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公开(公告)号：CN103884605A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410119092.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明涉及一种利用表面断裂强度检测刻蚀表面质量的方法及装置。该方法采用包含刻蚀表面的等强度梁，利用探针台探针对所述等强度梁的刻蚀表面施加位移负载，直至所述等强度梁断裂；然后测量所述等强度梁断裂时刻蚀表面受到的应力，得到表面断裂强度，利用该断裂强度判定刻蚀表面的质量。该装置包括等强度梁和片上多功能针头；所述片上多功能针头包括针尖，支撑针尖的弹性结构，以及测量所述针尖的位移的测力标尺。本发明从断裂强度角度去检测和评价表面质量，能够反映刻蚀表面的粗糙、微裂纹水平，对器件性能、可靠性具有更高的参考价值，操作简单，通用性强。
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公开(公告)号：CN102980695A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210500895.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面光刻定义P型重掺杂的引线接触区，进行离子注入和高温热退火；在基片正面光刻定义槽的形状并刻蚀四边形槽；通过P型离子注入轻掺杂进行侧壁上压敏电阻的掺杂，并进行高温热退火；制作引线孔和金属引线；划片。本发明不含应变膜，能够降低传感器的芯片尺寸，显著增加传感器的抗过载能力，提高了工艺的可靠性与器件的成品率。
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公开(公告)号：CN102963859A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210451765.8
申请日：2012-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试结果的可靠性。利用该结构制备MEMS器件的方法可与常用的牺牲层工艺兼容，可同时完成，实现工艺的在线监控。本发明可以通过肉眼观测的方式，非接触非破坏地确定牺牲层腐蚀时间，能够提高MEMS工艺质量和成品率，并大大缩短工艺时间。
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公开(公告)号：CN101922008B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN101540292B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙的应力测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN101922008A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010232641.1
申请日：2010-07-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法，属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀，所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽，位于腐蚀凹槽底面的腐蚀面，和位于腐蚀凹槽侧面的监控面，所述腐蚀面和监控面的晶向相同，所述腐蚀凹槽中盛放腐蚀液，腐蚀液浸没所述腐蚀面，所述监控面，以及所述监控面和所述表面相交的监控线，在腐蚀过程中或腐蚀过程后，通过所述监控线的位移确定所述腐蚀深度。本发明可用于微电子机械系统加工工艺。
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公开(公告)号：CN100594622C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810105938.4
申请日：2008-05-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/115 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶；N区优选通过TMAH腐蚀法形成，其外形呈倒圆台状，侧面和底面的夹角为54.74°；P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测，核物理，医学检测和环境监测等领域。
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公开(公告)号：CN101540292A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910081512.4
申请日：2009-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66 , G01L1/06 , H01L29/772
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管侧墙应力的测试方法，属于场效应晶体管制备技术领域。该方法包括：在衬底上制备台阶，形成栅结构；在栅结构上制备氮化硅或氧化硅，各向异性刻蚀形成侧墙结构；定义释放区域，释放侧墙，形成纳米梁结构；利用纳米梁结构的材料杨氏模量、材料波松比和厚度，通过测得纳米梁的弯曲曲率半径、弯曲前的长度和弯曲后的长度，分别得到释放前纳米梁中轴应力和纳米梁释放前沿厚度方向的应力梯度，从而得到侧墙的应力。本发明解决了应变硅器件研究中侧墙结构应力无法测到的问题，有利于提高集成电路设计能力。
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公开(公告)号：CN1891617A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510012079.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种在感应耦合等离子体(ICP)刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ICP干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上PECVD淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表面的氧化硅，再ICP刻蚀剩余未穿通部分的硅，释放硅结构，使硅结构的侧壁形成保护层。本发明保证了刻蚀结构的完整性，使MEMS或NEMS器件具有实际提高工艺结果质量的作用。
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