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公开(公告)号：CN110581201A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910479333.X
申请日：2019-06-04
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明的目的在于提供使光提取效率提升的通过SiO2层等的介电质膜接合窗层兼支承基板并除去起始基板而制造的类型的发光组件及其制造方法。本发明的发光组件，包括窗层兼支承基板及发光部，发光部依序包含设置在窗层兼支承基板上的第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，发光组件包含：除去部，至少除去第一半导体层及活性层；非除去部，为除去部以外；第一奥姆电极，设置在非除去部；以及第二奥姆电极，设置在除去部，其中窗层兼支承基板与发光部通过介电质膜而相接合，发光部与介电质膜之间具有反射防止层。
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公开(公告)号：CN107112389B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201580069819.6
申请日：2015-12-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L33/30 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。
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公开(公告)号：CN119366281A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046083.5
申请日：2023-06-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H10F30/20 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种受光元件的制造方法，其能够只对析出在晶圆表面的磷析出物进行选择性蚀刻。本发明的受光元件的制造方法，其使用外延晶圆，该外延晶圆是使InP缓冲层、InGaAs光吸收层、InP盖层生长在InP基板上而成，并且，该制造方法包括：在InP盖层上形成InGaAs接触层的工序；通过光刻法将InGaAs接触层的一部分去除而形成InGaAs接触部的工序；以将InP盖层及InGaAs接触部包覆的方式形成保护膜的工序；在保护膜的一部分形成开口图案部的工序；在含磷气体环境中使杂质扩散至开口图案部的工序；使用强碱性水溶液，将在所述使杂质扩散的工序中附着在表面的磷析出物选择性地去除的工序；以及于InGaAs接触部及InP基板背面形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN119325643A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202380044584.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L21/66 , B23K26/00 , B23K26/57 , H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明为接合型发光元件晶圆的制造方法，通过粘合剂将要成为微LED的发光元件结构与被接合基板加以接合，该方法包含以下步骤：通过粘合剂将发光元件结构与被接合基板加以接合，以获得接合晶圆；以光学方式检查接合晶圆的不良部位，制作去除用地图数据；以及，基于去除用地图数据，针对接合晶圆的所述不良部位，自被接合基板侧入射去除用激光，使粘合剂中的被包含于不良部位中的部分吸收去除用激光，使粘合剂中的被包含于不良部位中的部分升华，由此去除发光元件结构中的被包含于不良部位中的部位，以获得接合型发光元件晶圆。由此，能够提供一种接合型发光元件晶圆的制造方法，能够选择性去除发光元件结构的不良部位，以制造接合型发光元件晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119032430A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380036487.6
申请日：2023-04-20
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
IPC: H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种制造多个发光元件的发光元件的制造方法，其具有使包含发光层的外延层在起始基板上生长的工序、及在该发光层上形成用以形成元件的隔离沟槽的工序，将所要制造的所述多个发光元件各自的俯视形状设为具有对称轴的线对称的六边形，该六边形具有与所述对称轴平行的2条边，该平行的2条边的长度比其他4条边长，所述对称轴通过的2个顶角为90°以上且小于180°，通过规定宽度的所述隔离沟槽隔离所要制造的所述多个发光元件，并以所述多个发光元件隔着所述隔离沟槽无间隙地配置的方式形成所述隔离沟槽。由此，提供一种不会使移动、安装时的良率下降，从而使每片晶圆的元件的收率升高的发光元件及发光元件的制造方法。
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公开(公告)号：CN113692651B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080026889.4
申请日：2020-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0735 , H01L21/02 , H01L27/142
Abstract: 本发明提供一种电子器件的制造方法，其制造具有包含太阳电池结构的驱动电路的电子器件，其特征在于，包含以下工序：将具有在初始基板上通过磊晶生长而形成且由化合物半导体构成的多个独立的太阳电池结构的第一晶圆、与形成有多个独立的驱动电路的第二晶圆进行接合而形成接合晶圆，使得所述多个太阳电池结构与所述多个驱动电路分别互相重合；进行配线，使得在所述接合晶圆中能够从所述多个太阳电池结构分别向所述多个驱动电路供给电力；以及切割所述接合晶圆，从而制造具有包含所述太阳电池结构的驱动电路的电子器件。由此，本发明提供一种电子器件的制造方法，该方法在一个芯片上具备驱动电路与太阳电池结构，并且抑制制造成本。
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公开(公告)号：CN118476042A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280087771.1
申请日：2022-12-09
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明涉及一种具有微型LED结构体的晶圆，其特征在于，其具有：起始基板、形成在所述起始基板上并具有包含开口部的掩模图案的掩模、及选择性地生长在所述起始基板的与所述掩模图案的所述开口部相对应的部分上的多个外延层结构体，其中，所述多个外延层结构体各自为被{111}面包围的棱锥状或棱锥台状的形状，所述多个外延层结构体包含作为发光元件部的第一结构体及与所述第一结构体连接的第二结构体，所述第一结构体及所述第二结构体各自具有不同极性的电极且构成可作为1个微型LED进行工作的微型LED结构体。由此能够提供一种具有可抑制发生亮度下降的微型LED结构体的晶圆。
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公开(公告)号：CN118339663A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280079912.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，其具有以下工序：使蚀刻停止层在起始基板上生长的工序；通过使具有化合物半导体功能层的外延层在所述蚀刻停止层上生长从而制作外延片的工序；利用干式蚀刻法，在所述化合物半导体功能层形成用以形成元件的隔离沟槽的工序；通过对所述外延层的与所述起始基板为相反侧的表面进行粗化蚀刻，由此使表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.1μm以上的工序；经由可见光透射性热固性接合材料，将可见光透射性基板和所述外延片的与所述起始基板相反的表面接合的工序；及将所述起始基板去除的工序。由此，提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，该接合型半导体晶圆在于基板上制作微型LED器件时，能够制成一种亮度下降的产生得到抑制的微型LED。
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公开(公告)号：CN118176594A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280069134.1
申请日：2022-10-13
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明为一种接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下工序：使蚀刻停止层在起始基板上外延生长的工序；使化合物半导体功能层在蚀刻停止层上外延生长的工序；利用干式蚀刻法于所述化合物半导体功能层形成用于形成元件的隔离槽的工序；利用湿式蚀刻法对所述隔离槽的表面进行蚀刻的工序；经由可见光透射性热固性接合材料，将材料与所述化合物半导体功能层不同的可见光透射性基板与所述化合物半导体功能层接合的工序；及将所述起始基板从与所述可见光透射性基板接合后的所述化合物半导体功能层上去除，得到接合型半导体晶圆的工序。由此，能够提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，该制造方法在基板上制作元件时，能够制成亮度下降的发生得到抑制的元件。
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