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公开(公告)号：CN103028737A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210563031.9
申请日：2012-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备石墨烯-金属纳米颗粒复合材料的方法。该方法包括：制备负载金属盐的聚苯乙烯-聚乙烯基吡啶PS-PVP胶束；将所述负载金属盐的PS-PVP胶束附着于具有催化剂的衬底上；以及将所述附着负载金属盐的PS-PVP胶束的衬底放入反应容器中，在还原性气氛下使所述PS-PVP胶束分解，在衬底表面产生石墨烯薄膜，同时负载在PS-PVP胶束中的金属盐被还原成为金属纳米颗粒并均匀分散在所述石墨烯薄膜上，从而得到石墨烯与金属纳米颗粒复合材料。本发明可以简单高效地形成石墨烯与金属纳米颗粒复合材料。
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公开(公告)号：CN102520377A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110459389.2
申请日：2011-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种增强型半导体-金属复合结构磁场传感器，包括：一绝缘衬底；一半导体材料层，为条状结构，制作在绝缘衬底上；两条金属电流引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接；两条金属电压引线，制作在绝缘衬底上，其一端与半导体材料层的一侧连接，并位于两条金属电流引线之间；一金属分流器，制作在绝缘衬底上，位于半导体材料层的一侧并与之连接；一绝缘层，制作在半导体材料层上；一永磁层，制作在绝缘保护层上，该永磁层具有垂直磁各向异性；一保护层制作在永磁层上。
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公开(公告)号：CN102394264A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110373908.3
申请日：2011-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法，该方法是在ZnO/AlN界面插入一层Ag纳米颗粒，通过Ag局域态表面等离激元与器件的电致发光相互耦合，提高ZnO基发光二极管紫光电致发光性能。实验发现Ag纳米颗粒的局域态表面等离激元共振峰与ZnO近带边发光峰的位置相近，满足共振耦合条件，且粗糙的Ag纳米颗粒的表面有利于等离激元有效耦合成光且能够明显提高光的抽取效率。利用本发明，显著提高了ZnO基发光二极管紫光电致发光性能。
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公开(公告)号：CN101441997B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710177783.0
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/203 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种立方氮化硼(c-BN)薄膜n型掺杂的方法，该方法具体包括首先利用离子束辅助沉积(Ion Beam Assisted Depostion，IBAD)方法制备高质量的c-BN薄膜，然后依次注入不同能量(50，80及100keV)的硫(S)离子(总剂量为5×1014cm-2)进入c-BN薄膜，最终实现c-BN薄膜的n型掺杂。该方法对c-BN薄膜的生长设备没有特殊要求，具有掺杂剂量和掺杂的深度可以精确控制、成本低、方法简便、使用广泛、可移植性好等优点。
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公开(公告)号：CN101442089B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710177789.8
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明一种增强氧化锌(ZnO)薄膜蓝光发射的方法，涉及半导体技术，该方法制备ZnO/Ag复合结构薄膜，利用Ag表面等离激元与ZnO带间发射间的共振耦合，使ZnO带间辐射复合速率加快；同时借助具有一定粗糙度的Ag薄膜表面将等离激元耦合成光，以达到增强ZnO薄膜蓝光发射的目的。通过ZnO/Ag复合结构薄膜和ZnO薄膜的光致发光性能对比，发现Ag表面等离激元的参与能将ZnO带间蓝光发射的强度提高约50倍，同时有效地抑制了ZnO薄膜中缺陷导致的绿光发射。该方法不仅实现了ZnO蓝光发射增强，而且也能广泛应用于其它半导体发光材料以及其它类型的发光体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101671846A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810119797.1
申请日：2008-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源；步骤3：将衬底加热；步骤4：离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar + 离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar + 及N 2 + 的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜；步骤5：在离子束辅助沉积系统中将衬底降温；步骤6：取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。
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公开(公告)号：CN101609743A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200810115182.1
申请日：2008-06-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用双亲嵌段共聚物PS－P4VP在甲苯中自组装成反胶束，然后将金属盐FeCl3和H2PtCl6加入所述反胶束溶液中，形成金属盐负载的反胶束；步骤2：利用旋涂法在硅衬底上获得反胶束阵列，并通过氧等离子体和氢等离子体刻蚀而得到单分散性良好的FePt纳米颗粒阵列；步骤3：用磁控溅射法在FePt纳米颗粒阵列上覆盖一层SiO2保护层；步骤4：保护气氛下对样品进行高温退火，完成平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的制作。
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公开(公告)号：CN119980472A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510140860.3
申请日：2025-02-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种六方氮化硼单光子源的制备方法，可应用于量子通信技术领域，该方法包括：准备蓝宝石衬底；在第一衬底和第三衬底上溅射固态硼薄膜；将承载固态硼薄膜的第一衬底与第二衬底相叠至于加热炉中，进行第一六方氮化硼单晶薄膜的生长；等离子体处理第一六方氮化硼单晶薄膜；将第三衬底与第二衬底相叠并置于加热炉中，进行第二六方氮化硼单晶薄膜的生长，其中，第一六方氮化硼单晶薄膜位于第二衬底与第三衬底之间。通过等离子体处理工艺在六方氮化硼单晶薄膜上实现大规模单光子源的制备，使用原位盖层二次生长第二六方氮化硼单晶薄膜实现对第一六方氮化硼单晶薄膜中单光子源的高效钝化保护。
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公开(公告)号：CN117431638A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311409690.1
申请日：2023-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提出了一种单层二维材料的制备方法，该方法在预处理单晶二维材料后通过在二维材料块体表面低速沉积金膜，在金膜表面沉积水溶性材料作为支撑层，利用金膜和二维材料之间较强的结合力剥离得到单层二维材料，再依次除去支撑层和所述金膜，得到洁净的所述单层二维材料。利用本公开方法可以实现多种二维材料在任意衬底上的大面积单层二维材料的制备且操作简单，具有较高的灵活性和普适性。
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公开(公告)号：CN116262985A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111529080.6
申请日：2021-12-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种二维原子晶体及其生长方法，方法包括：在第一衬底上生长固态源薄膜；将第二衬底与第一衬底叠放后置于加热炉中，其中，固态源薄膜位于第一衬底和第二衬底之间；在保护气体气氛下，将加热炉加热至反应温度，保持反应温度时间T后，降至室温，以在第二衬底上生长得到二维原子晶体。本公开的二维原子晶体生长方法工艺简便，直接在介质衬底上生长得到的六方氮化硼二维原子晶体晶格取向单一，结晶质量极高。生长过程清洁环保，对生产设备的要求低，成本低廉，便于工业化推广。
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