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公开(公告)号：CN113707803A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110983622.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法，包括：铁电薄膜层，设置有两个金属电极，通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压；底电极，位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部，呈长条形，在底电极两端施加第二电压；隧道结，位于底电极之上并设置于底电极中部；其中，两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上，且两个边缘位于底电极长边方向的两侧，通过两个金属电极施加第一电压的方向与底电极短边方向平行；通过第一电压与第二电压的正负，控制磁化的定向翻转。从而在实现磁矩定向翻转的同时，利于器件的集成和产业化。
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公开(公告)号：CN113178518A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110453425.8
申请日：2021-04-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于底电极平行向电压控制的SOT‑MRAM及制造方法，属于半导体器件及其制造技术领域，解决了现有技术中SOT‑MRAM难以实现便于集成和产业化的磁矩定向翻转的问题。包括铁电薄膜层，设置有两个金属电极，通过两个金属电极向铁电薄膜层施加第一电压；底电极，位于铁电薄膜层之上并设置于铁电薄膜层中部，呈长条形，在底电极两端施加第二电压；隧道结，位于底电极之上并设置于底电极中部，包括由下至上依次层叠的自由层、隧穿层和参考层；其中，两个金属电极相对设置在铁电薄膜层相对的两个边缘上，并位于所在边缘中线的一侧，且两个边缘位于底电极短边方向的两侧，通过所述两个金属电极施加第一电压的方向与底电极长边方向平行。
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公开(公告)号：CN112835556A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110117458.5
申请日：2021-01-28
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明涉及PP板生产加工领域,公开了一种基于MTJ的真随机数发生器，包括至少一个逻辑单元，每个逻辑单元包括两个输入MTJ和一个输出MTJ，两个输入MTJ先并联，然后再与输出MTJ串联，再产生随机数前，使两个输入MTJ和输出MTJ的存储状态均为高阻态模式，确保电源在输出MTJ上的电压小于第一临界调控电压Vc1,在产生随机数时，改变两个输入MTJ中的至少一个输入MTJ的存储状态，使电源在输出MTJ上的电压大于第一临界调控电压Vc1，这样每当两输入MTJ中的一个存储状态发生变化时，输出MTJ的状态会随机想低阻态模式和高阻态模式变化，且概率均为二分之一，对输出MTJ的存储状态进行检测便可得到一位随机的二进制数据，整体结构简单，不用寻找随机变量。
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公开(公告)号：CN111952438A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010849181.0
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供的一种磁随机存储器及其制造方法，包括自旋轨道耦合层，自旋轨道耦合层的材料为钨合金材料，自旋轨道耦合层上的堆叠层，堆叠层包括依次层叠的磁性自由层、遂穿层和磁性固定层，自旋轨道耦合层控制磁性自由层的磁化方向，磁性固定层的磁化方向是固定的。这样，选择钨合金材料作为自旋轨道耦合层，电流通入自旋轨道耦合层后，由于钨合金材料的自旋霍尔角大，电流与自旋流之间的转化效率较高，产生的垂直于电流方向的自旋流较高，使得能够自旋轨道耦合层能够更快的翻转磁性自由层的磁化方向，提高读取速度。
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公开(公告)号：CN110161113A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910479336.3
申请日：2019-06-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁性单粒子探测装置及其制造方法、磁性单粒子探测方法。所述磁性单粒子探测装置包括金属霍尔条以及设置在所述金属霍尔条表面的分子磁体薄膜，所述分子磁体具有二维磁结构且分子间交换作用为反铁磁耦合，所述分子磁体的易磁化轴垂直于所述二维磁结构表面。所述磁性单粒子探测方法包括：提供第一磁共振场，将所述分子磁体薄膜磁化至饱和状态；在所述分子磁体薄膜被磁化至饱和状态后，提供第二磁共振场，所述第二磁共振场为将所述分子磁体薄膜磁化至(N-1，1)配位态的磁共振场；检测提供所述第二磁共振场之后所述金属霍尔条的输出电压，根据所述输出电压判断是否存在磁性单粒子。本发明能够降低磁性单粒子探测成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110058314A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910452195.6
申请日：2019-05-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01V3/08
Abstract: 本发明公开了一种信号检测装置以及系统，所述信号检测装置包括驱动信号产生模块、第一信号叠加模块以及N个传感器，N为不小于2的整数；所述驱动信号产生模块用于根据第一基准信号产生N个幅度相同、频率不同的驱动信号，并将每个驱动信号对应提供给一个传感器；所述传感器用于根据所述驱动信号将被测量转换为电压信号；所述第一信号叠加模块用于对每个传感器输出的电压信号进行叠加，获得第一叠加信号。本发明提供的信号检测装置以及系统，能够减少整个信号检测系统的体积和功耗，减小探测结果误差。
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公开(公告)号：CN109742229A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811654324.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，在磁阻隧道结沿所述自旋轨道耦合层中的电流方向一侧中存在有缺陷，该缺陷由离子注入产生。这样，由于磁阻隧道结一侧存在局部的非均匀的缺陷分布，从而在垂直于电流源方向上形成横向不对称的磁阻隧道结结构，当自旋轨道耦合层中通入电流时，实现磁性层磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN109585644A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811333178.2
申请日：2018-11-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及写入方法、装置，在自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，当在自旋轨道耦合层中通入电流时，自旋轨道耦合层中产生自旋流，使得磁阻隧道结中的磁矩导向自旋轨道耦合层的平面内，此时，电流方向上，磁阻隧道结的一侧与另一侧存在温度差，在该温度差作用下实现磁矩的定向翻转，翻转的方向可以通过电流的方向或者温度差的方向来控制，从而，实现了SOT-MRAM中磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN119403199A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411339785.5
申请日：2024-09-24
Applicant: 北京知识产权运营管理有限公司 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以在同一半导体衬底上实现具有较厚的栅介质层的环栅晶体管与半导体器件和/或集成电路中其余环栅晶体管的制造，降低上述两种环栅晶体管的集成难度。所述半导体器件包括：半导体衬底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。第一环栅晶体管和第二环栅晶体管沿平行于半导体衬底表面的方向间隔设置在半导体衬底上。其中，沿半导体衬底的厚度方向，第一环栅晶体管包括的第一纳米结构的层数小于第二环栅晶体管包括的第二纳米结构的层数。每层第一纳米结构均包括第一半导体材料部，且每层第一半导体材料部与相应层第二纳米结构一体成型且沿半导体衬底的厚度方向对齐。第一间距大于第二间距。
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公开(公告)号：CN119095389A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411194843.X
申请日：2024-08-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种磁电非易失存储器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，解决了现有存储器能耗高的问题。该磁电非易失存储器包括铁电存储器和磁存储器；其结构包括自下而上依次设置的铁电底电极层、铁电层、MRAM底电极层、自由层、隧穿层、参考层、中间层、钉扎层、保护层和硬掩膜层。
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