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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118754665A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411015708.4
申请日：2024-07-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622
Abstract: 一种调控构型熵诱导的强织构N型碲化铋材料及其制备方法，它属于热电材料技术领域。本发明要解决现有区熔碲化铋基热电材料工艺复杂及织构不均匀的问题。化学通式为(Bi2Te3)1‑x(Sb2Se2S)x+y at.％BiBr3，其中x＝0.05～0.20，y＝0.18～0.24；方法：一、称取并混合；二、将混合粉末导入石英安瓿瓶中并真空密封；三、升温、保温及降温。本发明用于调控构型熵诱导的强织构N型碲化铋材料及其制备。
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公开(公告)号：CN117529207B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311261158.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , C30B29/46 , C30B1/10 , H10N10/852
Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。
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公开(公告)号：CN117529207A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311261158.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , C30B29/46 , C30B1/10 , H10N10/852
Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。
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公开(公告)号：CN119816185A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411940179.9
申请日：2024-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高性能p型GeTe基热电材料及其制备方法，本发明属于新能源材料领域。本发明要解决现有GeTe难以实现300K～775K全温度范围的性能优化的问题。高性能p型GeTe基热电材料，它的化学通式为Ge0.84‑x‑yPb0.1Sb0.06CdxTe；方法：一、称取；二、密封；三、加热融化并退火处理；四、烧结。本发明用于高性能p型GeTe基热电材料及其制备。
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公开(公告)号：CN119776974A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510063305.5
申请日：2025-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 黑龙江凌芯科技有限公司
Abstract: 一种精密小型单晶提拉炉装置，它涉及木质纤维材料制备领域。本发明解决了现有的大型单晶炉存在体积庞大、笨重、成本高，不仅占用了大量的实验室空间，而且在移动、安置以及日常维护方面带来了诸多不便的问题。本发明的加热单元通过升降单元安装在炉体控制柜的侧面，连接件的一端与炉体控制柜的上端连接，连接件的另一端与加热单元中的石英管连接；炉体控制柜包括柜体、温控仪表、电流表、触摸屏和电源开关，柜体为矩形柜体，温控仪表、电流表、触摸屏和电源开关由上至下依次安装在柜体上；其中，柜体的长度为300mm，宽度为270mm，加热单元的电炉加热区的尺寸为直径为40mm，高度为150mm。本发明用于单晶体制备。
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