公开(公告)号：CN117529207B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202311261158.X

申请日：2023-09-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘紫航 ,  郭振涛 ,  朱钰可 ,  刘明 ,  董行严 ,  隋解和

IPC: H10N10/01 ,  C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  H10N10/852

Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。

公开(公告)号：CN117529207A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311261158.X

申请日：2023-09-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘紫航 ,  郭振涛 ,  朱钰可 ,  刘明 ,  董行严 ,  隋解和

IPC: H10N10/01 ,  C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  H10N10/852

Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。