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公开(公告)号：CN103697417A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201410015761.4
申请日：2014-01-14
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
IPC: F21V17/00 , F21V23/00 , F21V29/00 , H05B37/02 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及一种大功率高显色性可调光LED灯，其由上端盖、出光窗口、主壳体、安装在主壳体内的若干侧壁LED模组、镀有半透半反光学薄膜并固定在主壳体中央腔体内的上棱镜台和下棱镜台、下端LED模组和下壳体组成。每一侧壁LED模组包括上、下两个LED，分别为红、绿、蓝三种单色LED中的两种。另一种单色LED安装在下端LED模组的相应位置上。红、绿、蓝三种单色LED发出的光经过上棱镜台和下棱镜台混光。各LED模组均与设有散热片的主壳体或下壳体直接固定连接，散热良好。三组独立的驱动和控制电路分别驱动和调节三种单色LED的发光强度，能根据环境灵活调节出射光中三基色的比例，适应不同场合高显色性要求。
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公开(公告)号：CN103633225A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310610677.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/4803
Abstract: 高导热绝缘铜基板的制备方法，涉及一种铜表面陶瓷化方法。所述方法为：将所需要的铜基板进行抛光处理；称取定量聚碳硅烷置于球磨罐中，然后向球磨罐中加入适量的二甲苯，得到聚碳硅烷-二甲苯溶液；称取经表面改性的氮化铝粉体，并置于球磨罐中，进行球磨混合，完成混合浆料制备；将混合浆料涂覆或流延到已抛光的铜基板表面，然后干燥，获得预制陶瓷铜基板坯料；将预制陶瓷铜基板坯料置于管式炉内在湿惰性气体保护下完成热处理；采用多次涂覆-干燥-烧结工艺，制备出规定厚度、无针孔、无裂纹的高绝缘涂层。本发明所制备的高导热绝缘铜基板陶瓷涂层厚度为10～100微米，陶瓷涂层的热导率为5～100W/m·K，耐击穿电压大于2000V，介电常数低。
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公开(公告)号：CN102231367B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110103942.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/70
Abstract: 扫描式薄膜图形激光转移方法，它涉及一种薄膜图形的激光转移方法。本发明解决了薄膜器件或电路制备过程中需要预先加工多层掩模版，成本高昂且工序复杂的问题。本发明的步骤：将过渡层薄膜和源薄膜先后通过溅射、蒸镀、电镀、刷镀、旋涂、化学气相沉积、等离子体镀或分子束外延的方法制作到透明源基板上，过渡层薄膜和源薄膜构成薄膜材料层；将透明源基板设置在目标基板的上方，透明源基板与目标基板之间的垂直距离为0毫米～5毫米；激光束穿透透明源基板，照射在过渡层薄膜上，薄膜材料层受热蒸发，薄膜材料层从透明源基板上脱离；脱离的薄膜材料层向目标基板撞击，并在目标基板的表面形成目标薄膜及图形。本发明适用于薄膜器件或电路制备。
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公开(公告)号：CN102922071A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210411136.2
申请日：2012-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K35/24 , B23K35/363
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2224/8384 , H01L2924/203 , H01L2924/0002
Abstract: 一种采用纳米金属间化合物颗粒制备低温互连高温服役接头的方法，涉及一种电子器件的封装和组装互连方法。具体包括如下步骤：步骤一：将纳米金属间化合物焊膏放置于基板上，完成待焊部件对准过程，并施加压力；步骤二：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，完成有机物的挥发、纳米金属间化合物颗粒之间的均匀烧结以及与焊盘的润湿和界面反应。本发明应用了纳米级金属间化合物颗粒，纳米颗粒很大的表面活性能为其烧结过程提供了强大的驱动力，实现了远低于其块体熔点的与传统回流焊工艺兼容的低温连接，形成性能优良的接头，在成本低、与传统工艺兼容性好、生产效率高的前提下实现了低温键合高温服役。
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公开(公告)号：CN102886934A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210417753.3
申请日：2012-10-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜及其制备方法，本发明涉及一种多铁性薄膜及其制备方法。本发明是要解决现有的BiFeO3(BFO)基薄膜漏电流较大、铁磁性能较差、与Pt底电极发生反应生成Bi2Pt等合金，从而导致其综合性能下降及现有方法无法制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜的问题。本发明的一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜由钛酸锶钡基溶胶和BFO基溶胶制备而成。制备方法：一、制备缓冲层薄膜：二、沉积BFO基薄膜，然后采用快速退火工艺获得结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜。本发明主要用于制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102183542B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110033879.6
申请日：2011-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/18
Abstract: 采用红外多点测温热阻法检测电路板焊点可靠性的检测系统，属于印刷电路板的焊点虚焊检测技术领域。它解决了现有检测技术对外观正常，又有电气连接的虚焊焊点无法识别的问题。它将XY旋转载物台设置在系统平台上，光学显微摄像机和红外热像仪位于XY旋转载物台的正上方，红外激光器位于XY旋转载物台的侧上方，载物台驱动控制器的位移信号输出端连接XY旋转载物台的位移信号输入端，红外激光器的控制信号输入端连接激光器控制器的控制信号输出端，光学显微摄像机的图像信号输出端连接计算机的图像信号输入端，红外热像仪的采集信号输出端连接计算机的热像仪信号输入端。本发明用于电路板焊点可靠性的检测。
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公开(公告)号：CN101857188B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010222496.9
申请日：2010-07-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 面向MEMS立体封装和组装的锡球凸点键合方法，属于MEMS器件的封装互连和组装领域。它解决了现有MEMS器件的封装键合工艺没有实现标准化，现有MEMS器件的自动化键合技术仅适用于特定焊盘平面的激光凸点制作，不能够将凸点制作及互连一体化实现，并且不适于进行MEMS器件立体封装的问题。它首先将待键合芯片运送到图像采集装置的视觉系统工作区域，采集图像信息，然后计算得到待键合芯片的所有待键合焊盘中心的位置，同时存储所有位置信息；然后根据位置信息，规划植球键合路径；根据植球键合路径对每一个焊盘进行键合：它包括由吸嘴吸取微钎料球、释放微钎料球在焊盘中心及完成键合。本发明用于对MEMS器件进行立体封装。
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公开(公告)号：CN102244187A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110210773.9
申请日：2011-07-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 白光LED封装结构及封装方法，属于LED封装技术领域。它解决了目前白光LED的荧光粉涂层的涂布量不均匀的问题。本发明封装结构为铜底座中心具有内凹的反光杯，反光杯的内壁表面镀银，反光杯的杯底中心固定发光芯片，铜底座的上表面印刷有电极引出电路，发光芯片的正、负板分别通过丝球键合用金线与所述电极引出电路连接，反光杯的杯底依次点胶填充有硅胶底层、荧光粉层和硅胶上层，铜底座上表面的反光杯杯口覆盖并固定有光学透镜。本发明封装方法为在荧光粉层与发光芯片之间多加了一层硅胶底层，使荧光粉层与发光芯片之间的距离相对可控，并使荧光粉层的涂覆更趋均匀。本发明适用于LED的封装。
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公开(公告)号：CN102244022A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110105396.2
申请日：2011-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , H01L23/00 , H01L23/488 , B23K31/02
CPC classification number: H01L2224/16503 , H01L2224/8181
Abstract: 倒装芯片单金属间化合物微互连结构制备方法，本发明涉及一种倒装芯片金属间化合物微互连结构制备方法，针对倒装芯片微互连焊点在钎料合金、金属间化合物和金属焊盘连接界面处发生断裂问题。方案一：在芯片的金属表面上制备芯片金属基层(芯片金属焊盘)和表层，在基板的金属表面上制备基板金属基层(基板金属焊盘)和表层，芯片与基板金属表层由纯Sn制成；在芯片金属表层及基板金属表层上涂钎剂；芯片倒置，使芯片金属焊盘和基板金属焊盘相对应，施压、加热，冷却，形成倒装芯片单金属间化合物微互连结构；方案二与一不同：在芯片金属基层及基板金属基层上涂钎剂，芯片倒置，芯片金属焊盘和基板金属焊盘通过Sn箔接触。本发明用于电子封装结构中。
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公开(公告)号：CN102184905A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110105411.3
申请日：2011-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L23/488
Abstract: 单金属间化合物微互连焊点结构，它涉及一种微互连焊点结构。针对目前微互连焊点结构在外力或由不同材料热胀冷缩不一致情况下产生的应力作用下，容易发生断裂的问题。所述焊点结构包括芯片基板、第一金属焊盘、单种金属间化合物层、第二金属焊盘和电路板，芯片基板的下端面与第一金属焊盘的上端面连接，第一金属焊盘的下端面与单种金属间化合物层的上端面连接，单种金属间化合物层的下端面与第二金属焊盘的上端面连接，第二金属焊盘的下端面与电路板的上端面连接。本发明适用于芯片间或芯片与电路板间电气信号及机械连接。
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