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公开(公告)号：CN114815025A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210596749.1
申请日：2022-05-17
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种大占宽比亚波长周期光栅结构制备方法，采用Bosch刻蚀技术在硅衬底上制备出侧壁带有锯齿状结构的光栅母版，使用纳米压印技术将光栅母版结构转移到压印胶中，然后采用镀膜技术沉积一层薄膜材料作为掩膜，最后通过lift‑off工艺将压印胶图形剥离并形成大占宽比光栅结构。本发明利用Bosch刻蚀技术形成的光栅侧面锯齿状结构替代传统负性光刻胶的倒梯形结构，避免了因镀膜过程中薄膜材料对光栅结构的包裹导致的lift‑off剥离困难问题，并解决了因负性光刻胶光刻胶分辨率不足导致的大占宽比、亚波长周期光栅结构制备难题，为大占宽比、亚波长周期光栅结构的制备提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN114815025B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210596749.1
申请日：2022-05-17
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种大占宽比亚波长周期光栅结构制备方法，采用Bosch刻蚀技术在硅衬底上制备出侧壁带有锯齿状结构的光栅母版，使用纳米压印技术将光栅母版结构转移到压印胶中，然后采用镀膜技术沉积一层薄膜材料作为掩膜，最后通过lift‑off工艺将压印胶图形剥离并形成大占宽比光栅结构。本发明利用Bosch刻蚀技术形成的光栅侧面锯齿状结构替代传统负性光刻胶的倒梯形结构，避免了因镀膜过程中薄膜材料对光栅结构的包裹导致的lift‑off剥离困难问题，并解决了因负性光刻胶光刻胶分辨率不足导致的大占宽比、亚波长周期光栅结构制备难题，为大占宽比、亚波长周期光栅结构的制备提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN117269169A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311193323.2
申请日：2023-09-15
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种大口径光学元件表面纳米级缺陷并行扫描检测装置，包括：单频紫外激光器，用于产生检测激光束；达曼分束光栅，用于将单频紫外激光器发出的激光束分束，产生强度分布均匀的检测子光束；多焦点空间滤波系统，将各检测子光束聚焦后进行空间滤波，滤除高频杂散光，形成“干净”的检测子光束；扫描检测系统，用于对被检测光学元件进行扫描并记录表面缺陷及其空间分布。通过控制扫描反射镜、CCD相机转台的扫描速度实现大口径光学元件表面缺陷的快速检测。本发明采用紫外相干激光光源并结合并行光束扫描技术，解决了大口径光学元件表面纳米级缺陷高分辨快速检测难题，为超光滑大口径光学元件的加工检测提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN117192914A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311186275.4
申请日：2023-09-14
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种反射式双光束干涉曝光系统的像差调控方法，包括：构建反射式双光束干涉曝光系统，将激光器输出的光束分为两束强度相同的双光束，并形成干涉曝光场；构建像差调控系统，利用球面干涉仪分别对双光束光路的像差进行测试和记录，并利用可变形反射镜对双光束中任一路光束的波前进行调控，使其与另一路光束的像差相匹配，完成干涉曝光场像差的调控。本发明解决了基于大口径离轴抛物面反射镜的反射式双光束干涉曝光系统精密装调、波前像差控制等难题，为米量级大口径、低像差衍射光栅的制备提供了新的解决方案。
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公开(公告)号：CN115332926A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210975142.4
申请日：2022-08-15
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
摘要： 一种集成嵌入式非均匀微通道的反射式光栅结构，其特征在于整个结构由上而下依次是光栅层、嵌入式非均匀微通道层、带有冷却液进出口的密封层。其中，非均匀微通道冷却层直接嵌入在光栅层下方的光栅基板上，其结构是依据入射在光栅表面的激光强度空间分布、光栅基板材料/几何尺寸等参数设计，微通道的空间间隔、通道宽度均成线性分布，而刻蚀深度为线性或高斯分布。本发明面向高能激光光谱合束、超强超短激光脉冲压缩等领域中使用的反射式光栅均匀热控制需求，提出了一种集成嵌入式非均匀微通道的反射式光栅结构，解决了因入射激光强度空间分布不均匀、光栅基板表面热传导不均等因素引起的光栅表面局部温升过高，进而导致光栅衍射波前畸变大的难题，为强激光作用下光栅表面温升及由此引起的波前畸变调控提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN115332926B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210975142.4
申请日：2022-08-15
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： H01S3/08018 , H01S3/10
摘要： 一种集成嵌入式非均匀微通道的反射式光栅结构，其特征在于整个结构由上而下依次是光栅层、嵌入式非均匀微通道层、带有冷却液进出口的密封层。其中，非均匀微通道冷却层直接嵌入在光栅层下方的光栅基板上，其结构是依据入射在光栅表面的激光强度空间分布、光栅基板材料/几何尺寸等参数设计，微通道的空间间隔、通道宽度均成线性分布，而刻蚀深度为线性或高斯分布。本发明面向高能激光光谱合束、超强超短激光脉冲压缩等领域中使用的反射式光栅均匀热控制需求，提出了一种集成嵌入式非均匀微通道的反射式光栅结构，解决了因入射激光强度空间分布不均匀、光栅基板表面热传导不均等因素引起的光栅表面局部温升过高，进而导致光栅衍射波前畸变大的难题，为强激光作用下光栅表面温升及由此引起的波前畸变调控提供了一种新思路。
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公开(公告)号：CN112764327B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110184852.0
申请日：2021-02-10
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种双光束干涉曝光系统中光栅基板表面光刻胶涂层在线扫描曝光预处理装置，包括：连续紫外激光光源，用于对光栅基板表面光刻胶涂层进行曝光；双光束干涉曝光系统；干涉场扫描测量系统，用于对干涉曝光场的强度分布进行二维扫描测量；扫描曝光预处理系统，将来自连续紫外激光光源的激光光束调制为具有一定空间强度分布和一定宽度的线激光束，并辐照在待处理光栅基板涂覆光刻胶的光刻胶面上。通过控制空间光调制器输出强度分布和一维位移台扫描速度实现光刻胶纳米涂层不同位置、不同曝光剂量的预处理。本发明解决了双光束干涉曝光技术制备衍射光栅中因干涉光束强度分布不均匀导致的光栅掩膜不均匀性的技术难关。
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公开(公告)号：CN115437219A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210949541.3
申请日：2022-08-09
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 清华大学
IPC分类号： G03F7/16
摘要： 一种大口径基板表面光刻胶膜均匀烘烤设备，该设备主要包括烘烤系统、基板上下样系统及控制系统。所述的烘烤系统主要由循环风机、加热元件、高效过滤器、烘烤腔室、腔室密封圈、风向导流片、进风端口、回风端口和循环风道、气体输入端口及排气端口构成，具有百级洁净度、温度控制范围20℃～200℃，腔室温度均匀性优于±3℃，温度精度±0.5℃。所述的基板上下样系统包含转运小车和基板升降装置，所述的转运小车具有小角度调节基板倾斜功能，且紧邻基板靠近进风端一侧设有导流板，既能确保大口径样片安全地上下烘烤腔室工位，又能优化膜层烘烤工艺。本发明设备能够实现双向米量级尺寸、超厚基板的光刻胶膜烘烤工艺，在涂胶后光刻胶膜厚均匀性基础上进一步提升其膜厚均匀性。
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公开(公告)号：CN112764327A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110184852.0
申请日：2021-02-10
申请人： 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种双光束干涉曝光系统中光栅基板表面光刻胶涂层在线扫描曝光预处理装置，包括：连续紫外激光光源，用于对光栅基板表面光刻胶涂层进行曝光；双光束干涉曝光系统；干涉场扫描测量系统，用于对干涉曝光场的强度分布进行二维扫描测量；扫描曝光预处理系统，将来自连续紫外激光光源的激光光束调制为具有一定空间强度分布和一定宽度的线激光束，并辐照在待处理光栅基板涂覆光刻胶的光刻胶面上。通过控制空间光调制器输出强度分布和一维位移台扫描速度实现光刻胶纳米涂层不同位置、不同曝光剂量的预处理。本发明解决了双光束干涉曝光技术制备衍射光栅中因干涉光束强度分布不均匀导致的光栅掩膜不均匀性的技术难关。
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