公开(公告)号：CN113169232A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080222.X

申请日：2019-12-04

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  安东靖典

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，在基板上依序配置有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极，所述薄膜晶体管的特征在于，所述氧化物半导体层自所述基板侧起依序具备第一半导体层与第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层包括含有相互相同的构成元素的氧化物半导体膜，且构成所述第二半导体层的氧化物半导体膜的结晶性较构成所述第一半导体层的所述氧化物半导体膜的结晶性高。

公开(公告)号：CN110709533B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201880036037.6

申请日：2018-03-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 岸田茂明 ,  松尾大辅 ,  瀬戸口佳孝 ,  安东靖典

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种溅射装置，包括：真空容器，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部，在真空容器内保持基板；靶材保持部，在真空容器内与基板相向而保持靶材；以及多个天线，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线包括：导体部件，至少两个，且呈管状；绝缘部件，设置于相互邻接的导体部件之间，使所述导体部件绝缘，且呈管状；以及电容元件，与相互邻接的导体部件电串联连接；电容元件包括：第一电极，与相互邻接的导体部件中的一者电连接；第二电极，与相互邻接的导体部件中的另一者电连接，并且与第一电极相向而配置；以及电介质，填满第一电极与第二电极之间的空间；并且电介质为冷却液。

公开(公告)号：CN110709533A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880036037.6

申请日：2018-03-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 岸田茂明 ,  松尾大辅 ,  瀬戸口佳孝 ,  安东靖典

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H05H1/46

Abstract: 利用天线高效率地产生溅射用的等离子体，并且使等离子体的均匀性提高而使成膜的均匀性提高。本发明包括：真空容器2，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部3，在真空容器2内保持基板W；靶材保持部4，在真空容器2内与基板W相向而保持靶材T；以及多个天线5，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线5包括：导体部件51，至少两个，且呈管状；绝缘部件52，设置于相互邻接的导体部件51之间，使所述导体部件51绝缘，且呈管状；以及电容元件53，与相互邻接的导体部件51电串联连接；电容元件53包括：第一电极53A，与相互邻接的导体部件51中的一者电连接；第二电极53B，与相互邻接的导体部件51中的另一者电连接，并且与第一电极53A相向而配置；以及电介质，填满第一电极53A与第二电极53B之间的空间；并且电介质为冷却液CL。

公开(公告)号：CN106715750B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201580051441.7

申请日：2015-04-10

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 瀬戸口佳孝 ,  岸田茂明 ,  安东靖典

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法及溅镀装置，不设置靶材的移动机构，而抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜。此溅镀装置是向设置于导入气体(10)的真空容器(2)内的天线(20)供给高频电力(PR)来产生感应耦合型的等离子体(22)，利用所述等离子体(22)与靶材偏置电压(VT)，对靶材(30)进行溅镀而在基板(12)上进行成膜。在成膜的开始时，向天线(20)供给高频电力(PR)来产生等离子体(22)后，对靶材(30)施加靶材偏置电压(VT)而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至靶材(30)的靶材偏置电压(VT)而停止溅镀后，停止供给至天线(20)的高频电力(PR)而使等离子体(22)消失。

公开(公告)号：CN103098187B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080069030.8

申请日：2010-12-08

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  高桥英治 ,  藤原将喜

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0214 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种氮氧化硅膜及其形成方法、半导体器件以及薄膜晶体管，即提供不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。该膜可使用例如四氟化硅气体、氮气及氧气来作为原料气体28，利用通过感应耦合而生成等离子40的感应耦合型等离子化学气相沉积法，而形成在基板20上。

公开(公告)号：CN103201407A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180054048.5

申请日：2011-01-12

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426

Abstract: 气体配管（19～21）向真空容器（1）内供给Ar气体。高频电源（12）使高频电流从平面状的电极（2、3）的一端流入电极（2、3）。由此，在靶部件（4、5）的表面附近基于电感耦合产生等离子体。低频电源（16）对电极（2、3）施加交变电压。由此，等离子体中的电子流入与被施加正偏压的电极（电极（2、3）中的一个）接触配置的靶部件（靶部件（4、5）中的一个），等离子体中的正离子流入与被施加负偏压的电极（电极（2、3）中的另一个）接触配置的靶部件（靶部件（4、5）中的另一个）。从而，等离子体中的电子及正离子滞留在电极（2、3）间及靶部件（4、5）的表面附近。

公开(公告)号：CN102647847B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210127627.4

申请日：2012-04-26

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 角田孝典 ,  松原克夫 ,  安东靖典 ,  辻藏行

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其是电感耦合型装置，可减小天线的有效电感系数，将等离子体电位抑制得较低，并且，可通过该天线来控制其长度方向上的等离子体密度分布。该等离子体处理装置中，由相互接近而配置在沿着竖立在基板(2)表面的垂线(3)的方向即上下方向(Z)上且使高频电流(IR)相互逆向地流动的返回导体(31、32)，构成平面形状平直的天线(30)。且，使返回导体(31、32)间的上下方向(Z)的间隔(D)在天线(30)的长度方向(X)上进行变化。

公开(公告)号：CN119896038A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202280100164.4

申请日：2022-11-22

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 松尾大辅 ,  中尻佳秀 ,  安东靖典

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明的等离子体处理装置使用等离子体对配置于处理室的被处理物进行真空处理，所述等离子体处理装置包括：真空容器，具有突出部分，所述突出部分是将形成所述处理室的壁以自大气侧朝向所述处理室侧成为凸形的方式弯曲而形成的部分，并形成有沿厚度方向贯穿的开口；天线，设于所述处理室的外部且设于由所述突出部分的大气侧的壁面形成的凹部内，与高频电源连接而产生高频磁场；介电板，以自大气侧封堵所述突出部分的开口的方式配置于所述凹部内，使自所述天线产生的高频磁场透射至所述处理室内；以及支撑构件，是安装于所述凹部的能弹性变形的构件，能选择性地配置于支撑位置及退避位置，所述支撑位置是与所述介电板接触，利用弹性力将所述介电板朝向所述凹部的壁面施力而予以支撑的位置，所述退避位置是自所述支撑位置退避的位置。

公开(公告)号：CN118251754A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202180104037.7

申请日：2021-12-14

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/34

Abstract: 一种溅镀装置，使用通过向天线供给高频电力而产生的等离子体来对靶进行溅镀，且所述溅镀装置包括：虚设电极，设置于所述靶的周围且与所述靶等电位；以及阳极电极，以覆盖所述虚设电极中的与所述靶的溅镀面朝向相同的方向的表面的方式设置且为接地电位。

公开(公告)号：CN115053398B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202080095331.1

申请日：2020-03-10

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 安东靖典 ,  松尾大辅

IPC: H01P5/02 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明涉及一种天线机构及等离子体处理装置，能够通过简单的结构来调整为了生成等离子体而流通高频电流的天线本体的阻抗，其为用来生成等离子体(P)的天线机构(3)，包括：天线本体(31)，流通高频电流；以及一条或多条调整电路(32)，与天线本体(31)邻接设置，调整电路(32)具有构成闭路的金属导体(321)、及构成闭路的电容器(322)。