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公开(公告)号：CN113805414A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111181959.6
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G03B21/14
Abstract: 本发明涉及一种曲面投影的方法，所需投影图像、所需投影曲面和初始源平面光场关联结构存在的对应关系式，通过所需投影图像灰度信息、所需投影曲面位置信息可推导初始源平面光场的关联结构信息，携带该关联结构初始源平面光场经过自由空间衍射可在所需投影曲面上投影所需投影图像。
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公开(公告)号：CN112764327A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110184852.0
申请日：2021-02-10
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种双光束干涉曝光系统中光栅基板表面光刻胶涂层在线扫描曝光预处理装置，包括：连续紫外激光光源，用于对光栅基板表面光刻胶涂层进行曝光；双光束干涉曝光系统；干涉场扫描测量系统，用于对干涉曝光场的强度分布进行二维扫描测量；扫描曝光预处理系统，将来自连续紫外激光光源的激光光束调制为具有一定空间强度分布和一定宽度的线激光束，并辐照在待处理光栅基板涂覆光刻胶的光刻胶面上。通过控制空间光调制器输出强度分布和一维位移台扫描速度实现光刻胶纳米涂层不同位置、不同曝光剂量的预处理。本发明解决了双光束干涉曝光技术制备衍射光栅中因干涉光束强度分布不均匀导致的光栅掩膜不均匀性的技术难关。
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公开(公告)号：CN112394436A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011336817.8
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种用于1064纳米波段的非对称结构全介质反射式合束光栅，其特征在于该光栅由下而上依次分别是光栅基底、周期膜系、位相匹配层和倾斜矩形槽型剖面的顶部光栅。本发明适用于中心波长1064纳米波段，具有偏振不敏感、超宽带、高效率的特点，能满足小型化光谱合束系统对高线密度、宽带不敏感合束光栅的需求。特别适合于结构紧凑、对光源线宽要求较低的双光栅高能激光光谱合束系统。
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公开(公告)号：CN111916330A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010634034.1
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 本发明提供一种光栅深刻蚀方法，该方法包括：光栅金属掩膜结构制备、反应离子束刻蚀、化学湿法腐蚀去除掩膜残留、倾斜镀制金属掩膜等过程。通过不断重复反应离子束刻蚀→残留掩膜去除→倾斜镀制金属掩膜→反应离子束刻蚀过程，可以在保持光栅占宽比的条件下逐步提升光栅的刻蚀深度，解决了氧化硅、氮化硅、氧化铪等常用光栅材料单次掩膜刻蚀选择比不高、无法实现大深宽比刻蚀的问题，为大深宽比衍射光学元件的刻蚀制备奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111580205A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010488461.3
申请日：2020-06-02
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 一种适用于54度～62度入射使用的宽谱脉宽压缩光栅，包括衬底以及所述衬底上的弦形光栅结构。所述弦形光栅结构的外形轮廓可由特定公式进行定义。所述的弦形光栅结构包括光敏材料光栅层和覆盖在光敏材料光栅层上的金属层。所述光栅的周期Λ为600～750纳米，占空比f1为0.4～1。所述弦形光栅层结构的槽深h为170～260纳米。所述金属层材料为金或者银(Au/Ag)，其厚度为100～220纳米。本发明的光栅中心波长为910纳米，在入射角θ为大角度54度～62度入射时，光栅的TM偏振光的-1级衍射效率在200纳米(810～1010纳米)以上带宽范围内大于90％。本发明中的脉宽压缩光栅在拍瓦级啁啾脉冲压缩技术中具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN110673444B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910863246.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种超大超重衬底表面光刻胶均匀涂覆的旋涂设备，包括旋涂主机、上下样系统和总控系统,该设备主要由气浮转台、密封腔体、匀胶转盘、自动滴胶系统、上下样系统及控制台组成。所述的具有自动动平衡调节功能的气浮转台是该设备的关键所在，所述的匀胶转盘是采用补圆法尽可能地降低方形衬底旋转时产生的不规则气流对涂胶均匀性的影响，所述的上下样系统用于保障超大/超重衬底安全地上下涂胶机工位。本发明设备能够满足在直径近两米、重量约700kg的衬底表面进行光刻胶的涂布工艺，在通光口径内的涂胶不均匀性优于±3％。
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公开(公告)号：CN110673444A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910863246.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种超大超重衬底表面光刻胶均匀涂覆的旋涂设备，包括旋涂主机、上下样系统和总控系统,该设备主要由气浮转台、密封腔体、匀胶转盘、自动滴胶系统、上下样系统及控制台组成。所述的具有自动动平衡调节功能的气浮转台是该设备的关键所在，所述的匀胶转盘是采用补圆法尽可能地降低方形衬底旋转时产生的不规则气流对涂胶均匀性的影响，所述的上下样系统用于保障超大/超重衬底安全地上下涂胶机工位。本发明设备能够满足在直径近两米、重量约700kg的衬底表面进行光刻胶的涂布工艺，在通光口径内的涂胶不均匀性优于±3％。
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公开(公告)号：CN106840610B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710011135.1
申请日：2017-01-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 一种真空环境下光学元件损伤阈值的测量装置和测量方法。采用等效光路法实现在真空环境中对光斑面积的准确测量和对测量过程中的光斑质量进行实时监测，确保对光学元件损伤阈值的准确测量。该装置可以在一次真空环境中实现对4片透、反射元件和衍射元件样品采用1‑on‑1、S‑on‑1、R‑on‑1和光栅扫描的方式进行损伤阈值测量，并能够对测试环境中的残余气体进行分析。且该设备能对测量过程进行自动控制并实现数据的自主采集，极大地提高了真空环境下光学元件的损伤测试效率。
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公开(公告)号：CN106840610A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710011135.1
申请日：2017-01-06
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/02
Abstract: 一种真空环境下光学元件损伤阈值的测量装置和测量方法。采用等效光路法实现在真空环境中对光斑面积的准确测量和对测量过程中的光斑质量进行实时监测，确保对光学元件损伤阈值的准确测量。该装置可以在一次真空环境中实现对4片透、反射元件和衍射元件样品采用1‑on‑1、S‑on‑1、R‑on‑1和光栅扫描的方式进行损伤阈值测量，并能够对测试环境中的残余气体进行分析。且该设备能对测量过程进行自动控制并实现数据的自主采集，极大地提高了真空环境下光学元件的损伤测试效率。
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