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公开(公告)号：CN109713118B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811604863.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种磁阻式随机存储器及其制造方法，在保护层沿自旋轨道耦合层中的电流方向一侧上覆盖有应力层，这样，由于应力层的存在，会在磁性层的局部表面上产生应力，从而形成直于电流源方向上形成横向不对称结构，当自旋轨道耦合层中通入电流时，在应力作用下使得磁性层的自旋轨道耦合作用为非对称，从而，在局部应力作用下实现磁矩的定向翻转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768065A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910031809.3
申请日：2019-01-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体器件单元以及图像识别装置，包括光电二极管和磁阻随机存储器，存储器可以为自旋转移力矩磁阻随机存储器或自旋轨道矩磁阻式随机存储器，光电二极管和磁阻随机存储器的底电极相互电连接，光电二极管和磁阻随机存储器的顶电极相互电连接。磁阻随机存储器有无限次重复写入及永久存储的特性，可以用于人工神经网络的权重计算，光电二极管感光后产生光电流信号，光电流的大小与磁阻随机存储器读取电流的量级相似，光电流流入磁阻随机存储器，从而可以用于人工神经网络图像识别。由于光电二极管为自驱动PN结器件，无需额外电源，能耗低且可以应用于断电的特殊环境中，同时，直接对模拟信号进行识别，实现更为智能的图像识别。
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公开(公告)号：CN109698267A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811604836.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，在磁阻隧道结中存在有缺陷，该缺陷由的离子注入工艺产生，且注入方向的投影与自旋轨道耦合层中电流方向不平行。这样，由于磁阻隧道结自身存在遮挡，离子注入后磁阻隧道结一侧缺陷会多于另一侧的缺陷，从而在垂直于电流源方向上形成不对称的磁阻隧道结，当自旋轨道耦合层中通入电流时，实现磁性层磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN109698267B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201811604836.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，在磁阻隧道结中存在有缺陷，该缺陷由的离子注入工艺产生，且注入方向的投影与自旋轨道耦合层中电流方向不平行。这样，由于磁阻隧道结自身存在遮挡，离子注入后磁阻隧道结一侧缺陷会多于另一侧的缺陷，从而在垂直于电流源方向上形成不对称的磁阻隧道结，当自旋轨道耦合层中通入电流时，实现磁性层磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN109742229A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811654324.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，在磁阻隧道结沿所述自旋轨道耦合层中的电流方向一侧中存在有缺陷，该缺陷由离子注入产生。这样，由于磁阻隧道结一侧存在局部的非均匀的缺陷分布，从而在垂直于电流源方向上形成横向不对称的磁阻隧道结结构，当自旋轨道耦合层中通入电流时，实现磁性层磁矩的定向翻转。
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公开(公告)号：CN109713118A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811604863.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种磁阻式随机存储器及其制造方法，在保护层沿自旋轨道耦合层中的电流方向一侧上覆盖有应力层，这样，由于应力层的存在，会在磁性层的局部表面上产生应力，从而形成直于电流源方向上形成横向不对称结构，当自旋轨道耦合层中通入电流时，在应力作用下使得磁性层的自旋轨道耦合作用为非对称，从而，在局部应力作用下实现磁矩的定向翻转。
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