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公开(公告)号：CN119764242A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411960289.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京石墨烯研究院 , 北京大学 , 北京石墨烯研究院有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶圆的转移封装方法及封装结构。所述转移封装方法包括：在直接生长于基底上的石墨烯晶圆表面沉积氧化铝作为转移封装层，在所述转移封装层上旋涂高分子聚合物粘合胶，再贴合支撑层；将支撑层/转移封装层/石墨烯晶圆与所述基底分离；将支撑层/转移封装层/石墨烯晶圆复合结构贴合至目标衬底；热处理使所述支撑层与所述转移封装层分离。本发明的转移封装方法采用氧化铝作为转移封装层，既避免石墨烯晶圆在转移过程中的掺杂和污染，又可以保护石墨烯晶圆转移后不受环境中水氧掺杂，减小衬底带电杂质等对石墨烯晶圆载流子的散射作用同时氧化铝为石墨烯晶圆提供支撑解决了石墨烯晶圆在表面有悬空结构的不平整衬底上直接转移的问题。
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公开(公告)号：CN114804079B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110073600.0
申请日：2021-01-20
IPC: C01B32/182 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层，得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；除去所述金属基底，得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体；将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；以及用有机溶剂除去所述辅助转移层；其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜，由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂，可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留，因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜，褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。
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公开(公告)号：CN117049525A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210487750.0
申请日：2022-05-06
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种将金属铜箔表面生长的高品质石墨烯薄膜无损洁净地转移至多种功能衬底的普适性方法。该方法无需使用丙酮等有机溶剂去除转移媒介，实现石墨烯薄膜的高效洁净的无损转移。该方法通过调控石墨烯与目标衬底间的界面结合力，使转移媒介层与石墨烯薄膜的结合力小于转移媒介层与剥离膜之间的结合力，实现从石墨烯薄膜表面直接剥离转移媒介层。无需丙酮等有机试剂的参与，即可成功实现石墨烯薄膜的无损洁净转移。该方法获得的石墨烯薄膜完整度高达99％，洁净度高，且整个转移过程无需使用有机溶液，工艺简单、环保，有望用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN117048134A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210494886.4
申请日：2022-05-07
IPC: B32B9/00 , B32B9/04 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B27/08 , B32B7/12 , B32B37/12 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B38/16 , B32B37/06 , B65D65/40 , C09J169/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯复合薄膜材料及其制备方法，所述石墨烯复合薄膜材料为：在一种高分子透明复合膜上设有至少一层石墨烯，所述高分子透明复合膜由高分子衬底和聚合物胶层两层结构组成；所述高分子透明复合膜与石墨烯层之间通过粘合剂相连；若复合膜上有多层石墨烯，则相邻石墨烯层间直接相连，不需任何粘合剂。本发明制备的石墨烯复合薄膜突破了以往高分子材料对于水蒸气和氧气阻隔性能的局限，同时具有出色的透光性和柔韧性，能够满足OLED器件封装，医药、食品包装等应用需求。
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公开(公告)号：CN107500276B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710845504.7
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种利用醋酸铜制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：按照气路由上游至下游的方向，依次间隔放置醋酸铜和铜基底，通入氢气进行化学气相沉积，沉积完毕得到所述超洁净石墨烯；所述醋酸铜所处温区的温度为醋酸铜的挥发温度。该制备方法简单，原料易得，石墨烯洁净度优于甲烷生长得到的结果，可以得到超洁净、高质量的单层石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107782709B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610719183.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法。该方法包括：将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和12C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其中，所述石墨烯的生长步骤中，以脉冲形式通入13C碳源气体。该方法在不改变原气流的基础上引入同位素脉冲，操作简便，耗费同位素气体少，对石墨烯生长影响小，能低成本准确地还原石墨烯生长过程，标定石墨烯单晶生长速度，间接评定工业级石墨烯生长的能耗。
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公开(公告)号：CN106769287B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611079512.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯单晶支撑膜载网实现高效率液体封装的方法。该方法包括：将两片分别生长在不同生长基底上的石墨烯均由生长基底转移至透射基底上后，滴加待封装液体至其中一片石墨烯的表面后，在其上覆盖另一片石墨烯，完成封装，得到大量可供透射电镜下原位表征的液泡。该方法工艺简单，可重复性高，可重复性高，可控性强，兼容性强，可在短时间内在几毫米尺寸的样品上制备数千个被石墨烯封装保护的液体池，供透射电镜下原位表征，大大提高了从原子尺度研究反应机理的可能。
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公开(公告)号：CN108732187A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710260012.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积石墨烯洁净度的快速评估方法。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：采用四氯化钛熏蒸的方式在石墨烯样品上沉积二氧化钛纳米颗粒；根据所述二氧化钛纳米颗粒的沉积情形，即实现对石墨烯样品洁净度的评估；所述熏蒸的条件如下：温度为0～30℃；湿度为10～70％；时间为5s～600s；将所述石墨烯样品置于四氯化钛的上方。与现有技术相比，本发明的有益效果在于：成本低廉、操作方便，且可实现对样品洁净度的大面快速表征。
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公开(公告)号：CN108070903A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611203602.2
申请日：2016-12-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种对衬底加电调控薄膜材料生长的装置。该装置为在现有的化学气相沉积反应装置的基础上增加衬底通电系统；所述衬底通电系统包括导电线路、金属极板、插头和电源；所述金属极板位于CVD反应腔内；所述插头和电源位于CVD反应腔外；所述金属极板通过所述导电线路与所述插头和电源相连。利用该装置可对导电衬底加正负静电荷或电流，对绝缘衬底进行极化从而在其表面可控地产生静电荷，从而达到调控任意生长衬底的电势、吸附性、电子能态和催化活性。利用该装置及生长方法，可以在薄膜材料制备过程中方便地控制其单晶大小、均匀度、掺杂浓度、层数、层间堆垛方式及扭转角度、手性、洁净度等。
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公开(公告)号：CN105386124B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510931329.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯单晶及其快速生长方法。该方法包括：将退火后的铜箔进行一次钝化，再在恒定温度的条件下，依次进行一次生长、二次钝化、二次生长，再降温至室温停止生长，得到沉积在铜箔上的所述石墨烯单晶；其中，所述一次生长和二次生长步骤中，生长气氛均由还原性气体和碳源气体组成；且所述二次生长步骤中，碳源气体在所述生长气氛中的分压高于所述一次生长步骤中碳源气体的分压。该方法工艺简单，可大规模生产，单晶畴区尺寸达到亚厘米级，单晶质量高，能适用于电子学上的应用。
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