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公开(公告)号：CN117977359A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410107798.3
申请日：2024-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/1118 , H01S3/067 , C07C209/68 , C07C211/27
Abstract: 本公开提供了一种锁模光纤激光装置及准二维钙钛矿可饱和吸收体的制备方法。该锁模光纤激光装置包括：泵浦源、波分复用器、增益光纤、偏振无关隔离器、输出耦合器、准二维钙钛矿可饱和吸收体及偏振控制器，沿脉冲激光的传输方向，依次连接，且波分复用器的输入端分别与泵浦源的输出端和偏振控制器的输出端连接；其中，准二维钙钛矿可饱和吸收体用于实现被动锁模，将脉冲激光的脉宽变窄，产生超短脉冲激光。
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公开(公告)号：CN114107901A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010892022.9
申请日：2020-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统，包括：S1，研磨Bi2O3、Fe2O3粉末，将研磨后的混合粉末压制成溅射靶；S2，洗涤衬底，衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001)；S3，采用射频溅射使溅射靶的Bi、Fe、O原子沉积在衬底上，得到四方相BiFeO3外延薄膜。本发明提供的方法首次实现了四方相BiFeO3与半导体ZnO的外延集成，对其在非易失信息存储等领域的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114075698A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010834451.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法，包括：在刚性衬底上生长氧化锌缓冲层，在氧化锌缓冲层上外延生长铁酸钴单晶薄膜，在铁酸钴单晶薄膜上旋涂一层溶有黑蜡的有机溶剂，得到黑蜡薄膜保护层，将刚性衬底放置在酸液中湿法腐蚀氧化锌缓冲层，待氧化锌缓冲层腐蚀完毕，得到的具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜，将具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜转移到柔性薄膜衬底上，并使其在柔性薄膜衬底上静止干燥，使用有机溶剂清洗掉铁酸钴单晶薄膜上的黑蜡薄膜保护层，得到铁酸钴柔性单晶薄膜。本公开提供的制备方法具有过程简单、成本低、可控性强等优点，实现了铁酸钴单晶薄膜的柔性化，对发展基于铁酸钴的柔性功能器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114075695A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010809791.8
申请日：2020-08-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种制备高化学计量比二维六方氮化硼的方法，包括：S1，将淀积腔室抽至一本底真空度，其中，淀积腔室内放置有衬底及六方氮化硼靶材；S2，将衬底加热至目标温度后，在氮气气氛下对衬底进行退火；S3，在氮气气氛下，将脉冲激光照射到六方氮化硼靶材上，六方氮化硼靶材表面分子熔蒸后淀积在高温衬底上；S4，降温得到高化学计量数比的二维六方氮化硼。本发明提供的方法不需要提供大量的含氮有毒前驱体以保证产物的化学计量比，生长过程清洁环保，且得到的样品生长厚度精确可控，可实现二维h‑BN的高质量大面积生长。
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公开(公告)号：CN111607775A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910387175.5
申请日：2019-05-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种制备组分可调的二维h-BNC杂化薄膜的方法。该方法包括：准备衬底并将衬底置于离子束溅射沉积系统内；预抽背底真空，然后在氢气气氛中对衬底进行升温并退火；退火结束后关闭氢气使腔室恢复至真空环境，然后向腔室内通入甲烷和氩气；利用离子源产生氩离子束，轰击烧结的氮化硼靶材同时将甲烷裂解，使得硼、氮、碳原子在衬底表面沉积，形成二维h-BNC杂化薄膜；生长结束后，关闭甲烷气体、加热源使样品随炉降温，最终得到二维h-BNC杂化薄膜。本发明制备二维h-BNC杂化薄膜的方法，不仅可以有效避免前驱体不稳定、副产物多等问题，而且可控性好，制备的薄膜均匀性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103364595A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310299682.6
申请日：2013-07-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01Q60/24
Abstract: 本发明公开了一种表征聚合物太阳能电池光敏层相分离程度的方法，其包括：步骤1、利用原子力显微镜AFM分别表征不同条件下制备的多个聚合物太阳能电池样品的光敏层，得到光敏层AFM相图；步骤2、在所述多个相图中分别选取一定大小的感兴趣区；步骤3、将所述多个感兴趣区黑白化，使所述感兴趣区中的给体D和受体A转化成黑白两相；步骤4、分别计算所述多个黑白化后的感兴趣区中给体和受体的接触边界长度，并根据所述计算结果定量分析、比较多个聚合物太阳能电池样品的光敏层相分离程度。本发明的计算方法简单，计算结果可靠，可为进一步深入探究光敏层相分离的影响因素、优化D/A两相相分离尺度，最终提高电池性能提供帮助。
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公开(公告)号：CN102394272A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110373472.8
申请日：2011-11-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用Au表面等离激元增强有机聚合物太阳能电池效率的方法，在电池的PEDOT:PSS空穴传输层掺入一定尺寸和浓度的Au纳米颗粒。Au纳米颗粒利用湿化学法合成，通过氯金酸和柠檬酸钠反应得到Au纳米颗粒，并分散在水溶性溶剂中。按一定的比例将Au纳米颗粒与PEDOT:PSS混合，旋涂在ITO衬底上，退火处理，含Au纳米颗粒的空穴传输层制备完毕。利用Au纳米颗粒的局部电场增强作用可以提高有机聚合物太阳能电池的光吸收，进而提高电池效率。
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公开(公告)号：CN101441997A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177783.0
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/203 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种立方氮化硼(c－BN)薄膜n型掺杂的方法，该方法具体包括首先利用离子束辅助沉积(Ion Beam Assisted Depostion，IBAD)方法制备高质量的c－BN薄膜，然后依次注入不同能量(50，80及100keV)的硫(S)离子(总剂量为5×1014cm－2)进入c－BN薄膜，最终实现c－BN薄膜的n型掺杂。该方法对c－BN薄膜的生长设备没有特殊要求，具有掺杂剂量和掺杂的深度可以精确控制、成本低、方法简便、使用广泛、可移植性好等优点。
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公开(公告)号：CN100465308C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610113239.5
申请日：2006-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备六角有序FePt纳米颗粒阵列的方法，该方法包括：A、利用双亲嵌段共聚物PS-block-P2VP在甲苯中自组装成反胶束；B、将金属盐FeCl3和H2PtCl6加入所述反胶束溶液中，充分搅拌后所述金属盐FeCl3和H2PtCl6将与反胶束的P2VP内核结合，形成金属盐负载的反胶束；C、利用浸涂的方法将金属盐负载的反胶束沉积在平滑单晶硅衬底上，得到六角有序的反胶束阵列；D、利用氧等离子体刻蚀去除共聚物母体并使金属盐还原为单质，在单晶硅衬底上获得大小均匀、六角有序分布的FePt纳米颗粒阵列。利用本发明所制得的FePt纳米颗粒阵列不仅纳米颗粒尺寸分散度小、分布均匀、颗粒大小和间距容易调控，而且FePt纳米颗粒表面没有有机物包覆，退火过程中颗粒没有团聚，具有良好的热稳定性。
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公开(公告)号：CN100424834C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200510090638.X
申请日：2005-08-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/283 , C23C14/34
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法。利用脉冲激光沉积(PLD)技术在c-BN 薄膜上制备Ti/Au双层接触，在PLD技术中，由于激光溅射出的粒子具有较高能量(＞100 eV)，使得c-BN/Ti界面原子能充分混合，从而大大提高了Ti/Au接触在c-BN 薄膜上的粘附性。进一步的高温退火使Ti/c-BN 薄膜界面合金化，最终得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触。该发明不仅为实现c-BN 基电子器件奠定了基础，也能应用于其他半导体材料欧姆接触的制备。
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