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公开(公告)号：CN110883017B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811051425.X
申请日：2018-09-10
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种静态清洁石墨烯表面的方法，包括：将活性炭复合物覆盖在石墨烯的表面；沿着垂直于所述表面的方向，对所述活性炭复合物施加压力，以使所述活性炭复合物粘附所述表面的污染物。本发明还提供实现上述方法的装置。本发明的方法和装置能够使活性炭复合物与石墨烯的表面进行充分的静态接触，通过活性炭复合物的吸附性去除石墨烯表面的污染物，从而实现对石墨烯的洁净处理，提升石墨烯的洁净度，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN108726510B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710260014.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186 , G01N23/22 , G01Q60/24
Abstract: 本发明公开了一种大面积超洁净石墨烯及其宏量制备方法与其洁净度的快速评估方法。所述超洁净石墨烯的宏量制备方法包括采用化学气相沉积的步骤；在生长基底的上方设置泡沫铜。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：在石墨烯样品上沉积纳米颗粒；根据所述纳米颗粒的沉积情况，即实现对所述石墨烯样品洁净度的评估。通过泡沫铜的引入，可以得到连续面积在微米级别的超洁净石墨烯，有效地减少了生长过程中引入的无定型吸附物。亚厘米级单晶石墨烯(即单个畴区)经过进一步生长可以拼接为单层石墨烯薄膜，此时单层石墨烯薄膜样品面积只与铜箔大小有关，从而能够实现大面积制备，可推广至大规模生产。
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公开(公告)号：CN108039403B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201711315655.8
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜的批量化制备方法。该方法包括：以含有Bi元素和Se元素的化合物为原料，以单晶晶圆为生长基底，进行化学气相沉积，得到所述Bi2O2Se薄膜。本发明利用外延面对称性一致的共格外延方式生长取向一致的单晶Bi2O2Se，通过延长生长时间，制备得到了由取向一致的单晶Bi2O2Se晶粒拼接而成的连续单晶薄膜。该方法工艺流程简单，操作容易，成本低，薄膜尺寸大，并可有望应用于晶圆级Bi2O2Se单晶薄膜的批量化生产；为Bi2O2Se半导体薄膜在光电探测器或场效应晶体管等领域的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN109545986B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811166401.9
申请日：2018-10-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种超净界面异质结的制备方法及应用，所述异质结的制备方法包括如下步骤：首先利用化学气相沉积法生长大面积单晶石墨烯膜，然后利用非聚合物辅助的清洁转移方法制备透射电子显微镜网格上的悬浮石墨烯，最后使用一步溶液法在清洁的石墨烯表面上直接合成厚度为5‑100nm的钙钛矿单晶，完成超净界面异质结材料的制备。该方法完全避免了转移过程中的聚合物污染，异质结电子耦合非常好，界面非常干净。同时，根据进一步的表征验证，在超净的界面下，石墨烯作为二维电极及受体材料可实现超快、高效率的载流子收集，此方法得到的异质结具有高达98％的光电流转换效率，并且光生载流子的收集时间尺度为百飞秒量级。
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公开(公告)号：CN110195251A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910598448.0
申请日：2019-07-04
Abstract: 本发明提供单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将铜箔置于氧化性气体氛围中进行预氧化处理，使铜箔表面完全氧化；将表面完全氧化的铜箔置于还原性气体氛围中进行还原处理，得单晶铜箔。所得的单晶铜箔可以直接作为石墨烯生长基底，实现石墨烯的生长，避免了多次操作铜箔引起的褶皱问题，以提高石墨烯性能；也可以专门用于铜箔基底的预处理以大批量制备单晶铜基底，以应用于其他场合。本发明的方法还可实现快速批量、低成本、大面积的铜箔表面预处理，具有良好的工业化前景。
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公开(公告)号：CN109422260A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710761253.4
申请日：2017-08-30
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/196 , C01B32/30
Abstract: 本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如下步骤进行：利用化学气相沉积法制备石墨烯；利用所述活性炭复合物粘附所述石墨烯上的污染物，即得到超洁净石墨烯。本发明提供的多孔的活性炭复合物能够将石墨烯表面原子级厚度的污染物清除干净，使得石墨烯的洁净度达到98％及以上；从而降低石墨烯表面电子、声子散射，提高石墨烯的迁移率、热导率，降低石墨烯与金属电极之间的接触电阻，对于石墨烯的电子器件、光电子器件和散热器件的性质提高极有帮助。
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公开(公告)号：CN106435727B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201611019356.5
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯洁净转移制备高完整度悬空石墨烯薄膜的方法。该方法包括：将生长在生长基底上的二维材料与目标透射基底用低表面张力有机溶剂进行热压印后，刻蚀去除所述生长基底，再用置换液置换所述刻蚀步骤所用刻蚀液，完成所述二维材料由所述生长基底至所述目标透射基底的转移；所述用置换液置换步骤包括如下步骤：先用水，再用由低表面张力有机溶剂和水组成的混合溶液进行置换。该方法工艺简单，可重复性高，兼容性强，可大规模生产，可转移石墨烯单个畴区尺寸从几十微米到亚厘米级均可从，单层石墨烯完整度高90％，少层石墨烯无破损。
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公开(公告)号：CN108550788A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810391288.8
申请日：2018-04-27
IPC: H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/66 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供正极集流体、电池正极极片及锂离子电池，该正极集流体包括石墨烯复合铝箔材料层，其中所述石墨烯复合铝箔材料层包括：铝箔基底；平面石墨烯层，所述平面石墨烯层平行位于所述铝箔基底上；垂直石墨烯层，所述垂直石墨烯层垂直位于所述平面石墨烯层上。本发明利用具有垂直石墨烯层的石墨烯复合铝箔作为锂离子电池正极集流体，用以增强锂离子电池正极极片剥离强度。与普通铝箔集流体相比，电极材料的剥离强度大幅度提高，有利于提高电极极片制作加工的成品率以及锂离子电池的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN108517513A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810391763.1
申请日：2018-04-27
IPC: C23C16/513 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种石墨烯复合铝箔，包括：铝箔基底；平面石墨烯层，所述平面石墨烯层平行位于所述铝箔基底上；垂直石墨烯层，所述垂直石墨烯层垂直位于所述平面石墨烯层上。本发明的制备方法充分发挥了等离子体增强化学气相沉积方法的优势，在较低温度下制备高质量的具有特殊形貌石墨烯复合的铝箔，且石墨烯与铝箔之间紧密贴合，形成的界面质量高。
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