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公开(公告)号：CN117501453B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380010510.4
申请日：2023-03-16
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/425 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种固定电荷显现方法、薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管。所述固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜中显现出固定电荷的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘膜后，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。
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公开(公告)号：CN114127956A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080051447.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。
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公开(公告)号：CN110709968B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201880037318.3
申请日：2018-06-07
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为‑1kV以上的负电压。
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公开(公告)号：CN110709968A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880037318.3
申请日：2018-06-07
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为-1kV以上的负电压。
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公开(公告)号：CN114127956B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202080051447.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110709533B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201880036037.6
申请日：2018-03-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种溅射装置，包括：真空容器，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部，在真空容器内保持基板；靶材保持部，在真空容器内与基板相向而保持靶材；以及多个天线，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线包括：导体部件，至少两个，且呈管状；绝缘部件，设置于相互邻接的导体部件之间，使所述导体部件绝缘，且呈管状；以及电容元件，与相互邻接的导体部件电串联连接；电容元件包括：第一电极，与相互邻接的导体部件中的一者电连接；第二电极，与相互邻接的导体部件中的另一者电连接，并且与第一电极相向而配置；以及电介质，填满第一电极与第二电极之间的空间；并且电介质为冷却液。
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公开(公告)号：CN110709533A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036037.6
申请日：2018-03-14
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 利用天线高效率地产生溅射用的等离子体，并且使等离子体的均匀性提高而使成膜的均匀性提高。本发明包括：真空容器2，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部3，在真空容器2内保持基板W；靶材保持部4，在真空容器2内与基板W相向而保持靶材T；以及多个天线5，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线5包括：导体部件51，至少两个，且呈管状；绝缘部件52，设置于相互邻接的导体部件51之间，使所述导体部件51绝缘，且呈管状；以及电容元件53，与相互邻接的导体部件51电串联连接；电容元件53包括：第一电极53A，与相互邻接的导体部件51中的一者电连接；第二电极53B，与相互邻接的导体部件51中的另一者电连接，并且与第一电极53A相向而配置；以及电介质，填满第一电极53A与第二电极53B之间的空间；并且电介质为冷却液CL。
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公开(公告)号：CN106715750B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201580051441.7
申请日：2015-04-10
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 本发明涉及一种成膜方法及溅镀装置，不设置靶材的移动机构，而抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜。此溅镀装置是向设置于导入气体(10)的真空容器(2)内的天线(20)供给高频电力(PR)来产生感应耦合型的等离子体(22)，利用所述等离子体(22)与靶材偏置电压(VT)，对靶材(30)进行溅镀而在基板(12)上进行成膜。在成膜的开始时，向天线(20)供给高频电力(PR)来产生等离子体(22)后，对靶材(30)施加靶材偏置电压(VT)而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至靶材(30)的靶材偏置电压(VT)而停止溅镀后，停止供给至天线(20)的高频电力(PR)而使等离子体(22)消失。
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公开(公告)号：CN117501453A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202380010510.4
申请日：2023-03-16
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/425 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 一种固定电荷显现方法，为在具有包含氧化物半导体的沟道层的半导体元件中的背沟道侧的绝缘膜中显现出固定电荷的方法，所述方法中，在形成有所述绝缘膜后，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。
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公开(公告)号：CN106715750A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580051441.7
申请日：2015-04-10
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/363 , H05H1/46
Abstract: 不设置靶材的移动机构，而抑制在成膜的开始时及结束时形成不均质的膜。此溅镀装置是向设置于导入气体10的真空容器2内的天线20供给高频电力PR来产生感应耦合型的等离子体22，利用所述等离子体22与靶材偏置电压VT，对靶材30进行溅镀而在基板12上进行成膜。在成膜的开始时，向天线20供给高频电力PR来产生等离子体22后，对靶材30施加靶材偏置电压VT而开始溅镀，在成膜的结束时，停止施加至靶材30的靶材偏置电压VT而停止溅镀后，停止供给至天线20的高频电力PR而使等离子体22消失。
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