公开(公告)号：CN108807553A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810634014.7

申请日：2018-06-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  贾润东 ,  黄芊芊 ,  王慧敏 ,  陈亮 ,  陈诚 ,  赵阳

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料的同质PN结及其制备方法。两种功函数不同的半导体材料垂直堆叠时，电子会从费米能级较高的二维半导体材料向费米能级较低的材料进行转移，从而对费米能级较低的半导体材料产生N型掺杂，对费米能级较高的半导体材料产生P型掺杂。本发明利用这种掺杂方法在二维半导体材料中形成同质的突变PN结，同时不会在禁带中引入带尾，对于电子器件应用具有十分重要的意义；且该掺杂方法不存在由于离子碰撞产生的晶格损伤，同时稳定性大幅提升，制备工艺简单，易于推广到大规模生产。

公开(公告)号：CN102881333B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210359883.6

申请日：2012-09-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  张耀凯 ,  蔡一茂 ,  陈诚

IPC: G11C19/28

Abstract: 本发明实施例公开了移位寄存器电路和芯片，该电路包括：阻变忆阻器方阵和电流敏感模块；阻变忆阻器方阵中同一列阻变忆阻器的正相输入端相连接，以使同一列阻变忆阻器的正相输入端作为信号输入端口；阻变忆阻器方阵中同一行阻变忆阻器的反相输入端与一个电流敏感模块的输入端相连接，以使电流敏感模块的输出端作为信号输出端口；电流敏感模块的输入端工作时连接到低电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流大于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出高电平，电流敏感模块的输入端接收到的电流小于阈值电流时，电流敏感模块的输出端输出低电平。本发明实施例中，在节省移位寄存器电路所占面积的同时，实现了移位寄存器电路可编程的性能。

公开(公告)号：CN102638030B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210119083.7

申请日：2012-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  叶乐 ,  张耀凯 ,  陈诚 ,  蔡一茂

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器为双极阻变忆阻器；电阻和阻变忆阻器与运算放大器的连接为同相电压保护电路或者为反相电压保护电路。本发明利用加在阻变忆阻器两端的电压超过发生阻变的阈值时，阻变忆阻器的阻值变小的特性，通过在电阻与运算放大器的输出端之间连接阻变忆阻器，使得当输入电压变大时，输出电压不会过高，从而以起到保护元件的作用。本发明的电压保护电路，可调范围宽，电路稳定，好控制，而且电路简单。

公开(公告)号：CN102663497B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201210097673.4

申请日：2012-04-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  蔡一茂 ,  潘越 ,  谭胜虎 ,  张耀凯 ,  陈诚 ,  黄英龙 ,  唐昱

IPC: G06N3/06

Abstract: 本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条支路具有不同的结构，随着阻变忆阻器的数目、极性的连接方向以及串并联方式的不同而形成具有与特定电压相应的一种自路由单元电路。本发明的电路能够自动地选择向后神经元传递信号，并且电路简单、结构小以及便于大规模集成；而且为非挥发电路，一旦设定，在条件不变的情况下，不需重新设定。

公开(公告)号：CN102683586B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201210104120.7

申请日：2012-04-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  张耀凯 ,  陈诚 ,  潘越 ,  蔡一茂 ,  谭胜虎 ,  唐昱 ,  黄英龙 ,  毛俊 ,  白文亮

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口ln2至lnn串联在一起并连接至设置电路，并由端口ln1和lnn+1连接至设置电路或者计算电路，其中n为自然数，且n≥2。本发明通过端口将两个以上的阻变存储器串联起来，实现了可变的多值存储的阻变存储器。本发明的多值阻变存储器，能够稳定控制，且可重复性好，而且可以实现等差的多值存储的阻变存储器。

公开(公告)号：CN101771115B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200910076039.0

申请日：2009-01-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 齐胜利 ,  陈志忠 ,  孙永健 ,  张国义 ,  郝茂盛 ,  潘尧波 ,  邓俊静 ,  颜建锋 ,  朱广敏 ,  陈诚 ,  李士涛

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法，先用盐酸溶液浸泡去除金属镓，然后依次进行反应气氛为氮气或惰性气体的ICP预处理，反应气氛为氯气、四氯化硅和氩气的ICP处理，以及反应气氛为氧气和三氟甲烷的ICP后处理。该方法用于激光剥离后的薄膜倒装结构、垂直注入结构和自支撑垂直结构GaN发光二极管的N面处理，克服了湿法腐蚀及化学机械抛光方法的不足，适合于大规模生产而且不产生副作用，解决了未处理表面降低出光效率的问题。

公开(公告)号：CN101552312A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910051058.8

申请日：2009-05-12

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 张楠 ,  朱广敏 ,  郝茂盛 ,  张国义 ,  陈志忠 ,  齐胜利 ,  田鹏飞 ,  李士涛 ,  袁根如 ,  陈诚

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片制作方法，该方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长N型氮化物层、P型氮化物层以及介于N型氮化物层和P型氮化物层之间的多量子阱层获得发光二极管晶片；(2)利用激光辐照技术对发光二极管晶片进行正面划片直至划入衬底；(3)通过刻蚀工艺对步骤(2)中的发光二极管晶片进行刻蚀并制作N电极，P电极；(4)对步骤(3)中发光二极管晶片进行背面研磨减薄、裂片，得到发光二极管芯片。正面划片在制作N、P电极之前进行，利用制作N、P电极中的刻蚀工艺将激光辐照切割过程中形成的融化层，以及沉积在发光二极管晶片侧面和表面电极上的残渣沉积移除，优化了芯片的光电参数和发光二极管芯片的成品率。