公开(公告)号：CN112305785A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910690187.5

申请日：2019-07-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 蔡艳 ,  俞文杰 ,  王书晓 ,  刘强 ,  余明斌

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明提供一种基于SOI衬底的热光相移器的制备方法，包括步骤：形成图形化的SOI衬底，所述SOI衬底自下而上依次包括底硅层、绝缘层及顶硅层，所述SOI衬底内具有凹槽，所述凹槽的下表面与所述底硅层的下表面具有间距，所述顶硅层覆盖所述凹槽；对所述凹槽上方的所述顶硅层进行光刻刻蚀以形成硅波导；形成介质层、加热电阻及金属电极；所述介质层至少覆盖所述硅波导；所述加热电阻位于所述硅波导的上方或位于所述硅波导的一侧，所述加热电阻与所述硅波导之间具有间距；所述金属电极与所述加热电阻相连接。本发明有助于生产良率和器件性能的提高，有利于制备流程的进一步简化和生产成本的降低。

公开(公告)号：CN219496722U

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202320559890.4

申请日：2023-03-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 伯扬 ,  李卓芸 ,  岳文成 ,  蔡艳

IPC: G02B6/26

Abstract: 本实用新型涉及一种多层结构层间耦合器，包括：下波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第一波导和第一渐变波导，沿第一波导指向第一渐变波导的方向，第一渐变波导的宽度逐渐变窄；第一渐变波导之间呈错层结构；上波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第二渐变波导和第二波导，沿第二渐变波导指向第二波导的方向，第二渐变波导的宽度逐渐变宽；第二渐变波导之间呈错层结构；包层，位于上波导部分和下波导部分之间；第一渐变波导和第二渐变波导的空间交叠部分形成层间耦合区。本实用新型能够提高耦合效率，同时减小器件尺寸。

公开(公告)号：CN218938554U

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202223570925.9

申请日：2022-12-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 岳文成 ,  蔡艳

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/136

Abstract: 本实用新型涉及一种微纳结构加载的基于槽型波导的超紧凑型波导结构，通过在槽型波导的条形波导上构建微纳结构，使得条形波导的等频率线在光的传输方向上发生偏移，与槽型区域的等频率线无交叠，从而使得槽型波导的高折射率的条形波导区和低折射率的槽型区都可以有效传输光场且彼此之间无串扰，以提高集成光子芯片的空间利用率。