公开(公告)号：CN118754665A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411015708.4

申请日：2024-07-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱钰可 ,  隋解和 ,  王星粤 ,  董行严 ,  刘紫航 ,  郭逢凯

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/622

Abstract: 一种调控构型熵诱导的强织构N型碲化铋材料及其制备方法，它属于热电材料技术领域。本发明要解决现有区熔碲化铋基热电材料工艺复杂及织构不均匀的问题。化学通式为(Bi2Te3)1‑x(Sb2Se2S)x+y at.％BiBr3，其中x＝0.05～0.20，y＝0.18～0.24；方法：一、称取并混合；二、将混合粉末导入石英安瓿瓶中并真空密封；三、升温、保温及降温。本发明用于调控构型熵诱导的强织构N型碲化铋材料及其制备。

公开(公告)号：CN119816185A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411940179.9

申请日：2024-12-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 隋解和 ,  张鹏远 ,  刘明 ,  朱钰可 ,  董行严

IPC: H10N10/852 ,  H10N10/01 ,  C22C1/02 ,  C22C28/00 ,  C22F1/16 ,  B22F9/04 ,  B22F3/14

Abstract: 一种高性能p型GeTe基热电材料及其制备方法，本发明属于新能源材料领域。本发明要解决现有GeTe难以实现300K～775K全温度范围的性能优化的问题。高性能p型GeTe基热电材料，它的化学通式为Ge0.84‑x‑yPb0.1Sb0.06CdxTe；方法：一、称取；二、密封；三、加热融化并退火处理；四、烧结。本发明用于高性能p型GeTe基热电材料及其制备。

公开(公告)号：CN117529207B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202311261158.X

申请日：2023-09-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘紫航 ,  郭振涛 ,  朱钰可 ,  刘明 ,  董行严 ,  隋解和

IPC: H10N10/01 ,  C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  H10N10/852

Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。

公开(公告)号：CN117529207A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311261158.X

申请日：2023-09-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘紫航 ,  郭振涛 ,  朱钰可 ,  刘明 ,  董行严 ,  隋解和

IPC: H10N10/01 ,  C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  H10N10/852

Abstract: 一种基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构的方法，本发明属于热电材料技术领域。本发明解决现有AgBiSe2服役温度区间存在复杂的晶体结构转变，并且现有依据熵工程调控获得的室温立方AgBiSe2基材料的平均热电性能仍然较低的问题。方法：一、称取原料并置于石英管中熔封；二、制备铸锭；三、研磨；四、烧结。本发明用于基于等电子体合金化调控银铋硒室温晶体结构。