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公开(公告)号：CN110317125B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910242725.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C35/38 , C07C29/42 , C07C69/16 , C07C67/08 , C07D335/16 , C07C43/205 , C07C41/18 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/115
Abstract: 本发明提供一种能够形成有机下层膜的化合物，该有机下层膜在空气中或非活性气体中的成膜条件下进行固化而不产生副产物，不仅形成于基板的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好。所述化合物在分子内具有2个以上下述通式(1‑1)所示的部分结构。[化学式1]式中，Ar各自独立地表示可具有取代基的芳香环或可具有取代基的含有1个以上氮原子的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线表示与有机基团的结合键；B为阴离子性离去基团，其可通过热、酸中的任意一种或两种的作用生成反应性阳离子。
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公开(公告)号：CN109388027B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810864649.6
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Abstract: 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。
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公开(公告)号：CN112180686A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010637312.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F1/56 , G03F1/76
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物。本发明的课题为提供可形成不仅在钝性气体中的成膜条件仍会固化，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且升华物少且对基板的成膜性良好的有机膜的聚合物、以及含有该聚合物的有机膜形成用组合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]该通式(1)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，W1为具有三键的特定部分结构，且也可组合使用2种以上的W1，W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN111825596A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，能够形成耐热性、或形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)通式(1A)或(1B)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN110317125A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910242725.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C35/38 , C07C29/42 , C07C69/16 , C07C67/08 , C07D335/16 , C07C43/205 , C07C41/18 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/115
Abstract: 本发明提供一种能够形成有机下层膜的化合物，该有机下层膜在空气中或非活性气体中的成膜条件下进行固化而不产生副产物，不仅形成于基板的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好。所述化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的部分结构。[化学式1]式中，Ar各自独立地表示可具有取代基的芳香环或可具有取代基的含有1个以上氮原子的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线表示与有机基团的结合键；B为阴离子性离去基团，其可通过热、酸中的任意一种或两种的作用生成反应性阳离子。
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公开(公告)号：CN109960111A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811592270.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍塌或起皱的有机膜。所述有机膜形成用组合物含有作为下述式(1)所示的二羟基萘与缩合剂的缩合体的缩合物(A)或该缩合物(A)的衍生物，所述缩合物(A)或缩合物(A)的衍生物中含有的成分元素中的硫成分的含量以质量比计为100ppm以下。[化学式1]
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