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公开(公告)号：CN118507340A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410163477.5
申请日：2024-02-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/3105 , G03F7/004 , H01L21/311 , H01L21/32 , G03F7/00 , G03F7/11
Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供不会对基板造成损伤而能简便且有效率地形成微细的图案的图案形成方法。一种图案形成方法，于被加工基板上形成有机下层膜、含锡中间膜及上层抗蚀剂膜，形成上层抗蚀剂图案，将上层抗蚀剂图案转印于含锡中间膜，形成含锡中间膜的一部分残留于图案的上部的有机下层膜图案，将含锡中间膜的一部分以干蚀刻除去，以覆盖有机下层膜图案的方式，形成无机含硅膜，使有机下层膜图案的上部露出，将有机下层膜图案除去，来形成图案节距为上层抗蚀剂图案的1/2的无机含硅膜图案，将无机含硅膜图案作为掩膜使用来加工被加工基板，而于被加工基板形成图案。
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公开(公告)号：CN118496262A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410168199.2
申请日：2024-02-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、图案形成方法。本发明提供含金属的膜形成用化合物，提供具有优良干蚀刻耐性且兼顾高填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用组成物。一种下列通式(M)表示的含金属的膜形成用化合物。Tn‑Sn‑Qm(M)T为下列通式(1)表示的单元。Q表示有取代或无取代的碳数1～20的烷基、有取代或无取代的3～20的环烷基、含有1个以上的双键或三键的有取代或无取代的碳数2～20的脂肪族不饱和有机基团、有取代或无取代的碳数6～30的芳基、有取代或无取代的碳数7～31的芳基烷基或它们的组合，#imgabs0#通式(1)中，RA为因酸及热中的任一者或两者的作用导致保护基团脱离而产生1个以上的羟基或羧基的有机基团。
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公开(公告)号：CN117700444A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311168766.6
申请日：2023-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物和组成物、图案形成方法及半导体光致抗蚀剂材料。本发明提供对比于已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、将该组成物使用于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、将前述组成物使用于抗蚀剂材料的图案形成方法、使用了前述组成物的半导体光致抗蚀剂材料。一种含金属的膜形成用化合物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述含金属的膜形成用化合物以下列通式(M‑1)或(M‑2)表示。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117590684A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311025664.9
申请日：2023-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及图案形成方法，其在半导体装置制造步骤中的微细图案化处理中可以获得良好的图案形状，使用了与抗蚀剂上层膜具有高密合性并防止微细图案崩塌的密合膜。所述方法使用含有(A)高分子化合物、(B)热酸产生剂及(C)有机溶剂的密合膜形成用组成物并具有下列步骤：(I‑1)于被加工基板上涂布前述密合膜形成用组成物后，利用热处理以形成密合膜，(I‑2)在前述密合膜上使用抗蚀剂上层膜形成用组成物形成抗蚀剂上层膜，(I‑3)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影，而在前述抗蚀剂上层膜上形成电路图案，(I‑4)将前述已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，以干蚀刻将图案转印在前述密合膜和前述被加工基板。
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公开(公告)号：CN109956853B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201811592498.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 群荣化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种二羟基萘的提纯方法，该方法能够抑制软颗粒的产生，得到作为过滤性良好的树脂、组合物的原料的二羟基萘。所述二羟基萘的提纯方法具有通过吸附剂去除所述二羟基萘中的硫成分的工序，并将中性氧化铝用作所述吸附剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117363058A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310824185.7
申请日：2023-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明提供具有优良涂布性且兼顾高程度填埋/平坦化特性的金属氧化膜形成用组成物、使用其的图案形成方法及金属氧化膜形成方法。一种金属氧化膜形成用组成物，包含(A)有机‑无机复合材料及(B)溶剂，其特征为：前述(A)有机‑无机复合材料是金属源(I)与有机源(II)的反应产物，前述金属源(I)含有选自下列通式(I‑1)表示的金属化合物、通式(I‑1)表示的金属化合物的水解物、及通式(I‑1)表示的金属化合物的水解缩合物中的1种以上的化合物，前述有机源(II)含有具有下列通式(II‑1)表示的构成单元及卡多(cardo)结构的化合物。
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公开(公告)号：CN111825533B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010295641.X
申请日：2020-04-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C39/17 , C07C233/75 , C07D207/404 , C07D209/48 , C07D403/14 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，能形成耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜，并提供含有该化合物的有机膜形成用材料。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)下述通式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。[化1][化2][化3][化4]但，上述通式(1B)中，W1为[化5]时，R1不为[化6]中的任一者。
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公开(公告)号：CN115963695A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211211942.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/11 , C07D209/40
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物。本发明的目的是提供一种化合物，能形成不仅耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，且对于基板的成膜性、密接性良好的有机下层膜，并提供含有该化合物的有机膜形成材料。本发明的解决手段是一种有机膜形成材料，其特征在于含有下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂。该通式(1)中，R1是下述式(2)的任一者，R2表示硝基、卤素原子、羟基、烷基氧基、炔基氧基、烯基氧基、直链状、分支状、或环状的烷基、三氟甲基、三氟甲基氧基；n表示0或1，m表示1～3的整数，p表示0或1，l表示0～2的整数；W是碳数2～40的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN115840336A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211156891.0
申请日：2022-09-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题是目的为提供一种密合膜形成材料，是在半导体装置制造步骤中的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，能给予具有与抗蚀剂上层膜的高密合性，具有抑制微细图案的崩塌的效果，且能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料；并提供使用了该材料的图案形成方法、及上述密合膜的形成方法。本发明的解决手段是一种密合膜形成材料，是形成于含硅中间膜与抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于，含有：(A)具有下述通式(1)及下述通式(2)表示的结构单元的树脂、(B)热酸产生剂、及(C)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN109426076B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810985279.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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