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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204144305U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420516924.2
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有高可靠性电极的红外发光二极管，在外延发光结构的一侧上设置粗化层，在粗化层上设置腐蚀截止层，在腐蚀截止层上设置欧姆接触层，欧姆接触层表面形成扩展电极，微粗化层设置在欧姆接触层上，焊盘电极设置在微粗化层上，与扩展电极连接导通；在外延发光结构的另一侧设置金属反射镜，金属反射镜上设置基板，基板上设置背电极。本实用新型有效提高焊台电极的可靠性，解决焊台电极由于粘附性差而容易脱落的问题，也解决打金线时焊台电极下的外延层容易被打碎的封装难题。
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公开(公告)号：CN204516792U
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201420601236.6
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层之间设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层之间设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层为掺杂Te第一型电流扩展层。本实用新型可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN204144300U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420449810.0
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本实用新型解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。
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公开(公告)号：CN204189827U
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201420516772.6
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种大功率红外发光二极管，包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导介质层，高热导介质层上设置基板，高热导介质层位于外延发光结构与基板之间将高热导介质层产生的热量导向基板。本实用新型使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN204102929U
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201420493641.0
申请日：2014-08-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 本实用新型公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管，在发光结构一侧设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置粗化层；在粗化层上形成沟槽，在沟槽中形成扩展电极，扩展电极与欧姆接触层接触形成欧姆接触；采用掩膜、光刻、蒸镀工艺在粗化层表面制作焊盘电极，焊盘电极与扩展电极连接导通。本实用新型可以提高扩展电极的可靠性，且获得更好电流扩展效果，提高红外发光二极管的发光效率。
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