航天器材料长期真空-紫外辐照模拟试验装置及其试验方法

    公开(公告)号:CN106342211B

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201110015129.6

    申请日:2011-11-15

    Abstract: 本发明涉及一种航天器材料长期真空-紫外辐照模拟试验装置,该装置由模拟光源单元(1)、真空控制单元(2)、原位测量单元(3)和工控机自动控制单元(4)组成,模拟光源单元(1)对真空控制单元(2)中的样品进行太阳模拟光照;原位测量单元(3)给真空控制单元(2)提供各波段光源,并通过紫外/可见/近红外光纤光谱仪光纤光谱仪(31)或红外光纤光谱仪(32)捕捉采集样品信号;模拟光源单元(1)与原位测量单元(3)相互独立;工控机自动控制单元(4)通过通信信号分别对模拟光源单元(1)、真空控制单元(2)和原位测量单元(3)进行自动化操作。本发明还涉及使用前述试验装置进行长期真空-紫外辐照模拟试验的试验方法。

    一种稀土二硅酸盐的制备方法

    公开(公告)号:CN106342074B

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN200910120341.1

    申请日:2009-02-17

    Abstract: 本发明涉及一种稀土二硅酸盐RE2Si2O7(其中RE是为稀土元素Yb、Lu)的制备方法,主要过程包括配料、混料、烘干、烧结制备、球磨粉碎,本发明创新性的提出适当比例的复合组分使得反应烧结温度降低,反应能充分进行,最后制备出不含杂相的稀土二硅酸盐。本发明可以在相对较低的温度和较短的时间内,制备出不含杂相、只含单一相的稀土二硅酸盐,其热力学性能稳定,1500℃下重量变化小于0.7%,并没有相变产生,是理想的抗氧化材料。

    镁合金表面低吸辐比热控涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN106342106B

    公开(公告)日:2012-01-04

    申请号:CN200910123908.0

    申请日:2009-11-30

    Inventor: 辛世刚 宋力昕

    Abstract: 本发明涉及一种镁合金表面低吸辐比热控涂层及其制备方法,属于航天器热控涂层技术领域,用以解决航天器暴露在星外镁合金部件的温度控制问题。本发明涂层利用等离子体电解氧化方法制备。采用的电解溶液成分包括,可溶性硅酸盐1-15g/1,可溶性氢氧化物1-5g/l,可溶性氟化物1-5g/l,氧化锌颗粒1-20g/l。采用交流脉冲电源控制镁合金的氧化过程。本发明的镁合金表面低吸辐比热控涂层太阳吸收比(在250-2500nm的太阳辐射区间)为0.4-0.44,半球向红外辐射率大于0.4,太阳吸收比与半球向红外辐射率的比值小于1。涂层氧化镁、硅酸镁、氧化锌及γ-氧化铝组成,能适应较复杂结构的零件表面的加工,与基体结合强度高,涂层空间稳定性好。

    氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101139700A

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200710047376.8

    申请日:2007-10-24

    Abstract: 本发明涉及一种氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法,其特征在于将硅靶及清洗后的衬底置于真空生长室中;将生长室抽真空;利用脉冲激光辐照硅靶材,同时在真空室中通入一定量的氧气,利用外部电源施加高压将通入的氧气体电离,产生高化学活性的氧等离子体,氧等离子体起辅助生长以及补充脉冲激光法沉积二氧化硅薄膜过程中需要补充的氧的作用;相比没有氧等离子体辅助的脉冲激光沉积二氧化硅薄膜,本发明可以制备出化学计量比的高性能的二氧化硅薄膜。

    利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜

    公开(公告)号:CN1929091A

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200610116508.3

    申请日:2006-09-26

    Abstract: 本发明利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法,以Co为磁性掺杂源,以Al为施主掺杂源制备(Co,Al)共掺杂的ZnO薄膜。制备过程采用Zn1-x-yCoxAlyO(0<x≤0.15,0<y≤0.03)靶材,Co的掺杂浓度可以通过调节靶材中的Co含量控制,薄膜中的载流子浓度和氧缺陷可以通过调节靶材中的Al含量和高纯O2和Ar不同分压比来控制。采用ICP-PVD法可以有效的控制掺杂浓度,稳定性好。该设备简单,操作方便,与普通磁控溅射设备相比引入了电磁场约束系统,在溅射过程中能够对等离子体中的电子和各种带电离子起到约束和加速作用,从而降低了薄膜的生长温度,薄膜具有表面平整、晶粒大小均匀,良好C轴取向的优点,并获得了室温以上的铁磁性。

    一种薄膜硅烷化表面改性系统
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116622111A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310598021.7

    申请日:2023-05-25

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜硅烷化表面改性系统,包括薄膜固定装置、薄膜硅烷化处理装置和薄膜热处理装置,其中薄膜固定装置包括固定框,固定框的内框上设置有若干夹持组件,夹持组件用于将待处理薄膜固定并延展于固定框上,薄膜硅烷化处理装置包括第一壳体,第一壳体开设有第一容纳腔,第一容纳腔内设置有反应容器,反应容器内开设有反应槽,反应槽内充满硅烷试剂,反应容器上对应反应槽的两侧还设置有第一加热装置,反应槽与固定框相匹配,使待处理薄膜可通过固定框在反应容器内展开并进行硅烷化处理,薄膜热处理装置,用于加热烘干处理已硅烷化处理的待处理薄膜,解决了现有技术中薄膜硅烷化表面改性系统无法处理大尺寸的薄膜的问题。

    一种抗原子氧微纳多孔涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN115521640B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202210207875.3

    申请日:2022-03-03

    Abstract: 本发明公开了一种抗原子氧微纳多孔涂层及其制备方法。所述抗原子氧微纳多孔涂层包括:形成在聚合物基体表面的由纳米氧化物颗粒和硅烷偶联剂粘结形成的多孔微纳结构涂层;所述硅烷偶联剂为具有氨基的硅烷偶联剂;所述聚合物基体为具有羧基的改性聚合物基体。本发明所涉及的涂层由无机氧化物纳米颗粒组成的骨架构成,为具有纳米孔隙的微纳结构,其柔韧性得到显著提高,防开裂性能优异,并且具备优异的抗原子氧侵蚀性能;同时,该涂层具有纳米骨架组成可替换的特点,可满足防原子氧涂层的增透、防静电等功能需求,而且其原料及制备价格低廉,易于实施操作,可广泛应用于航天领域中受原子氧侵蚀影响的低轨航天器。

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