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公开(公告)号：CN106816495A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611183846.9
申请日：2016-12-20
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/08 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/184 , H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/1864
摘要： 本发明涉及一种砷化镓光导开关的制备方法，包括以下步骤：(1)清洗砷化镓表面；(2)在砷化镓表面涂覆一层光刻胶；(3)加热固化光刻胶；(4)冷却后进行曝光，接着进行曝光后显影前的烘烤；(5)冷却后进行显影，剥离需要镀膜位置的光刻胶；(6)镀膜作为电极；(7)进行解胶处理，去掉掩膜位置的光刻胶；(8)用划片机划取所需尺寸的晶片；(9)清洗后在快速退火炉中进行去应力退火处理。本发明通过半导体光刻技术制备电极，减少电极边缘阴影和毛刺，缓解电场增强效应，在不改变原料和其它工艺条件下提高砷化镓光导开关工作耐压性能。通过快速退火工艺，提高电极与砷化镓结合力，消除异质界面缺陷，从而提高砷化镓光导开关的性能。
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公开(公告)号：CN106783854A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611081228.3
申请日：2016-11-30
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L27/105
CPC分类号： H01L27/105
摘要： 本发明涉及一种黑磷烯薄膜存储器及其制备方法。黑磷烯薄膜存储器的制备方法包括如下步骤：(1)清洗衬底；(2)在衬底上形成底电极；(3)在底电极上形成黑磷烯薄膜层；(4)通过构图工艺在黑磷烯薄膜层上形成顶电极的图形；(5)在黑磷烯薄膜层上形成顶电极，得到存储器单元；(6)通过构图工艺在存储器单元上侧形成披覆层的图形；(7)最后形成披覆层，使其包覆顶电极覆盖之外的黑磷烯薄膜层，得到所述存储器。该黑磷烯薄膜存储器具有转变速度快、读写电压稳定的优点。
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公开(公告)号：CN106571424A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610965731.9
申请日：2016-11-04
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L45/00 , H01L23/552
摘要： 本发明公开了属于微电子技术领域的一种抗电磁干扰的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器为三明治结构，由三层薄膜构成，包括底电极层、阻变功能层和顶电极层，所述底电极和顶电极层是电磁屏蔽材料Ti3C2ene薄膜，所述阻变功能层为氧化物材料。本发明还公开了抗电磁干扰的阻变存储器的制备方法。本发明选择导电、高效屏蔽电磁、廉价易得的Ti3C2ene薄膜作为电极材料，制备的阻变存储器具有轻量化、高强度、工艺简单多个优点，满足对于便携式、可穿戴电子器件的需求。
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公开(公告)号：CN104745864B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310737366.2
申请日：2013-12-26
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明提供一种钛基吸气剂的制备工艺，直接采用TiHx或钛合金的氢化物为原料，将其与所需添加的元素进行混合成形，然后将成形的坯材放入真空脱氢烧结一体炉中进行脱氢和烧结处理，制成不同形状的吸气元件或吸气材料。本发明采用TiHx或钛合金的氢化物作为原材料制备钛基吸气剂，TiHx或钛合金的氢化物在制备过程中化学性能稳定，与其他元素添加剂易成形，成形温度低，节能，不易污染，储存方便。含TiHx或钛合金的氢化物的生坯在真空脱氢的过程后新生成的Ti和吸气合金粉活性大。采用本发明的工艺方法制备的钛基吸气元件性能优于传统工艺制备的产品，表面积大于1.1m2/g，孔隙度大于50％，其产品具有激活温度低、吸气速率高、吸气容量大等特性。
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公开(公告)号：CN105780068A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410782121.6
申请日：2014-12-16
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种单脉冲电沉积Ni-Fe合金磁性镀层的方法，在含有镍离子和铁离子的电镀液中，以可溶性镍铁合金为阳极，以经表面处理的铝合金为阴极，采用单脉冲电沉积法制备Ni-Fe合金镀层；其中，电沉积时间为1-4h，脉冲电流密度为3A/dm2，占空比分别为0.2、0.3、0.4或1，周期为1ms。该方法制得的Ni-Fe合金镀层表面光洁，结构紧密，结晶细致、均匀，平整性好，无裂纹，得到Fe含量稳定的Ni-Fe合金镀层，通过调整脉冲电镀参数，得到具有磁性能较好的磁性镀层，并在静磁场中具有一定的磁屏蔽效能。
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公开(公告)号：CN105526135A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510896539.4
申请日：2015-12-08
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： F04B43/04
CPC分类号： F04B43/0027 , F04B43/043
摘要： 本发明公开了属于微流控技术领域的一种反向低驱动电压双侧泵膜无阀静电微泵及其制备方法。所述的静电微泵是以泵腔为对称轴的为上下对称结构，泵腔的上下两侧分别为驱动单元，左右两端分别为入口和出口；驱动单元由外至内依次为固定电极、绝缘层、隔离层和泵膜，隔离层内部为不连续结构以形成驱动单元空腔，保证泵膜的振动空间；加在固定电极上的反向驱动电压的频率与泵膜的固有频率的偏离度为0-10％，以获得共振效应，使泵膜的振幅加大。所述的静电微泵在微泵结构固定的情况下，显著降低了所需静电微泵的驱动电压，能以较低的驱动电压获得较大的泵出量，提高微泵工作效率。
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公开(公告)号：CN105499583A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510946812.X
申请日：2015-12-16
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： B22F3/20
CPC分类号： B22F3/20
摘要： 本发明公开了属于复合材料制备技术领域的一种B4C/Al复合材料板材的制备方法。所述制备方法的步骤为：原料粉末的混合、制备挤压初坯、板材挤压成型。用该方法制备的B4C/Al复合材料板材可以大幅度减少加工工序，提高原料利用率，降低生产成本。制备的B4C/Al复合材料板材具备较好的致密度，且力学性能和热中子吸收性能优良；抗拉强度可达280MPa，5mm厚的复合材料板材的热中子吸收率达90％以上。
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公开(公告)号：CN105401001A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510780175.3
申请日：2015-11-13
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明特别涉及一种粉末冶金法制备钨颗粒增强铝基复合材料的工艺方法。该工艺方法过程包括：钨粉经过乙醇湿磨分散处理，真空干燥后与一定比例铝粉混合；经过除气、热等静压烧结以及机加工等工序，即可制得钨颗粒增强铝基复合材料。本发明通过对钨粉的表面预处理，使钨粉由团聚的链状变成单分散的颗粒状，提高了钨粉在复合材料内部的分散性和烧结活性，复合材料具有增强相分布均匀、致密度高、力学性能好等优点，采用粉末冶金的制备方法，工艺路线简单，制备周期短，成本低，可实现大规模的工业应用生产。
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公开(公告)号：CN102486655B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010580804.5
申请日：2010-12-03
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： G05D11/16 , C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 一种用于吸收高频腔高次模的铁氧体吸收器及其制备方法。采用的材料体系为Ni-Zn-Co尖晶石(S)型铁氧体，其分子化学式为：NixZn1-x-yCoyFe2O4，其中x为0.40～0.80，y为0.04～0.20。采用粉末固态反应法或管道式合成化学共沉淀法进行铁氧体粉体的批量制备。采用常规压制—烧结法制备铁氧体筒状坯体。采用精磨和切割工艺加工铁氧体块材。采用丝网印刷银浆及其后续烧渗工艺金属化银层。采用片状Sn-Ag合金焊料将铁氧体块材与高频腔腔体进行焊接。本发明实现铁氧体吸收器在470MHZ～1090MHz频段的吸波性能。同时，选用较低的焊接温度，避免了由于钎焊温度过高以及还原性气氛引起的铁氧体化学计量成分的变化，可有效防止铁氧体在焊接过程中性能的恶化。将该铁氧体吸收器应用于粒子加速器的高频腔中可深度抑制高次模场，提高腔中束流的稳定性。
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公开(公告)号：CN101734907B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910242480.1
申请日：2009-12-16
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/04 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种过渡族元素掺杂的钛酸锶钡基复合陶瓷，其组成包括40wt％的xM-Ba0.6Sr0.4TiO3和60wt％的MgO，其中M为过渡金属，x为过渡金属M与Ba0.6Sr0.4TiO3的摩尔比，取值范围为0.25％～1.25％。由于过渡族元素的掺杂，提高了M-Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO复合陶瓷的压控可调率，大幅度降低了微波介电损耗，同时陶瓷块体的击穿场强均大于28kV/mm，完全可以满足微波介质材料的使用要求。
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