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公开(公告)号：CN112782693A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011588010.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于Staggered SAR体制线性快变PRI序列设计方法，本发明涉及结构化数据生成文本方法。本发明为解决现有Staggered SAR体制中变化的脉冲重复间隔引起的脉冲缺失和方位向非均匀采样的问题。过程为：一：建立发射序列PRI变化规律；二：考虑避免脉冲遮掩以及星下点回波影响情况下平均脉冲重复周期的选取范围，根据平均脉冲重复周期的选取范围计算在平均脉冲重复周期下的盲区范围；三：计算M取不同值时，相邻PRI间隔的取值范围；四：优化最大脉冲重复周期参数；五：对Staggered SAR方位维信号重建，最终利用重建后的数据完成SAR成像。本发明用于本发明涉及微波遥感技术领域。
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公开(公告)号：CN109651853B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201811472503.3
申请日：2018-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种高温空气中稳定的MoSi2‑SiO2复合物光热涂层及其制备方法。所述方法采用二氧化硅溶胶与MoSi2粉末混合，形成黑色悬浊液后旋涂于载体上，干燥后得到复合层，再将步骤(2)制得的二氧化硅溶胶旋涂于复合层上形成减反层，得到复合物光热涂层。本发明提出的涂层具有高温稳定性好，制备过程简便，成本低廉，适宜规模化生产等诸多优势。同时还有较高的太阳能吸收率。具有重要的实用价值。同时该涂层的制备方法具有普适性，可以制备不同填充材料的功能性涂层。
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公开(公告)号：CN111987181A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010893234.9
申请日：2020-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01L31/055 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于一维光子晶体异质结构的太阳光谱分光-吸热薄膜，其包括吸收涂层和一维光子晶体异质结构分光器，所述一维光子晶体异质结构分光器位于吸收涂层上；所述吸收涂层包括金属陶瓷层，所述一维光子晶体异质结构分光器为基于Si/SiO2光子晶体的异质结构多层膜。采用本发明的技术方案，可以有效地将太阳光谱分谱成一个光伏应用波段和两个光热应用波段，其中光伏波段的太阳能量用于光伏发电，光热波段的太阳能量用于集热发电，为全光谱太阳能的综合利用提供器件基础；可以在不用增加一维光子晶体重复单元的前提下，有效增加光伏应用波段的反射率，同时抑制两个光热波段反射率的提高。
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公开(公告)号：CN109536821B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201811387468.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铕锌锑基Zintl相热电材料及其制备方法，所述铕锌锑基Zintl相热电材料的化学组成为Eu2Zn1‑xSb2，其中x满足0≤x≤0.1。与已经报道过的1‑2‑2型铕锌锑化合物相比，本发明公开的一种新的Eu、Zn、Sb三元化合物热电材料具有完全不同的晶体结构，该结构的化合物具有极低的晶格热导率以及较高的载流子迁移率，可以通过调节Zn空位可以有效改善材料的电输运性质，抑制双极扩散，提高材料的热电性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109883073A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910188508.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: F24S70/225 , F24S70/30 , C23C14/35 , C23C14/06
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，提供了一种高温稳定的准光学微腔结构太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法。所述涂层由下而上依次是金属红外反射层、准光学微腔吸收体、光学减反层部分三部分，所述涂层材料为金属W，电介质Al2O3和SiO2，衬底为机械抛光的不锈钢304，易于制备获得。相对于已知涂层具体以下优点：(1)太阳吸收率高；(2)高温稳定性好；(3)光谱吸收范围易于调节，易于产业化应用。
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公开(公告)号：CN108389956A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810194956.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2-乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2-乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。
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公开(公告)号：CN114975763B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210782910.4
申请日：2022-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性热电模块及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：将热电材料与阻挡层、连接层构成多层结构，采用放电等离子烧结得到热电元件；采用绝缘的陶瓷板或表面为陶瓷层的绝缘板作为基板，对基板进行双面热压电极箔片形成电极板，并对热电元件的表面进行处理；采用纳米焊膏置于热电元件与电极板之间，于200‑500℃下进行热压烧结，得到热电模块；在热电模块内的间隙填充气凝胶绝热填料，并烘干；在热电模块的四周涂敷保温涂料，并烘干。采用本发明的技术方案，得到具有高效能源转换率和良好热稳定性的热电接头或模块，且具有良好的机械强度以及良好的高温服役稳定性。
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公开(公告)号：CN115322004B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211009964.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C04B35/80 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645 , H10N10/852
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公开(公告)号：CN114456607B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210157097.1
申请日：2022-02-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C08L87/00 , C08K3/30 , C08G83/00 , H10N10/852 , H10N10/856
Abstract: 本发明提供了一种含无限共轭聚合物的室温基热电材料及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：将无限共轭聚合物、p型碲化铋Bi2‑xSbxTe3进行混合球磨，得到复合材料粉体，0＜x≤2；将复合材料粉体在240~450℃下进行热压放电等离子体烧结，得到热电材料；其中，所述无限共轭聚合物为采用如下结构式（1）的有机配体与金属元素合成的金属基无限共轭聚合物；其中，R为氨基或巯基，R’为巯基、羟基、羧基或氨基。采用本发明的技术方案，协同调控了热电材料载流子浓度和晶格热导率，提高了热电材料的电学、热学性能，为获得高性能热电材料提供新的思路。
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