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公开(公告)号：CN115347109A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210992642.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法，本发明涉及MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法。本发明要解决现有制备的MgAgSb晶格热导率较大，晶粒尺寸仍比较大(大约200nm)，且传统构建孔洞方法不适用于MgAgSb基热电材料的问题。方法：一、制备MgAgSb纳米粉末；二、制备Ag‑MgAgSb‑Ag长条试件；三、制备Fe‑MgBiSb‑Fe长条试件；四、制备MgAgSb/MgBiSb热电制冷器件。本发明用于利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件。
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公开(公告)号：CN115347109B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210992642.9
申请日：2022-08-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/853 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法，本发明涉及MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件的方法。本发明要解决现有制备的MgAgSb晶格热导率较大，晶粒尺寸仍比较大(大约200nm)，且传统构建孔洞方法不适用于MgAgSb基热电材料的问题。方法：一、制备MgAgSb纳米粉末；二、制备Ag‑MgAgSb‑Ag长条试件；三、制备Fe‑MgBiSb‑Fe长条试件；四、制备MgAgSb/MgBiSb热电制冷器件。本发明用于利用具有超细晶和多孔结构的MgAgSb基热电材料制备热电制冷器件。
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公开(公告)号：CN119870444A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510063309.3
申请日：2025-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提升MgAgSb热电材料高温热稳定性的方法，本发明属于热电材料领域。本发明要解决现有纳米结构MgAgSb热电材料在较高温度下容易发生结构演变与性能衰减的问题。方法：一、粉体制备；二、烧结。本发明用于提升MgAgSb热电材料高温热稳定性。
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公开(公告)号：CN115915896B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310063279.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/853 , H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
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公开(公告)号：CN115915896A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310063279.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/853 , H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备方法，本发明涉及阻挡层的制备方法。本发明要解决现有MgAgSb使用的阻挡层为Ag，而在富Ag环境中MgAgSb中容易生成Ag3Sb，导致MgAgSb/Mg3Bi2器件无法实现长期稳定性的问题。方法：一、制备MgCuSb纳米粉末；二、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99纳米粉末；三、制备MgCu0.1Ag0.87Sb0.99‑Mg3.2Bi1.5Sb0.5热电发电器件。本发明用于基于MgAgSb基热电材料高热稳定性低接触电阻阻挡层的制备。
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