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公开(公告)号：CN117973291A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311603904.9
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于diode模型的二极管模型参数自动化检查方法，涉及二极管模型的技术领域。所述自动化检查方法包括：读取模型参数文件内容；检查所述模型参数的完备性；将所述模型参数带入二极管模型公式，计算获得IV曲线；检查所述IV曲线趋势。对提取出的模型参数进行详尽而细致的检查，可以及时发现并修正模型参数中存在的问题，保证模型质量，为器件性能仿真提供准确的模型库。在二极管模型确定后，使得取得的仿真结果的准确性和可靠性得到大幅度提升。
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公开(公告)号：CN117725870A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311603779.1
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种用于HTB器件的Vbic模型特征参数的提取方法，双极型晶体管器件的技术领域。所述的提取方法包括：对模型公式进行一般性表述，对于所有非PDE的模型，使用模型公式M表达；对模型公式M的所有参数进行初值的假设，并对公式集进行敏感度评估；基于敏感度评估，挑选出权重大于设定范围的参数；基于权重大于设定范围的参数，进行求解。
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公开(公告)号：CN117540688A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311610560.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种电子器件的位移辐射效应仿真方法，涉及电子器件辐射效应仿真技术领域。所述仿真方法包括：器件结构构建；初始网格区域划分；电学特性解向量设置；解方程组得到各点解。从而提出一种高效准确的电子器件位移损伤仿真方法，为电子器件的空间应用提供技术支撑，解决了解决现有技术无法探索高效准确的电子器件位移损伤仿真方法的技术问题。
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公开(公告)号：CN117540682A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311602791.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种用于BJT器件的Gummel‑Poon模型特征参数的提取方法，涉及双极型晶体管器件的技术领域。所述的提取方法包括：设定词法的使用方法；基于设定的词法使用方法，筛选敏感度；基于筛选的敏感度，挑选参数；基于筛选的敏感度以及挑选的参数，计算获得待拟合参数。从而保证了基于拟合参数而建立的模型的精确性。而且整个过程完全可以通过对计算机进行预先设定，实现自动化精确获得。从而提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN111625327B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202010408820.X
申请日：2020-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种自动化星上时间管理系统，属于星上时间管理领域。解决了传统的星上时间管理系统对CPU的依赖程度高，导致其会出现较大的守时误差，致使可靠性和精度自动化程度低的问题。本发明包括四种运行模式，分别为通用时间管理模式、指令均匀校时模式、秒脉冲均匀校时模式和导航自主校时模块，在前三种管理模式中还可同时进行地面授时和地面集中校时操作；四种运行模间可进行相应切换。本发明主要用于对星上时间进行校准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115659770A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211410685.8
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了单粒子瞬态脉冲仿真模型构建方法、仿真方法及仿真模型，涉及计算机仿真技术领域，方法包括：获取单粒子的初始线性能量转移；将初始线性能量转移进行转换，得到目标线性能量转移，其中，初始线性能量以MeV·cm2/mg为单位，目标线性能量转移以单位长度的电子‑空穴对为单位；当单粒子入射到具有敏感结的元器件后，获取单粒子的径向衰减长度和入射深度；根据目标线性能量转移、单粒子的径向衰减长度和入射深度，得到单粒子在入射路径上产生的电子空穴对的分布情况；根据分布情况构建单粒子瞬态脉冲仿真模型。与现有技术比较，解决了如何构建出准确的单粒子瞬态脉冲仿真模型，提高研究可靠性，缩短研究周期、降低研究成本。
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公开(公告)号：CN115659695A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211405329.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质。该方法包括：构建肖特基‑里德‑霍尔体复合模型，肖特基‑里德‑霍尔体复合模型包括单位体积下的第一界面陷阱浓度；将第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度，根据第二界面态陷阱浓度构建出肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型；构建电子连续性方程和空穴连续性方程；将肖特基‑里德‑霍尔表面复合模型分别与电子连续性方程和空穴连续性方程耦合，得到晶体管界面态模型；利用晶体管界面态模型对晶体管在不同第二界面态陷阱浓度下的基极电流进行仿真。本技术方案的有益效果是：通过仿真模拟界面态对晶体管基极电流的影响，避免了进行繁琐的地面实验，节约了成本。
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公开(公告)号：CN115171821A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759862.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种机器学习力场开发方法。包括：使用VASP软件进行半导体材料的第一原理分子动力学模拟，获得MD模拟的每一帧构象及其势能和原子受力信息，通过训练得到多组机器学习力场，对半导体材料的标定性质进行分子动力学模拟，获得多条模拟轨迹，计算模拟轨迹中每一帧构象的信息，比较获取构象信息偏离平均值的构象为目标构象，对目标构象进行单点能计算，将分子动力学模拟的每一帧构象信息和目标构象信息作为数据库，训练得到最终的机器学习力场。本发明通过建立多组相似的机器学习力场模型，并比较其在半导体材料分子动力学模拟构象的势能和原子受力，有效地挑选了和实际工况接近的目标构象，从而建立准确表征半导体材料的机器学习力场。
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公开(公告)号：CN115168806A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762632.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/18 , G06F30/25 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种半导体材料离位阈能的计算方法，包括以下步骤：构建由半导体材料组成的超胞，并对其结构进行优化，使各原子均处于各自的平衡位置；以目标原子为中心，选取一个速度方向，设定初始动能，进行目标原子运动的分子动力学模拟，通过重复尝试最终得到的能够产生Frankel缺陷所对应的动能，即为目标原子沿该速度方向离开自身位置形成缺陷所需的最小能量；对得到的数据进行分析，得到目标原子的离位阈能。本发明通过仿真模拟的方法构建半导体材料的超胞，并以目标原子为球心均匀选择多个速度方向，计算目标原子沿不同速度方向的离位阈能范围，并达到设定的精度，得到目标原子的离位阈能和平均离位阈能数据，提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN111413561A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010214319.X
申请日：2020-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 具有状态监测功能的电源纹波模拟系统，涉及波纹电压生成领域。解决了现有技术中波纹电压模拟的过程中无法模拟波纹的随机性、输出的波纹电压的幅值固定、以及输出的纹波电压状态无法实时监测的问题。上位机控制单元，用于发出控制纹波的波形、幅度和频率的指令给纹波模拟及供电状态监测单元，还用于显示纹波模拟及供电状态监测单元输出带有纹波直流电的电压值和电流值；直流电源单元，用于给纹波模拟及供电状态监测单元提供直流电源；纹波模拟及供电状态监测单元，用于根据接收的控制指令和直流电源信号生成带有纹波的直流电，还用于将采集带有纹波直流电的电压值和电流值，并将所述电压值和电流值上传至上位机控制单元。提供带有纹波的直流电。
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