公开(公告)号：CN101139700A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710047376.8

申请日：2007-10-24

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 李效民 ,  何西亮 ,  吴洁华 ,  宋力昕 ,  高相东

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/10 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明涉及一种氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法，其特征在于将硅靶及清洗后的衬底置于真空生长室中；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照硅靶材，同时在真空室中通入一定量的氧气，利用外部电源施加高压将通入的氧气体电离，产生高化学活性的氧等离子体，氧等离子体起辅助生长以及补充脉冲激光法沉积二氧化硅薄膜过程中需要补充的氧的作用；相比没有氧等离子体辅助的脉冲激光沉积二氧化硅薄膜，本发明可以制备出化学计量比的高性能的二氧化硅薄膜。

公开(公告)号：CN101478109A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910045114.7

申请日：2009-01-09

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 李效民 ,  何西亮 ,  吴洁华 ,  宋力昕 ,  高相东

IPC: H01S3/042 ,  H01S3/16 ,  H01S3/0941

Abstract: 本发明涉及一种用于激光晶体的光学薄膜结构及其制备方法，其特征在于：在传统的用于激光晶体的介质/金属的复合膜系之间增加了一层硬质薄膜缓冲层，其作用是增加介质－金属复合膜系的结合力，并提高复合膜系的抗激光损伤阈值，适应了大功率激光器的发展需要。所述的缓冲层薄膜是通过电子束热蒸发制备的，生长过程是首先将TiN颗粒及清洗后的衬底置于真空生长室中；将生长室抽真空；利用电子束照射TiN颗粒，同时在真空室中通入一定量的氮气或是氮离子，TiN缓冲层薄膜就会沉积到衬底上。本发明TiN缓冲层可以显著提高复合膜系的结合力和抗激光损伤阈值，对于飞速发展的高功率激光器有着重大的理论和现实意义。