公开(公告)号：CN100524623C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610116508.3

申请日：2006-09-26

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 刘学超 ,  施尔畏 ,  陈之战 ,  张华伟 ,  范秋林 ,  宋力昕

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法，以Co为磁性掺杂源，以Al为施主掺杂源制备(Co，Al)共掺杂的ZnO薄膜。制备过程采用Zn1-x-yCoxAlyO(0＜x≤0.15，0＜y≤0.03)靶材，Co的掺杂浓度可以通过调节靶材中的Co含量控制，薄膜中的载流子浓度和氧缺陷可以通过调节靶材中的Al含量和高纯O2和Ar不同分压比来控制。采用ICP-PVD法可以有效的控制掺杂浓度，稳定性好。该设备简单，操作方便，与普通磁控溅射设备相比引入了电磁场约束系统，在溅射过程中能够对等离子体中的电子和各种带电离子起到约束和加速作用，从而降低了薄膜的生长温度，薄膜具有表面平整、晶粒大小均匀，良好C轴取向的优点，并获得了室温以上的铁磁性。

公开(公告)号：CN101465172A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810205224.0

申请日：2008-12-31

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 章俞之 ,  宋力昕 ,  曹韫真 ,  齐振一 ,  范秋林 ,  胡行方

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G02F1/1333 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06

Abstract: 本发明涉及一种复合结构透明导电膜及其制备方法，尤其涉及一种采用磁控溅射工艺制备的复合结构透明导电膜及其制备方法，属于真空镀膜与光电子器件技术领域。本方法的复合结构透明导电膜具有多层结构，包括柔性基材层(1)；在柔性基材层上的SiO2或Al2O3中间层(2)；和在中间层上的ITO导电层(3)。本发明的制备方法通过增加中间层、控制工艺参数，制备得到的透明导电膜表面电阻在50～600Ω/□、可见光550nm波段透光率82～98％，适于显示器件和太阳薄膜电池等领域应用。

公开(公告)号：CN1929091A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610116508.3

申请日：2006-09-26

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 刘学超 ,  施尔畏 ,  陈之战 ,  张华伟 ,  范秋林 ,  宋力昕

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法，以Co为磁性掺杂源，以Al为施主掺杂源制备(Co，Al)共掺杂的ZnO薄膜。制备过程采用Zn1－x－yCoxAlyO(0＜x≤0.15，0＜y≤0.03)靶材，Co的掺杂浓度可以通过调节靶材中的Co含量控制，薄膜中的载流子浓度和氧缺陷可以通过调节靶材中的Al含量和高纯O2和Ar不同分压比来控制。采用ICP－PVD法可以有效的控制掺杂浓度，稳定性好。该设备简单，操作方便，与普通磁控溅射设备相比引入了电磁场约束系统，在溅射过程中能够对等离子体中的电子和各种带电离子起到约束和加速作用，从而降低了薄膜的生长温度，薄膜具有表面平整、晶粒大小均匀，良好C轴取向的优点，并获得了室温以上的铁磁性。

公开(公告)号：CN2633899Y

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN03232693.9

申请日：2003-07-02

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 范秋林 ,  曹韫真 ,  胡行方 ,  于云 ,  章俞之 ,  肖兴成 ,  宋力昕

IPC: C23C14/35

Abstract: 本实用新型涉及一种电磁场约束电感耦合等离子体增强气相沉积薄膜系统，属于薄膜材料制备设备领域。该系统包括真空子系统(1)、溅射子系统(2)、气体混合及输入子系统(3)、等离子体辅助子系统(4)、电磁场约束子系统(5)、衬底加热及控温子系统(6)和衬底偏压子系统(7)组成；该系统能针对不同的薄膜材料体系、结构性能和应用目标，灵活又经济地改变或切换成膜技术和操作模式进行各种试验。