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公开(公告)号：CN111162743A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911382855.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供一种误差放大器及开关电源，所述误差放大器包括：一偏置电路；一第一级放大电路，其与所述偏置电路连接以获取第一偏置电流，其两个输入端输入差分信号，其输出端输出误差电压信号；一第二级放大电路，其包括第四PMOS管、第七PMOS管以及第一电容、第七NMOS管，所述第七PMOS管的栅极与偏置电路连接以获取预设偏置电压使得所述第七PMOS管处于线性区，第七PMOS管的源极与所述第一级放大电路的输出端连接以获取所述误差电压信号，第七PMOS管的漏极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述第七NMOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极连接于第一公共节点并以第一公共节点作为所述第二级放大电路的输出端；保证了系统稳定性且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN119720670A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411840005.5
申请日：2024-12-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于ICP反应器设计的技术领域，公开了一种ICP反应器设计方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取ICP反应器对应的ICP反应器模型，用三次贝塞尔曲线表示ICP反应器的反应室形状，在ICP反应器模型的壁面中添加材料并设置对应的材料参数，设置物理场，并配置对应的优化求解器，根据材料参数和物理场，利用优化求解器求解三次贝塞尔曲线，计算得到反应室形状的最优参数组合，使ICP反应器模型在反应室出口处的电子密度达到最大值；通过有限元方法，根据材料参数和物理场，利用优化求解器求解三次贝塞尔曲线，计算得到最优参数组合，使反应室出口处的电子密度达到最大值，以对ICP反应器进行优化设计，提高了ICP反应器的设计效率。
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公开(公告)号：CN118268208A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410683218.5
申请日：2024-05-30
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种面板涂胶装置，涉及液晶面板技术领域，进料平台用于放置玻璃基板，进料平台上设有第一气浮组件，第一气浮组件用于使基板悬浮于进料平台上；涂覆平台与进料平台连接，涂覆平台上设有第二气浮组件，第二气浮组件用于在基板与涂覆平台之间形成气膜，气膜用于调整基板的高度；涂胶模头用于对基板的表面进行涂层；吸附头设置在进料平台的边缘，吸附头用于吸附基板的边缘；传动组件设置在进料平台边缘，传动组件与吸附头连接，传动组件用于驱动吸附头移动，吸附头移动时，带动基板从进料平台转移至涂覆平台。本发明技术方案提高涂胶精度，避免产生静电与微粒，提高涂胶效果及涂胶质量。
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公开(公告)号：CN114871941B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210443467.8
申请日：2022-04-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于化学机械抛光技术领域，公开一种抛光头及抛光机，抛光头包括用于安装待抛光工件的安装盘、用于安装安装盘的环形安装板、用于安装环形安装板的底板、用于驱动所述底板向下移动的移动驱动件、用于驱动底板转动的第一转动驱动件及用于驱动安装盘向下变形的电缸，环形安装板的两端分别连接安装盘及底板，移动驱动件的输出端连接底板的上表面，第一转动驱动件的输出端连接底板或移动驱动件，安装盘、环形安装板及底板形成安装空间，电缸设置在安装空间内，电缸的输出端连接有移动板，移动板抵接安装盘上表面的中心区域。本申请的抛光头及抛光机能够使得安装盘在电缸的驱动作用下产生向下的变形，从而改善待抛光工件的平坦度，提高抛光质量。
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公开(公告)号：CN111162743B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201911382855.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供一种误差放大器及开关电源，所述误差放大器包括：一偏置电路；一第一级放大电路，其与所述偏置电路连接以获取第一偏置电流，其两个输入端输入差分信号，其输出端输出误差电压信号；一第二级放大电路，其包括第四PMOS管、第七PMOS管以及第一电容、第七NMOS管，所述第七PMOS管的栅极与偏置电路连接以获取预设偏置电压使得所述第七PMOS管处于线性区，第七PMOS管的源极与所述第一级放大电路的输出端连接以获取所述误差电压信号，第七PMOS管的漏极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述第七NMOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极连接于第一公共节点并以第一公共节点作为所述第二级放大电路的输出端；保证了系统稳定性且降低了功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117053987A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN116986911A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310608039.0
申请日：2023-05-26
Applicant: 季华实验室
IPC: C04B35/582 , C04B35/622 , C30B23/02 , C30B25/02 , B28B3/00 , B28B11/24
Abstract: 本申请涉及分子束外延技术领域，公开了一种分子束外延氮化铝陶瓷坩埚及其制作方法，所述分子束外延氮化铝陶瓷坩埚由氮化铝粉体制作获得，所述氮化铝粉体按质量份数计，包括以下组分：1份~5份烧结助剂，0.00001份~0.0001份金属钛源，95份~99份氮化铝粉末；所述的分子束外延氮化铝陶瓷坩埚的制作方法包括以下步骤：配制氮化铝粉体；调制浆料；坯体成型；排胶；氧化；坯体烧结；打磨得成品。所提供的制作方法能够制得深度较大的薄壁杯状结构坩埚，所制得的分子束外延氮化铝陶瓷坩埚导热率远高于传统的热解氮化硼材料坩埚，可极大提高坩埚的导热能力，有效消除坩埚内外温度差，提高能量利用效率，降低能耗。
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公开(公告)号：CN116029087A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211348133.9
申请日：2022-10-31
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及热场分析领域，具体为一种源炉热场分布分析方法、装置、电子设备和存储介质。该源炉热场分布分析方法包括步骤：根据源炉中各个部件的结构参数建立二维轴对称简化模型；将二维轴对称简化模型导入COMSOL软件中，并根据各个部件的制作材料设定材料参数；设定各个部件的传热类型；设定温度条件；计算分析得到源炉的热场分布图像，本发明以模拟实验的方式替代实测，确保获得准确的实验结果同时大大减少实验过程的资源浪费和实验成本。
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公开(公告)号：CN115493744B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211454920.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
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公开(公告)号：CN114878494A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210718458.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/31
Abstract: 本申请涉及属于分子束外延技术领域，公开了一种原位监测坩埚中的源材料含量的装置及方法，该装置包括基架、测量杆、激光接收器和激光发射器，所述测量杆穿过所述基架，所述测量杆和所述基架滑动连接，所述测量杆的一端设置有所述激光接收器或所述激光发射器；所述激光发射器用于发射激光到坩埚内，所述测量杆用于通过调节其滑动位置使所述激光接收器能够接收从坩埚内反射出的激光，所述激光接收器用于在接收到从所述坩埚内反射出的激光后产生电反馈信号。本发明结构简单，能实现对坩埚内源材料的原位监测，节约时间，提高工作效率。
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