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公开(公告)号：CN103094480A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310018234.4
申请日：2013-01-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了一种聚合物太阳能电池及其制备方法。该聚合物太阳能电池包括：衬底；透明导电电极，形成于衬底上；空穴传输层，形成于透明导电电极上，其内镶嵌金属纳米颗粒；光敏层，形成于空穴传输层上；电子传输层，形成于光敏层上，其内含金属纳米颗粒；以及两金属电极，分别形成于透明导电电极和电子传输层上。本发明将金属纳米颗粒同时置于空穴传输层以及ZnO电子传输层中，光敏层上下表面的金属纳米颗粒均可以产生近场增强作用，克服单一结构中近场增强作用距离远小于光敏层厚度的不足，从而有利于提高光敏层的光吸收。
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公开(公告)号：CN102074654B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010554257.3
申请日：2010-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种提高聚合物太阳电池效率的制备方法，电极采用电子束蒸发技术制备，制备方法包括如下步骤：在glass层上制作ITO层，作为太阳电池的阳极；采用光刻的方法，将ITO层一侧刻蚀掉，刻蚀深度到glass层的表面，防止ITO与电池的阴极连通；在暴露的glass层的上面及ITO层制备一层PEDOT:PSS层，作为太阳电池的空穴传输层；将ITO层一侧上面的PEDOT:PSS层擦除掉，擦除深度到ITO层的表面，使暴露的ITO层形成台面，该台面为阳极，与外电路连接；在PEDOT:PSS层上制备聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜；在聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜上制备Al薄膜；在Al薄膜上制备Al电极，该Al电极为阴极；退火，将制备完成的聚合物太阳电池退火，完成电极的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101671846A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810119797.1
申请日：2008-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源；步骤3：将衬底加热；步骤4：离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar + 离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar + 及N 2 + 的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜；步骤5：在离子束辅助沉积系统中将衬底降温；步骤6：取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。
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公开(公告)号：CN102394272A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110373472.8
申请日：2011-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用Au表面等离激元增强有机聚合物太阳能电池效率的方法，在电池的PEDOT:PSS空穴传输层掺入一定尺寸和浓度的Au纳米颗粒。Au纳米颗粒利用湿化学法合成，通过氯金酸和柠檬酸钠反应得到Au纳米颗粒，并分散在水溶性溶剂中。按一定的比例将Au纳米颗粒与PEDOT:PSS混合，旋涂在ITO衬底上，退火处理，含Au纳米颗粒的空穴传输层制备完毕。利用Au纳米颗粒的局部电场增强作用可以提高有机聚合物太阳能电池的光吸收，进而提高电池效率。
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公开(公告)号：CN102810643A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110148122.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 欧贝黎新能源科技股份有限公司
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种改善聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法，有机物的溶剂采用氯苯和二氯苯的混合溶剂，有机物溶液的具体配制包括如下步骤：分别称量质量比为1∶1聚噻吩(P3HT)和富勒烯衍生物(PCBM)，先后置于同一试剂瓶中；注入按一定比例混合的氯苯/二氯苯混合溶剂；将混合好的溶液放在磁力搅拌器上，搅拌使之混合均匀，溶液配制完毕。
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公开(公告)号：CN102074654A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010554257.3
申请日：2010-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种提高聚合物太阳电池效率的制备方法，电极采用电子束蒸发技术制备，制备方法包括如下步骤：在glass层上制作ITO层，作为太阳电池的阳极；采用光刻的方法，将ITO层一侧刻蚀掉，刻蚀深度到glass层的表面，防止ITO与电池的阴极连通；在暴露的glass层的上面及ITO层制备一层PEDOT:PSS层，作为太阳电池的空穴传输层；将ITO层一侧上面的PEDOT:PSS层擦除掉，擦除深度到ITO层的表面，使暴露的ITO层形成台面，该台面为阳极，与外电路连接；在PEDOT:PSS层上制备聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜；在聚合物/富勒烯衍生物共混薄膜上制备Al薄膜；在Al薄膜上制备Al电极，该Al电极为阴极；退火，将制备完成的聚合物太阳电池退火，完成电极的制备。
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公开(公告)号：CN102030559A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010520234.0
申请日：2010-10-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备图案化纳米模板的方法，包括以下步骤：步骤1：利用提拉法，在亲水性良好的平面衬底上组装PS球，得到单层有序的PS球薄膜；步骤2：利用氧等离子体刻蚀PS球，改变PS球的大小；步骤3：旋涂异丙醇稀释的TiO2溶胶，静置待TiO2溶胶固化，使TiO2溶胶填充PS球间隙；步骤4：甲苯中超声完全去除PS球，得到图案化的纳米模板。
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