烷化合物的溶液涂布在被加工材料表面上以形成薄膜，工序(2)：将具有凹凸图案的母模按压在该薄膜上，工序(3)：将所述母模从所述薄膜上剥离。R1R2Si2O3组成式(A)(在上述组成式(A)中，R1和R2各自独立地表示特定基团。)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101933090A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880126071.9
申请日：2008-11-28
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种制造磁记录介质的方法，该磁记录介质在非磁性基底的至少一个表面上具有磁性分离的磁记录图形，该方法包括以(A)到(G)的顺序执行的下列七个步骤：(A)在非磁性基底上形成磁性层的步骤；(B)在磁性层上形成碳掩模层的步骤；(C)在碳掩模层上形成抗蚀剂层的步骤；(D)在抗蚀剂层上形成磁记录图形的负图形的步骤；(E)去除在与磁记录图形的负图形对应的区域中的掩模层的部分的步骤；(F)去除在与磁记录图形的负图形对应的区域中的磁性层的至少表面层部分的步骤；以及(G)需要时去除剩余的抗蚀剂层和碳掩模层的步骤。所制成的磁记录介质确保了等于或优于常规介质的记录/再现特性并呈现高记录密度。
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公开(公告)号：CN100550137C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200680022097.X
申请日：2006-06-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质基底产品，该基底产品能够增强基底端面和软磁层之间的接触强度，并能抑制腐蚀的发生，还提供一种包含所述基底产品的磁记录介质，该磁记录介质显示出没有退化的电磁转换特性并具有非常好的耐用性，还提供一种包含所述磁记录介质的磁记录和再现装置。所述磁记录介质基底产品包括一种圆盘形非磁性基底，该基底在其中心部分有圆孔，并且在将要在上面形成磁性层的主表面与外端面之间的部分以及所述主表面与界定所述圆孔的内端面之间的部分中的至少一个部分处形成斜切面，其中，通过AFM测量到的所述斜切面的表面粗糙度(Ra)在4.0≤Ra≤100范围内，优选是落在4.0≤Ra≤50的范围内。
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公开(公告)号：CN101512641A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032274.7
申请日：2007-08-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在非磁性基底的至少一个表面上沉积磁性层；以及在所述磁性层中部分地注入原子，从而使已经接受注入的原子的部分去磁或者使其非晶化，以形成磁性分离的磁记录图形。所述注入的步骤包括以下步骤：在所述沉积步骤之后对所述至少一个表面施加抗蚀剂，部分地减小所述抗蚀剂的厚度，并且用原子辐照所述抗蚀剂的表面，从而通过所述抗蚀剂的厚度减小的部分使得所述原子部分注入到所述磁性层。
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公开(公告)号：CN101405793A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009770.0
申请日：2007-02-19
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种离散磁道型磁记录介质(30)包括：非磁性基底(1)；在所述非磁性基底的至少一个面上提供的磁记录磁道和伺服信号图形；以及通过从具有某个图形形状的掩膜(6)上方进行离子注入(7)而非磁性化了的部分(4)，用来从物理上隔开所述磁记录磁道和所述伺服信号图形。一种磁记录和再现设备包括：所述磁记录介质(30)；用来在记录方向上驱动所述磁记录介质的驱动部分(26)；由记录部分和再现部分构成的磁头(27)；使所述磁头相对应所述磁记录介质移动的部分(28)；用来向所述磁头输入信号和再现所述磁头的输出信号的记录和再现信号处理单元(29)。
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公开(公告)号：CN101218632A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200680025096.0
申请日：2006-07-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法，以及包含这种磁记录介质的磁记录和再现装置。通过赋予理想的摇摆曲线的半值宽度(Δθ50)来对晶体取向进行很好的控制，能够提高生长在软磁性衬层的表面上的磁性层的膜层质量，以及能够获得可以抑制TA的产生并能实现高密度记录的SNR。所述磁记录介质包括在非磁性基底上形成的软磁性衬层、取向控制层、垂直磁记录层、以及保护层；其中，所述软磁性衬层的磁性各向异性比(Hmr/Hmc)为1或更小，所述Δθ50为1到6度。所述软磁性衬层形成在所述非磁性基底的主表面上，其中，所述主表面使用抛光带和含有胶态氧化硅研磨颗粒的浆体，通过片式纹理处理设备，一次一块基底地进行了抛光。
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