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公开(公告)号：CN109402662A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811533250.6
申请日：2018-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硒化钼二维层状碳化钛复合材料的制备方法，它涉及一种金属碳化物/硫化物复合材料的制备。本发明要解决现有硒化钼的导电性较差，离子迁移率较低的问题。方法：一、将Se粉与水合肼混合搅拌，得到硒-水合肼的分散液；MXene-Ti3C2分散液与十六烷基三甲基溴化铵混合，加入钼酸钠，得到十六烷基三甲基溴化铵溶液；三、将硒-水合肼的分散液和十六烷基三甲基溴化铵溶液混合反应，得到混合溶液；四、将混合溶液用去离子水和乙醇清洗并离心，真空烘干，得到MoSe2@MXene-Ti3C2复合材料。本发明用于硒化钼二维层状碳化钛复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN102327782A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110188072.X
申请日：2011-07-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钴纳米粒子/碳纳米管复合材料的制备方法，它涉及碳纳米管复合材料的制备方法。本发明解决了现有的碳纳米管表面负载钴纳米颗粒的制备方法工艺复杂，碳纳米管表面结构被破坏、钴的负载数量少的技术问题。本方法：一、称取碳纳米管、乙酰丙酮钴和三甘醇并加入到容器中混合均匀并超声分散处理；二、在氩气保护下，以2～4℃/min的速度升温至沸腾，回流30～60min，再将得到的含有钴纳米粒子/碳纳米管颗粒的混合液进行磁性分离，再干燥，得到钴纳米粒子/碳纳米管复合材料。本发明在简化反应步骤的同时，保持了碳纳米管的原有表面结构和性能。钴的负载量达到85％以上。钴纳米粒子/碳纳米管复合材料可用作催化剂载体和吸波材料。
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公开(公告)号：CN101252009B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810064311.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11B11/105
Abstract: Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用，它涉及Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金的新用途，特别是Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用。本发明解决了磁存储介质存在受超顺磁效应限制，记录密度高密度化受到限制的问题以及相变光存储介质需要一定的热积累过程，同时受存储介质热传导效应影响，导致信息存储密度低、写入及擦除速度慢的问题。一种Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用是以所述Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。光磁混合存储是一种全新的信息存储方式，它结合磁存储和光存储的优点，具有理论极限记录密度高、读出分辨率及灵敏度高、存取速度快等优点。
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公开(公告)号：CN101608287A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910072541.4
申请日：2009-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种NiTiNbCo宽滞后记忆合金的制备方法，它涉及一种NiTiNbCo记忆合金的制备方法。它解决了目前技术制备的NiTiNbCo记忆合金存在恢复力差、屈服强度低、作为连接紧固件使用安全性能差的问题。其方法：一、将原材料混合翻转搅拌，熔炼，制备铸锭；二、将铸锭重新熔化制棒材、冷却；三、将冷却的棒材抛光，清洗，然后放入石英管中，均匀化处理，淬水、退火，而后热轧成轧制态板材。本发明得到的NiTiNbCo宽滞后记忆合金具有高恢复力，屈服强度高、连接安全可靠的优点。本发明制备方法工艺简单、成本低。
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公开(公告)号：CN101497988A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910071349.3
申请日：2009-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: TiNi合金表面镀钽的方法，它涉及一种合金表面镀钽的方法。本发明方法解决了现有TiNi合金长期植于人体内抗腐蚀性能差的问题。本发明的方法如下：一、将TiNi合金机械抛光，再超声波清洗，吹干；二、进行溅射清洗；三、用钽离子轰击TiNi合金并沉积，冷却至室温；四、真空退火，即得镀钽的TiNi合金。本发明方法制备的镀钽的TiNi合金抗腐蚀性能好，同时抑制Ni离子溶出，改善生物相容性。本发明的生产工艺简单，操作方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101402399A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810137546.6
申请日：2008-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 记忆合金智能解锁机构，本发明涉及一种空间飞行器用的分离解锁器。本发明是为解决现有航天器的空间解锁采用火工装置实现解锁，存在安全性差以及记忆合金解锁方式存在解锁时间长的问题。本发明的壳体上部侧壁上设有连接板槽，壳体的上部设有与连接板槽垂直的插销孔，连接板设置在连接板槽内，连接板上设有与插销孔相对应且相同直径的连接孔，插销设置在插销孔和连接孔中，记忆合金的上端与插销的下端面固接，记忆合金的下端装在壳体底端面的中心孔内，电路的两端分别与记忆合金连接。本发明采用记忆合金丝、记忆合金片或者记忆合金弹簧通过直接电加热提供驱动力实现智能解锁，解锁时间短、结构简单、具有安全性高、低冲击、可重复使用等优点。
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公开(公告)号：CN101252009A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810064311.9
申请日：2008-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11B11/105
Abstract: Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用，它涉及Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金的新用途，特别是Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用。本发明解决了磁存储介质存在受超顺磁效应限制，记录密度高密度化受到限制的问题以及相变光存储介质需要一定的热积累过程，同时受存储介质热传导效应影响，导致信息存储密度低、写入及擦除速度慢的问题。一种Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用是以所述Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。光磁混合存储是一种全新的信息存储方式，它结合磁存储和光存储的优点，具有理论极限记录密度高、读出分辨率及灵敏度高、存取速度快等优点。
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公开(公告)号：CN117529207B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311261158.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , C30B29/46 , C30B1/10 , H10N10/852
Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。
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公开(公告)号：CN117529207A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311261158.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , C30B29/46 , C30B1/10 , H10N10/852
Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。
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公开(公告)号：CN115347109B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210992642.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/853 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法，本发明涉及MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法。本发明要解决现有制备的MgAgSb晶格热导率较大，晶粒尺寸仍比较大(大约200nm)，且传统构建孔洞方法不适用于MgAgSb基热电材料的问题。方法：一、制备MgAgSb纳米粉末；二、制备Ag‑MgAgSb‑Ag长条试件；三、制备Fe‑MgBiSb‑Fe长条试件；四、制备MgAgSb/MgBiSb热电制冷器件。本发明用于利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件。
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