公开(公告)号：CN114075695A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010809791.8

申请日：2020-08-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王高凯 ,  张兴旺 ,  尹志岗

IPC: C30B23/00 ,  C30B28/12 ,  C30B29/38 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提供一种制备高化学计量比二维六方氮化硼的方法，包括：S1，将淀积腔室抽至一本底真空度，其中，淀积腔室内放置有衬底及六方氮化硼靶材；S2，将衬底加热至目标温度后，在氮气气氛下对衬底进行退火；S3，在氮气气氛下，将脉冲激光照射到六方氮化硼靶材上，六方氮化硼靶材表面分子熔蒸后淀积在高温衬底上；S4，降温得到高化学计量数比的二维六方氮化硼。本发明提供的方法不需要提供大量的含氮有毒前驱体以保证产物的化学计量比，生长过程清洁环保，且得到的样品生长厚度精确可控，可实现二维h‑BN的高质量大面积生长。

公开(公告)号：CN116103609A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202111335874.9

申请日：2021-11-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张兴旺 ,  陈镜壬 ,  王高凯 ,  尹志岗 ,  吴金良

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开提供了一种六方氮化硼异质结构的制备方法，包括：S1，对介质衬底进行升温操作，并向沉积腔室通入氨气；S2，离子源溅射氮化硼靶材，得到的氮、硼原子沉积至介质衬底上生长；S3，降温得到六方氮化硼异质结构。本公开的制备方法通过辅助气路通入氨气确保六方氮化硼的理想化学计量比以及实现低温六方氮化硼的生长；且实现了介质衬底上六方氮化硼的直接生长，避免了转移过程，也避免了在较高生长温度下介质衬底原始性质改变例如金刚石发生石墨化转变，对六方氮化硼金刚石异质结构的电子、光电子学应用有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN116262985A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111529080.6

申请日：2021-12-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张兴旺 ,  王高凯 ,  陈镜壬 ,  尹志岗 ,  吴金良

IPC: C30B29/40 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02

Abstract: 本公开提供一种二维原子晶体及其生长方法，方法包括：在第一衬底上生长固态源薄膜；将第二衬底与第一衬底叠放后置于加热炉中，其中，固态源薄膜位于第一衬底和第二衬底之间；在保护气体气氛下，将加热炉加热至反应温度，保持反应温度时间T后，降至室温，以在第二衬底上生长得到二维原子晶体。本公开的二维原子晶体生长方法工艺简便，直接在介质衬底上生长得到的六方氮化硼二维原子晶体晶格取向单一，结晶质量极高。生长过程清洁环保，对生产设备的要求低，成本低廉，便于工业化推广。