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公开(公告)号：CN112018228B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202010883436.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，涉及一种低热导率双half‑Heusler合金热电材料及其制备方法，具体涉及一种低热导率的Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn(0≤x≤0.2，0≤y＜0.5)基双half‑Heusler热电材料及其制备方法，材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half‑Heusler化合物复合而成，其中，M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种，N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn基双half‑Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half‑Heusler热电材料，丰富了中高温区热电材料体系；同时，该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr，实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态，对于热电器件应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109536821B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201811387468.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铕锌锑基Zintl相热电材料及其制备方法，所述铕锌锑基Zintl相热电材料的化学组成为Eu2Zn1‑xSb2，其中x满足0≤x≤0.1。与已经报道过的1‑2‑2型铕锌锑化合物相比，本发明公开的一种新的Eu、Zn、Sb三元化合物热电材料具有完全不同的晶体结构，该结构的化合物具有极低的晶格热导率以及较高的载流子迁移率，可以通过调节Zn空位可以有效改善材料的电输运性质，抑制双极扩散，提高材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN109536821A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811387468.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种铕锌锑基Zintl相热电材料及其制备方法，所述铕锌锑基Zintl相热电材料的化学组成为Eu2Zn1-xSb2，其中x满足0 ≤x ≤ 0.1。与已经报道过的1-2-2型铕锌锑化合物相比，本发明公开的一种新的Eu、Zn、Sb三元化合物热电材料具有完全不同的晶体结构，该结构的化合物具有极低的晶格热导率以及较高的载流子迁移率，可以通过调节Zn空位可以有效改善材料的电输运性质，抑制双极扩散，提高材料的热电性能。
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公开(公告)号：CN112018228A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010883436.5
申请日：2020-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，涉及一种低热导率双half-Heusler合金热电材料及其制备方法，具体涉及一种低热导率的Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn(0≤x≤0.2，0≤y＜0.5)基双half-Heusler热电材料及其制备方法，材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half-Heusler化合物复合而成，其中，M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种，N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn基双half-Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half-Heusler热电材料，丰富了中高温区热电材料体系；同时，该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr，实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态，对于热电器件应用具有重要意义。
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