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公开(公告)号：CN106024775A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610559181.0
申请日：2016-07-15
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L25/167 , H01L21/50 , H01L35/28 , H01L51/4213
Abstract: 本发明公开了一种具有温差发电片的集成器件，其包括钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括导电基底、设置在所述导电基底上的光阳极、设在所述光阳极上的钙钛矿光敏层及设置在所述钙钛矿光敏层上的碳对电极。所述集成器件还包括设置在所述碳对电极上的温差发电片，所述温差发电片与所述钙钛矿太阳能电池通过串联的方式电性连接。本发明还涉及一种具有温差发电片的集成器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN105679687A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610050680.7
申请日：2016-01-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/81203
Abstract: 本发明公开了一种基于自蔓延反应的微互连方法，包括以下步骤：1)对基体A上的待键合表面进行表面处理，然后在该待键合表面上沉积自蔓延反应薄膜；2)对基体B上的待键合表面进行表面处理，然将该待键合表面压在基体A上的自蔓延反应薄膜上，所述基体A、自蔓延反应薄膜和基体B共同构成互连结构；3)在所述互连结构上施加压力进行预压；4)预压完成后，继续保持加压状态，然后引燃自蔓延反应薄膜，以完成基体A和基体B的互连，使基体A和基体B紧密连接在一起。本发明描述的键合连接技术，反应速率快，键合效率高，热影响区小，减小了对其他器件的热影响，提高了器件的可靠性，延长了工作寿命。
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公开(公告)号：CN105679683A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610024230.0
申请日：2016-01-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/603 , H01L23/498 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L21/4853 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L23/49816 , H01L23/49866 , H01L24/81 , H01L2224/81359 , H01L2224/81895 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105
Abstract: 本发明公开了一种基于铜纳米棒的铜锡铜键合工艺及结构，该工艺包括：在基片表面依次沉积绝缘层、粘附层和种子层；在种子层上旋涂一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜获得铜凸点；去除光刻胶，并去除暴露的种子层和粘附层；在铜凸点表面及四周旋涂光刻胶，然后暴露铜凸点上表面；利用上述步骤得到两组基片单元，一组基片单元的铜凸点上电镀锡凸点，并去除光刻胶；另一组基片单元的铜凸点上沉积铜纳米棒，并去除光刻胶；通过热压方式将将两组基片单元键合。所述铜锡铜键合结构由上述键合工艺获得。本发明将铜纳米棒应用于铜锡铜键合，能有效降低键合温度并得到紧密的键合面，制备工艺简单可控，成本低，具有极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN105609426A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610040154.2
申请日：2016-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L21/4814
Abstract: 本发明公开了一种用于低温焊接的免清洗纳米浆料的制备方法，包括以下步骤：1)将有机增稠剂加入N-甲基-2-吡咯烷酮中，经磁力搅拌形成溶液A；2)将有机粘结剂加入所述溶液A中，经磁力搅拌形成溶液B；3)取m1g的纳米金属粉末和m2g的溶液B，在真空脱泡搅拌机中搅拌，得到纳米浆料。本方法制备的纳米浆料，封口状态下不易挥发，存储稳定性好。在基底上制备焊接层时，涂覆性、润湿性良好，焊接后免清洗，无需后处理，适用于低温焊接、互连和键合。
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公开(公告)号：CN104649216B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510014673.7
申请日：2015-01-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超疏水凹角T状微柱结构的制备方法，包括：(a)在基片的一个表面旋凃光刻胶，并执行显影操作得到第一圆孔阵列；(b)在基片含光刻胶表面依次沉积粘附层和种子层；(c)在种子层表面旋凃光刻胶，并执行显影操作得到第二圆孔阵列；(d)同时对第一圆孔阵列和第二圆孔阵列进行电镀填充，得到金属的T状微柱结构；(e)去除光刻胶及多余粘附层和种子层；(f)在T状微柱表面沉积一层保护层；(g)去除微柱T状结构的横状伸出部分并保留柱状结构和保护层，得到一种凹角T状微柱结构。按照本发明的制造方法，能非常可控地制备不同尺度的目标结构，工艺窗口宽，重复性好，化学稳定性高，同时拥有优异的超疏水性、自清洁能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103588165B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310617991.3
申请日：2013-11-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法，该方法包括如下步骤：（1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层；（2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；（3）用PDMS模板作为压印模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构；（4）用氧等离子体进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构；（5）将跨尺度的光刻胶阵列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。该方法简单，便于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物芯片和微型传感器等微机电系统领域。
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公开(公告)号：CN103753123B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310699504.2
申请日：2013-12-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种使用中间层扩散制备多层非晶合金与铜复合结构的方法，包括如下步骤：对非晶合金和铜片进行切割、研磨、抛光和清洗，同时用刀片将中间层划分成规定的尺寸，对非晶合金薄片，中间层以及铜薄片进行组装和固定，以形成固定后的工件，将固定后的工件放进真空扩散炉中，使中间层溶解于非晶合金薄片与铜薄片中实现扩散焊接。本发明使用中间层能够降低扩散温度，使得非晶合金薄板在扩散后中仍然保持非晶态。复合结构具有非晶合金的强度和铜的韧性，能阻断非晶合金塑性变形时剪切带的延伸，从而避免了纯非晶合金材料容易脆断的问题，增强抗剪切能力，焊接后薄片表面质量高，连接可靠。
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公开(公告)号：CN103332500B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310220046.X
申请日：2013-06-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: B65G54/00
Abstract: 本发明公开了一种管道气垫运输机，其可在弧形工作面上移动以输送物件，该装置包括：气垫组件（1），其底部设置有用于支撑的支撑垫，支撑垫轮廓可与所述弧形工作面配合；柔性升降组件（2），设置在所述气垫组件（1）上，并可相对该气垫组件（1）伸缩，该柔性升降组件（2）一端设置有托板（3），待输送的物件置于该托板（3）上并可通过柔性升降组件（2）调节其相对于气垫组件（1）的输送高度；所述气垫组件（1）充气时产生气膜层，运输机通过该气膜层与所述弧形工作面相对移动，从而实现物件的输送。本发明输送装置采用圆弧状椭圆形气垫，适用于管状运输，同时，采用双气囊升降结构，增大了装置的运动行程。
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公开(公告)号：CN104900809A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510293584.0
申请日：2015-06-02
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/441 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种碳对电极钙钛矿太阳能电池，该电池包括光阳极、对电极和空穴传输层，对电极为碳布，该碳布依次经过NiO前驱体混合溶液浸渍处理以及反应处理，从而使该碳布上均匀浓密的附着由NiO纳米片构成的空穴传输层；所述碳布嵌入在光阳极中的TiO2多孔层内。还提供了制备碳对电极钙钛矿太阳能电池的方法，包括空穴传输层制备步骤，在前驱体混合溶液中对碳布执行浸渍处理，接着执行反应处理，将粘附有所述前驱体混合溶液的碳布置入高压反应釜中反应；然后取出碳布进行清洗和干燥；最后执行退火处理，获得附着有空穴传输层的碳布。本发明有效提高了电池中层与层之间的接触面积，最终提高了光电转化效率。
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公开(公告)号：CN104637831A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510075419.8
申请日：2015-02-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/603
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L24/83
Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线的铜铜键合工艺。在基片表面依次沉积粘附层和种子层；在种子层上制备一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜，得到铜凸点；利用水热法在铜凸点表面生长Cu(OH)2纳米线；去除残余的光刻胶；对Cu(OH)2纳米线进行热分解，得到CuO纳米线；对CuO纳米线进行还原，得到铜纳米线；利用上述步骤分别在两个基片上制得铜纳米线，通过热压方式对这两个基片上的铜纳米线进行键合。本发明通过还原制得铜纳米线，直接应用于后续键合，避免了额外的去氧化层步骤，能在较低的温度和压力下得到致密的键合层，且制备工艺简单，无需复杂的设备，成本低，具有极大的应用价值。
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