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公开(公告)号：CN119529358A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311105618.X
申请日：2023-08-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种抗原子氧/防静电/耐紫外复合防护涂层及其制备方法和应用。所述抗原子氧/防静电/耐紫外复合防护涂层包括：聚合物基体，以及形成在聚合物基体表面的硫掺杂三元类水滑石防护层；硫掺杂类水滑石防护层包含硅烷偶联剂和硫掺杂三元类水滑石纳米片复合材料。
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公开(公告)号：CN115746368B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202211564823.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C08J7/04 , C08J7/12 , C08L27/12 , C09D183/06 , C09D7/61
Abstract: 本发明涉及聚合物表面抗原子氧/截紫外改性膜层及其制备方法和应用。所述聚合物表面抗原子氧/截紫外改性膜层包含C、O、Si，以及Ti、Zn、Ce、Fe中的一种或多种元素组成；优选包含Si‑O‑Si、Si‑O‑Ti、Ti‑O‑Ti、Si‑O‑Zn、Zn‑O‑Zn中至少一种骨架构成的有机‑无机杂化材料。
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公开(公告)号：CN115746368A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211564823.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C08J7/04 , C08J7/12 , C08L27/12 , C09D183/06 , C09D7/61
Abstract: 本发明涉及聚合物表面抗原子氧/截紫外改性膜层及其制备方法和应用。所述聚合物表面抗原子氧/截紫外改性膜层包含C、O、Si，以及Ti、Zn、Ce、Fe中的一种或多种元素组成；优选包含Si‑O‑Si、Si‑O‑Ti、Ti‑O‑Ti、Si‑O‑Zn、Zn‑O‑Zn中至少一种骨架构成的有机‑无机杂化材料。
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公开(公告)号：CN111596388A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010461999.5
申请日：2020-05-27
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于介电常数近零薄膜的近红外宽带完美吸收器及其制备方法，所述基于介电常数近零薄膜的近红外宽带完美吸收器包括：衬底基材，依次形成于所述衬底基材上的反射薄膜、介电常数近零薄膜和超薄无损介质薄膜；所述超薄无损介质薄膜的厚度小于近红外宽带完美吸收器的中心吸收波长的十分之一，优选为小于二十分之一。
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公开(公告)号：CN110231298A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910376696.0
申请日：2019-05-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01N21/3563
Abstract: 本发明提供一种基于双调制测量材料中红外热辐射光谱的方法和装置，该装置具备：傅里叶变换红外光谱仪，包括将样品辐射信号分解成具有光程差的反射信号和透射信号实现干涉调制的迈克尔逊干涉仪、接收干涉仪的信号的双通道MCT探测器、与探测器相连以采集和记录辐射信号信息的电路板、与电路板相连的含傅里叶逆变换程序的计算机；机械调制系统，包括斩波器及锁相放大器，斩波器的控制单元将同频率参考信号输入到锁相放大器参考信号输入接口，探测器交流信号输出接口与锁相放大器信号输入接口相连，锁相放大器信号输出接口与探测器直流信号输入接口相连；高真空样品室，包括样品架和设于样品架的待测样品。本发明能够保证接收到足够强的信号强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105937019B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610417173.2
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO2薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90 nm～165 nm。本发明的有益效果是：将金属元素Mg均匀的掺入VO2薄膜内，得到的掺杂VO2薄膜表面有孔的产生，致密度减小，孔径大小随着Mg掺杂浓度的增加而减小，薄膜表面有孔产生，薄膜的致密度减小，且在可见‑近红外波段的透过率增加，光的调制能力增强。
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公开(公告)号：CN105937019A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610417173.2
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/0036 , C23C14/3464
Abstract: 本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO2薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90 nm～165 nm。本发明的有益效果是：将金属元素Mg均匀的掺入VO2薄膜内，得到的掺杂VO2薄膜表面有孔的产生，致密度减小，孔径大小随着Mg掺杂浓度的增加而减小，薄膜表面有孔产生，薄膜的致密度减小，且在可见‑近红外波段的透过率增加，光的调制能力增强。
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公开(公告)号：CN118169791A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211570799.9
申请日：2022-12-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种可调控中红外热辐射器及其调控与制备方法。所述可调控中红外热辐射器包括：熔融石英或者单晶硅衬底，形成于所述衬底上的Ag质背反射层，形成在所述背反射层上的第一相变膜层VO2，形成在所述第一相变膜层上的第二相变膜层锗锑碲Ge8Sb2Te11，以及形成在所述第二相变膜层上的介质层非晶态锗锑碲Ge8Sb2Te11；所述背反射层、第一相变膜层、第二相变膜层和介质层的总厚度小于工作波长的四分之一。
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公开(公告)号：CN115785592B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211564158.2
申请日：2022-12-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明涉及基于表面改性氟塑料薄膜的二次表面镜及其制备方法和应用。所述基于表面改性氟塑料薄膜的二次表面镜包括：氟塑料薄膜和防静电层，以及分布在氟塑料薄膜和防静电层之间的改性层；所述改性层包含C、O、Si，以及Ti、Zn、Ce、Fe中的一种或多种元素组成；优选包含Si‑O‑Si、Si‑O‑Ti、Ti‑O‑Ti、Si‑O‑Zn、Zn‑O‑Zn中至少一种骨架构成的有机‑无机杂化材料。
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公开(公告)号：CN116731541A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210207848.6
申请日：2022-03-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种抗原子氧水滑石涂层及其制备方法与应用。所述抗原子氧水滑石涂层包括：形成在聚合物基体表面的由水滑石纳米片或类水滑石纳米片中至少一种和硅烷偶联剂交联形成的多孔涂层。与目前常规致密的抗原子氧涂层不同，本发明所涉及的涂层由防护单元水滑石或类水滑石纳米片与氨烃基硅烷偶联剂共同构成，具有纳米片取向高度一致的叠层排列形成的非致密微纳结构，可以防止内应力作用而开裂；同时交联剂氨烃基硅烷偶联剂能增强涂层与基体间的界面附着力，防止剥脱现象的发生。该涂层主体为无机水滑石或类水滑石纳米片层，原料价格低廉、工艺简捷、操作方便，且抗原子氧/防剥落开裂性能优异，可广泛应用于航天领域。
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