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公开(公告)号：CN102163625A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110064561.4
申请日：2011-03-17
Applicant: 复旦大学
Inventor： 姚绮君 , 李曙新 , 张群
IPC: H01L29/786 , H01L29/26
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管器件技术领域，具体为一种用于氧化物薄膜晶体管的半导体层材料。该半导体层材料为铟锌钛氧化物。其中铟、锌和钛的成分比例控制在一定范围内的。本发明还提供以这种氧化物作为沟道层材料的薄膜晶体管。本发明获得的薄膜晶体管在平板显示领域具有良好的应用前景。
