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公开(公告)号：CN1757785A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510030773.5
申请日：2005-10-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation，CSA)制备钙钛矿结构镧锶锰氧(La0.7Sr0.3MnO3，LSMO)薄膜的方法。本发明以LaAlO3(001)单晶基片为基板，在700－850℃的基板温度下通过渠道火花烧蚀技术，利用La0.7Sr0.3MnO3陶瓷靶在适当的氧气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，生长具有高度c轴取向性的La0.7Sr0.3MnO3薄膜。所制备的薄膜具有高于室温的居里温度，在室温下具有良好的电学性能和铁磁性能。本发明方法所获得的薄膜在自旋电子器件中具有良好的应用潜能。
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公开(公告)号：CN1696335A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510025957.2
申请日：2005-05-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种室温下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钼铟金属镶嵌靶，在室温下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有非晶结构的IMO薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在新型光电器件领域具有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN106416544A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610668311.4
申请日：2016-08-13
Applicant: 复旦大学 , 上海市园林科学规划研究院
IPC: A01C11/02
CPC classification number: A01C11/02
Abstract: 本发明涉及植物种植领域，公开了一种采集海三棱藨草球茎苗的土钻及其使用方法。该土钻包括：手柄、与手柄连接的主杆以及设置于主杆端部的钻头；其中，钻头呈空心圆筒状，钻头的一端与主杆连接，钻头的另一端具有一开口。本发明中，通过使用土钻在海三棱藨草的自然生境，将球茎苗以土芯的形式取出。待球茎苗转运到重建区域后，再将球茎苗土芯插入到事先用同一土钻钻出的土芯洞中，即完成球茎苗的种植。移栽过程(采集和种植)操作便捷、高效，成本低；移栽后球茎苗的成活率比较高，且球茎苗采集时对自然种群的干扰较小，减少了对自然种群造成的破坏。
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公开(公告)号：CN102368535A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110354547.8
申请日：2011-11-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种可擦写式双层薄膜结构的阻变式存储单元及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡与钼靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备二氧化锡阻变薄膜和氧化钼氧存储层，并采用直流磁控溅射法制备钼顶电极和铂钛底电极测试器件的阻变特性。与单层SnO2薄膜阻变存储单元相比，具有SnO2/MoOx双层薄膜结构的存储单元无需高电压初始化，擦写测试无需限制电流，写入电压一致性有明显改善。脉冲扫描测试中，高低阻态之比大于20，可擦写次数大于4×104次，高低阻态维持时间大于2×104秒等特性。本发明制备的阻变存储单元在非易失性存储领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102222698A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010149401.5
申请日：2010-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/51
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管结构。本发明以氧化物半导体薄膜为沟道层，以有机介质薄膜为栅介质层，以透明导电氧化物薄膜为栅电极、源电极和漏电极，构成混合型薄膜晶体管结构。本发明的薄膜晶体管以玻璃或柔性衬底为基底，采用真空镀膜技术制备宽禁带氧化物半导体沟道层，采用旋涂法或浸渍提拉法制备有机介质层，采用真空镀膜方法制备透明导电氧化物薄膜栅电极、源电极和漏电极。本发明制备的混合型薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、电流开关比高等特性，在平板显示和透明电子学等领域具有良好的应用潜能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101260507B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810036561.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种p型半导体掺镍氧化铜(Cu1-xNixO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。
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公开(公告)号：CN101599437A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910055286.2
申请日：2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明属薄膜晶体管技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜，形成薄膜晶体管的沟道层；采用热蒸发法在沟道层上制备源电极和漏电极；采用提拉或旋涂法在源电极和漏电极上面覆盖一层聚乙烯吡咯烷酮有机溶液制成的有机介质层薄膜；并采用热蒸发法在有机介质层薄膜上制备栅电极。所述靶材中的In∶Zn的原子比为0.5至5.0。本方法可制备具有良好电子光学性能的新型透明薄膜晶体管，其制备温度低，工艺简单，有利于大面积生产，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101260507A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036561.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种P型半导体掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。
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公开(公告)号：CN100415930C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510025957.2
申请日：2005-05-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种基板温度为0-30℃下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钼铟金属镶嵌靶，在0-30℃基板温度下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有非晶结构的IMO薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在新型光电器件领域具有良好应用前景。
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