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公开(公告)号：CN101465383B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810205004.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/82
Abstract: 本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属层与多晶硅层之间形成稳定的肖特基接触，所述金属层为金属单质、或为合金。本发明通过多晶硅的沉积辅助以退火处理，使其与特定金属形成肖特基接触制造肖特基二极管，成本上具有竞争力，更有望在三维的立体电阻转换存储电路中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN101299454B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810038907.1
申请日：2008-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米复合相变材料的制备方法。特征在于利用相变材料中各个原素之间不同的化学性能，在相变材料制备过程中通入适量反应气体，使相变材料中的一种或者多种元素在材料生长过程中优先与反应气氛反应并形成固体化合物，与反应剩余相变材料形成复合材料：化合物将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、微小的区域，从而把相变材料的相变行为限制在小区域内，减小了相变材料的晶粒；同时因为形成的固体化合物与相变材料间“取长补短”，充分弥补了单一材料的缺点，产生了单一材料所不具备的优越的性能。纳米复合相变材料应用到相变存储器中，不仅提升了相变存储器的加热效率，降低了器件的功耗，而且又提高了器件存储速度、数据保持能力等。
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公开(公告)号：CN101665916B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910196760.3
申请日：2009-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种制备相变材料的溅射靶材的方法，其首先将已使用过的具有孔隙的相变材料溅射靶材通过抛光工艺去除其表面的氧化物和杂质，再采用去离子水清洗已经过抛光处理的溅射靶材，接着将经过清洗后的溅射靶材放入真空炉中烘干，最后将与所述溅射靶材同材质的靶材粉末填充在经过烘干的溅射靶材的孔隙中，然后再将所述溅射靶材放在真空热压烧结炉中进行热压烧结以制备出新的相变材料的溅射靶材，如此可有效降低生产成本，避免资源的浪费。
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公开(公告)号：CN102011089A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010289914.6
申请日：2010-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法，可用于纳米晶电阻转换存储器，解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能，提升器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN101807545A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010130588.4
申请日：2010-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8222 , H01L21/329 , H01L21/324 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵列及基于该种二极管的电阻转换存储器。本发明的特点在于可在较低的温度下制造二极管，且能在多层堆叠的集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN101794808A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010127295.0
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/763
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器装置及其制造工艺，所述电阻转换存储器装置通过双浅沟道隔离形成二极管阵列，深度不同的第一浅沟道与第二浅沟道非正交相交；第一浅沟道将第一导电类型的重掺杂导电半导体线分隔开，形成多根半导体线；第二浅沟道则在同一重掺杂导电半导体线上方隔离形成多个二极管；二极管对应所需选通的电阻转换存储器单元。
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公开(公告)号：CN101465383A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810205004.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/82
Abstract: 本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属层与多晶硅层之间形成稳定的肖特基接触，所述金属层为金属单质、或为合金。本发明通过多晶硅的沉积辅助以退火处理，使其与特定金属形成肖特基接触制造肖特基二极管，成本上具有竞争力，更有望在三维的立体电阻转换存储电路中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN101459129A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810207298.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺步骤制造二极管阵列，有效节省了光刻次数，采用特定的金属与半导体，使两者之间形成稳定的肖特基接触，用于肖特基二极管的形成，进而对存储器件进行选通。作为本发明的一部分，还包括基于自对准肖特基二极管阵列的电阻转换存储器的制造方法。
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公开(公告)号：CN101329909A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040952.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的系统及方法，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后，对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复，将读反馈与编程操作并行进行，在提高存储其编程操作可靠性的同时，不影响整体编程速度。
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公开(公告)号：CN101329908A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040951.6
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种高速互补单元相变存储器，所述存储器中每个存储单元有两个用于存储信息的元器件，且该元器件具有被编写能力；通过这两个元器件的电阻大小相互比较，作为划分不同存储状态的依据。本发明的高速互补单元相变存储器可以加快存储器读出速度，增加读出裕量，并且减小读电流或电压的累积效应以及工艺，版图布局对相变存储器的影响。同时，还可以减小多次读操作或写操作后，相变单元上电阻的改变对正确读出存储数据的影响。
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