公开(公告)号：CN102084039B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200980125958.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。

公开(公告)号：CN101469452A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810188586.3

申请日：2008-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  竹内久雄 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明涉及一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法以及用于III族氮化物半导体晶体的生长装置。一种用于生长III族氮化物半导体晶体的方法，其提供有以下步骤：首先，准备包括用于屏蔽来自在腔中材料(13)的热辐射的热屏蔽部的腔。然后，将材料(13)设置在腔中的热屏蔽部的一侧。接下来，通过加热要被升华的材料，将材料气体沉积在腔中热屏蔽部的另一侧，使得生长III族氮化物半导体晶体。

公开(公告)号：CN101466878A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200680055009.6

申请日：2006-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  C30B35/002 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。

公开(公告)号：CN101370972A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780003077.2

申请日：2007-01-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  宫永伦正 ,  川濑智博 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  C30B23/00 ,  C30B29/403 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明提供制造AlN晶体的方法，及AlN晶体、AlN晶体衬底和使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件，其能够得到具有有利特性的半导体器件。本发明的一个方面是AlN晶体制造方法，该方法包括在SiC籽晶衬底的表面上生长AlN晶体的步骤，和取出从SiC籽晶衬底表面到AlN晶体中的位于2mm至60mm范围内的AlN晶体的至少一部分的步骤。此外，本发明的其它方面是由该方法制造的AlN晶体和AlN晶体衬底，及使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN112673125A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201980059464.0

申请日：2019-06-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 平岩千寻 ,  水原奈保 ,  小川光靖 ,  东野孝浩 ,  俵山博匡 ,  真岛正利 ,  小笠原启孝

IPC: C25D1/08 ,  B01J23/847 ,  C01B3/38 ,  C23C18/16

Abstract: 本发明提供一种金属多孔体，所述金属多孔体具有三维网络结构的骨架，并且所述骨架的外层部具有尺寸小于由所述骨架形成的第一孔隙的第二孔隙，其中所述外层部为金属层，并且在所述外层部中负载有水蒸气重整催化剂。

公开(公告)号：CN111418027A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880077113.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 国立大学法人京都大学 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 东野孝浩 ,  野田阳平 ,  平岩千寻 ,  水原奈保 ,  小川光靖 ,  俵山博匡 ,  真岛正利 ,  宇田哲也 ,  韩东麟 ,  大西崇之

IPC: H01B1/08 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 ,  C25B13/04 ,  H01B1/06 ,  H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M8/12 ,  H01M8/124 ,  H01M8/1246

Abstract: 所述质子导体包含具有钙钛矿结构并且由式(1)表示的金属氧化物：AxB1-yMyO3-δ (1)，其中：化学元素A是选自由Ba、Ca和Sr组成的组中的至少一种元素；化学元素B是选自由Ce和Zr组成的组中的至少一种元素；化学元素M是选自由Y、Yb、Er、Ho、Tm、Gd、In和Sc组成的组中的至少一种元素；δ为氧缺乏量；并且满足关系式0.95≤x≤1和0

公开(公告)号：CN108370041A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072458.5

申请日：2016-12-16

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 东野孝浩 ,  野田阳平 ,  宫元一成 ,  平岩千寻 ,  水原奈保 ,  俵山博匡 ,  竹内久雄 ,  真岛正利 ,  宇田哲也 ,  韩东麟 ,  大西崇之 ,  大谷祐基

IPC: H01M8/02 ,  C01G25/02 ,  C04B35/486 ,  C25B9/00 ,  C25B13/04 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00 ,  H01M8/12

CPC classification number: C01G25/02 ,  C04B35/486 ,  C25B9/00 ,  C25B13/04 ,  H01B1/06 ,  H01B13/00 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

Abstract: 所述质子导体包含具有钙钛矿结构并且由化学式AaBbMcO3-δ表示的金属氧化物(其中：A为Ba、Ca和Sr中的至少一者；B为Ce和Zr中的至少一者；M为Y、Yb、Er、Ho、Tm、Gd和Sc中的至少一者；0.85≤a≤1；0.5≤b

公开(公告)号：CN107851804A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680041824.0

申请日：2016-07-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竹内久雄 ,  松浦尚 ,  水原奈保 ,  平岩千寻 ,  粟津知之 ,  真岛正利

IPC: H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M8/02 ,  H01M8/0258 ,  H01M8/12

Abstract: 一种用于燃料电池的电解质层阳极复合部件包括包含离子导电的金属氧化物M1的固体电解质层、包含离子导电的金属氧化物M2和氧化镍的第一阳极层以及介于固体电解质层和第一阳极层之间并且包含离子导电的金属氧化物M3和氧化镍的第二阳极层。氧化镍在第一阳极层中的体积含量Cn1以及氧化镍在第二阳极层中的体积含量Cn2满足关系Cn1

公开(公告)号：CN104205452B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380017387.5

申请日：2013-03-26

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 平岩千寻 ,  真岛正利 ,  山口笃 ,  水原奈保 ,  宇田哲也 ,  野田阳平

IPC: H01M8/1253 ,  H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B35/626 ,  H01B1/12

CPC classification number: H01M8/1253 ,  C04B35/48 ,  C04B35/486 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9607 ,  H01B1/122 ,  H01M4/881 ,  H01M4/8882 ,  H01M4/8889 ,  H01M4/9025 ,  H01M4/9033 ,  H01M8/12 ,  H01M2008/1293 ,  H01M2300/0071 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明提供配备具有质子传导性的固体电解质层，以及包含镧锶钴复合氧化物(LSC)并层叠在该电解质层一侧的阴极电极层的固体电解质层叠体。本发明还提供该固体电解质层叠体的制造方法。该固体电解质层叠体可以进一步配备包含镍-钇掺杂锆酸钡(Ni-BZY)的阳极电极层。该固体电解质层叠体适用于在不超过600℃的中等温度区域操作的燃料电池。(56)对比文件Jianhua Tong et.al.Cost-effectivesolid-state reactive sintering method forhigh conductivity proton conductingyttrium-doped barium zirconium ceramic.《Solid State Ionics》.2010,第181卷(第11-12期),第496-503页.Jianhua Tong et.al.Cost-effectivesolid-state reactive sintering method forhigh conductivity proton conductingyttrium-doped barium zirconium ceramic.《Solid State Ionics》.2010,第181卷(第11-12期),第496-503页.

公开(公告)号：CN106165171A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018017.2

申请日：2015-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 东野孝浩 ,  真岛正利 ,  俵山博匡 ,  水原奈保 ,  奥野一树 ,  平岩千寻 ,  野田阳平 ,  加藤真博

IPC: H01M8/0232 ,  H01M4/90 ,  H01M8/0637

CPC classification number: H01M8/0637 ,  H01M4/9058 ,  H01M8/0232 ,  H01M8/0245 ,  H01M2008/1293 ,  Y02E60/566

Abstract: 本发明提供了一种燃料电极用多孔集电体，其具有高的气体重整功能以及高的耐久性。多孔集电体(9)布置为邻近燃料电池(101)的燃料电极(4)，该燃料电池(101)具有固体电解质层(2)、设置于固体电解质层的一个表面上的燃料电极(4)、以及设置于固体电解质层的另一个表面上的空气电极(3)。该多孔集电体包括金属多孔体(1)和第一催化剂(20)，并且金属多孔体至少在其表面上具有合金层(12a)。该合金层包含镍(Ni)和锡(Sn)。第一催化剂是担载于合金层表面上的颗粒状催化剂，所述表面与金属多孔体的孔相对，并且第一催化剂能够处理在孔的内部流动的燃料气体中所含的碳组分。