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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108389956B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810194956.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2‑乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2‑乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。
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公开(公告)号：CN106952999A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710103406.6
申请日：2017-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种多能级掺杂PbTe基热电材料及其制备方法，所述多能级掺杂PbTe基热电材料的分子式为InxPb1‑xTe1‑yAy；其中，A为Cl，Br，I，Ga，Al；0
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公开(公告)号：CN106898690A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710112857.6
申请日：2017-02-28
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂SnTe基热电材料，所述SnTe基热电材料中掺入稀土元素，所述稀土元素掺杂的原子百分含量为0.1~2%。采用本发明的技术方案的稀土掺杂的SnTe基热电材料的热电性能优于现有的SnTe基热电材料，其电导率合适，热电性能高；当稀土元素加入后，容易取代Sn位，作为施主降低本征Sn空穴浓度，优化载流子浓度，从而提高了材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN108389956A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810194956.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种n型SnSe基热电纳米材料的制备方法，其采用化学合成的方法，以2-乙基己酸铋作为Bi源，在SnSe基热电材料中掺入Bi元素，Bi元素掺杂的摩尔百分含量为1~5％。采用本发明的技术方案，通过采用金属有机物2-乙基己酸铋作为掺杂剂可以有效实现n型掺杂，获得在500℃时仍为稳定的n型导电的SnSe基热电材料；通过有效Bi掺杂，能够调控载流子浓度，从而优化SnSe基热电材料的功率因子，通过纳米化合成，能够增加声子散射，降低晶格热导率，从而优化其ZT值，其电学综合性能优于传统熔炼方法获得的Bi掺杂SnSe基热电材料。
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