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公开(公告)号：CN100356606C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200310109372.X
申请日：2003-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及相变存储器中纳米量级单元器件的制备方法，属于微电子领域。本方法特征在于先在基底上制备10-400nm的过渡层和50-400nm的下电极；接着利用网眼孔径为10-500um的掩膜连续溅射约为10-1000nm的合金层以及20-400nm的上电极，得到了众多柱体。然后针对合金层进行腐蚀，由于该腐蚀液对上下电极和合金腐蚀速度的不同，上下电极将基本不被腐蚀；腐蚀后合金层呈现出为两头粗中间细的形状。这种中间细的结构有利于相变合金材料的相变，正是相变存储器研发设计中所要求的。最后，在上述样品上沉积填充物，在柱体中段凹进去的地方形成了间隙，间隙在此起到绝热和抑制合金层相变时膨胀的作用。相变合金层不一定是柱状，可以为其他形状。
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公开(公告)号：CN101046457A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710040418.5
申请日：2007-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生物微质量检测的硅基压电薄膜传感器及制备方法。本发明特征是在(100)取向的硅片上，先后沉积具有λ/4(λ为波长)厚度的Bragg反射层；接着在Bragg反射层上沉积压电薄膜层和金电极层；采用相关电极图形化工艺，在其上制作与标准微波测量相匹配的电极结构；经相关退火温度得到硅基压电薄膜传感器；在硅基压电薄膜传感器上先后涂敷系列生物探针，结合清洗后，采用三明治夹心技术点样特异性结合生物体微量，可测出传感器谐振频率的相应变化。进而由相应公式换算得到待测生物体的微质量。这种多功能集成传感技术与现代生物技术相结合，可使微量生物测量的高通量、强特异性、高灵敏分析成为可能。
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公开(公告)号：CN101980109B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010528933.X
申请日：2010-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F3/01 , G06F3/0346
Abstract: 本发明揭示了一种无线操控显示系统，包括显示装置、无线操作装置；显示装置包括显示单元、计算机系统、传感器；传感器能够感知和反馈到来自于无线操作装置的光信号，传感器将来自于无线操作装置的操作信号反馈回计算机系统，形成对显示装置和集成计算机系统的非接触式操作；无线操作装置至少包含非触摸控制单元，非触摸控制单元包括定位部分和操作部分；由定位部分来定位所需选择的选项和所需操作的位置；由操作部分来点击选项、进行操作，实现非接触式控制和操作。本发明通过光信号点击装置实现带有传感器阵列显示装置的操作，传感器将操作反馈到计算机系统，实现对显示系统的全方位操作，有望在智能电视系统中获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101924069B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010172878.5
申请日：2010-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的薄膜转移到衬底晶圆上。随后在转移后的晶圆上进行刻蚀、薄膜沉积和化学机械抛光等工艺得到所需的二极管单元、加热电极、电阻转换存储单元及上电极等。本发明中二极管结构层薄膜的转移可以重复实施，从而可集成得到多层1D1R结构存储单元，多层结构中的垂直互连可以有效减少互连线的RC延迟，因此本发明制备三维电阻变换存储结构的方法可以适用于高密度、高速存储芯片设计。
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公开(公告)号：CN101752312B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810203942.4
申请日：2008-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法，其首先在具有第一导电类型的衬底上采用侧墙技术等工艺手段制作出相互独立的字线阵列，并使各字线由较深的浅沟道隔离槽(STI)隔离，再通过沉积及光刻等工艺，在每一STI的底部及部分侧壁，沉积含有易扩散第二导电类型原子的材料层，接着采用高温退火等处理方法使上述材料层中的第二导电类型原子扩散至相应各字线中，然后再采用离子注入及光刻等工艺在各字线上形成两层不同导电类型的薄层，并再次采用侧墙技术等工艺手段分离处于同一字线上的各二极管，且使各二极管之间被较浅的STI所分离，最后进行介质材料填充及平坦化形成二极管阵列，此方法制作的二极管阵列密度高，成本具有一定优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826463B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010138167.6
申请日：2010-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/872 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供的共用金属层的肖特基二极管和相变存储阵列的制造方法在制造形成肖特基二极管结构后，以肖特基二极管的金属层作为相变存储器的下电极，在其金属层上继续沉积不具有下电极的相变存储器结构，由此实现肖特基二极管和相变存储器的金属层共享，通过这种驱动二极管和相变存储器共用金属层的结构，可以有较少的工艺步骤制造了二极管和相变存储器阵列，有效节省了光刻次数，提高器件稳定性，通过采用特定的半导体，使得电极金属和半导体层之间形成稳定的肖特基接触。作为本发明的一部分，还包括采用前述方法所形成的肖特基二极管和相变存储器的共用金属层的结构。
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公开(公告)号：CN101794808B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010127295.0
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/763
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器装置及其制造工艺，所述电阻转换存储器装置通过双浅沟道隔离形成二极管阵列，深度不同的第一浅沟道与第二浅沟道非正交相交；第一浅沟道将第一导电类型的重掺杂导电半导体线分隔开，形成多根半导体线；第二浅沟道则在同一重掺杂导电半导体线上方隔离形成多个二极管；二极管对应所需选通的电阻转换存储器单元。
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公开(公告)号：CN101546810B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910050392.1
申请日：2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；由于该锗锑硒合金材料的电阻率具有随温度变化的特性，从而可以应用到电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的存储功能。
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公开(公告)号：CN102117823A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010532660.6
申请日：2010-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电阻转换纳米线与大尺寸选通管的矛盾，避开低效率、高难度集成问题，实现电阻转换纳米线与选通管的无缝对接，最终通过低成本的方法实现超高密度、高性能的电阻转换存储器阵列的高效制造。
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公开(公告)号：CN101350360B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810042296.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法，所述三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置包括如下结构：衬底、逻辑电路、底层字线阵列、至少一层存储层、位线阵列；所述衬底的一侧依次设有逻辑电路、底层字线阵列，所述至少一层存储层依次堆叠于所述底层字线阵列背对所述逻辑电路的一侧。本发明装置可实现高密度的存储方案。
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