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公开(公告)号：CN110808212A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911089388.6
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并在n型掺杂氧化镓沟道层上沉积源电极和漏电极；在n型掺杂氧化镓沟道层上未被源电极和漏电极覆盖的位置刻蚀成一斜面，获得样品；在样品上未被源电极和漏电极覆盖的表面上生长介质层；在介质层的斜面上制备栅电极。通过刻蚀斜面的方式，可以使栅电极处于一个斜面上，栅电极靠近漏极的端点处角度变大，栅电极下尖峰电场被有效的抑制，电场分布更加均匀，从而大幅提升氧化镓场效应晶体管的击穿电压，提高氧化镓场效应晶体管的导通特性。
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公开(公告)号：CN110791805A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911056795.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种衬底、外延片及其生长方法。所述衬底，包括：晶片，所述晶片上外延BxAl1-xN薄膜层，所述BxAl1-xN薄膜层的厚度为1-2000nm。所述外延片为基于上述衬底制备的氮化物外延材料。本申请通过在晶片上外延BxAl1-xN薄膜形成BAlN复合衬底，然后在BAlN复合衬底上外延生长氮化物薄膜，由于B元素与氮化物晶格匹配，且BN晶格具有的滑移特性，降低氮化物外延薄膜的位错密度和应力，提高了氮化物外延材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN110676316A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910892871.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型场效应晶体管，增强型场效应晶体管自下而上依次包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和至少一层预设结构；预设结构自下而上依次包括绝缘介质层和场板；沟道层上分列有源电极和漏电极，势垒层上设有栅电极，钝化层位于源电极与栅电极之间以及栅电极与漏电极之间，绝缘介质层覆盖栅电极；在源电极和漏电极之间的沟道层中存在无载流子区和载流子区，在栅电极正下方以外的沟道层中存在无载流子区，且在栅电极正下方的沟道层中存在载流子区；在无载流子区的正上方具有场板。本发明提供的增强型场效应晶体管利用横向能带工程实现增强型器件，并利用场板结构能够提高击穿电压，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110544731A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910837936.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底；位于衬底上的第一外延层，该第一外延层为重掺杂外延层；位于第一外延层上的第二外延层，该第二外延层为轻掺杂外延层，或者，该第二外延层为由至少一层轻掺杂外延层和至少一层重掺杂外延层构成的双层或多层结构；位于第二外延层上或者形成于第二外延层中的欧姆接触层，该欧姆接触层为图形化的重掺杂层；其中，欧姆接触层形成于第二外延层中时，欧姆接触层的上表面不低于第二外延层的上表面，且，欧姆接触层的下表面高于第二外延层的下表面；位于欧姆接触层上的第一金属电极层。本申请能够提高紫外探测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN107500278B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710928128.8
申请日：2017-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备低褶皱密度石墨烯材料的生长方法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。包括以下步骤：选择绝缘衬底，对绝缘衬底清洗，干燥；将清洗好的绝缘衬底放入CVD设备中，抽真空至≤10‑4mbar；开启微波电源，真空环境升温，去除绝缘衬底表面吸附的气体；通入氩气和氢气作为载气，氩气流量为1‑30L/min，氢气流量为1‑60L/min；通入气态碳源，气态碳源流量与氢气流量之比控制在0.001％‑50％之间；通入气态氮源，流量为0.005‑2L/min；在生长温度在500‑1800℃之间，保持气体压力为500‑1000mbar，持续时间为1‑100min，在绝缘衬底表面得到1‑5层P型掺杂的石墨烯。该方法操作简单，成本低，可控制石墨烯材料表面褶皱密度，有助于制备表面形貌平坦，高质量的石墨烯材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444600A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910717860.X
申请日：2019-08-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，尤其涉及一种GaN基异质结场效应晶体管及制造方法。所述晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极；其中，所述势垒层的形成材料包括：B(Al,Ga,In)N；所述势垒层的禁带宽度大于所述沟道层的禁带宽度，且所述势垒层的禁带宽度小于所述插入层的禁带宽度。其中B(Al,Ga,In)N材质的势垒层形成的异质结界面带隙差非常大，势垒层拥有超大极化场强，只需较薄的厚度即可得到很高的二维电子气浓度，从而有效抑制器件尺寸等比例缩小带来的短沟道效应，满足器件的需求。
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公开(公告)号：CN110416290A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910695737.2
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明适用于晶体管制备技术领域，提供了一种金刚石晶体管制备方法，该方法包括：提供氢终端金刚石，在氢终端金刚石上制备源极和漏极；将预先制备的栅介质层转移贴合在制备有源极和漏极的氢终端金刚石上；在栅介质层上制备栅极，得到金刚石晶体管。通过转移栅介质层避免高温制备栅介质层破坏氢终端金刚石的沟道，从而避免了晶体管电流密度的退化。
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公开(公告)号：CN110395727A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910695721.1
申请日：2019-07-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于色心金刚石制备技术领域，提供了一种色心金刚石制备方法及色心金刚石，该方法包括：沿长方体状的金刚石的最短边的长度方向对长方体状的金刚石的任意一个最短边进行切削，形成凹弧形切削面；对切削后的金刚石进行处理产生色心；在产生色心的金刚石除凹弧形切削面外的其他面上均镀上复合膜；其中，复合膜包括高反射率镀层。激光由凹弧形切削面入射，提高了激光的光程。同时复合膜具有高反射率，可以避免激光和荧光被折射出金刚石，提高了荧光的收集率及激光的激发效率。
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公开(公告)号：CN107601473B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201710933876.5
申请日：2017-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备均匀一致的石墨烯材料的改进的化学气相沉积法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。选择半绝缘SiC衬底，清洗干燥后放入CVD设备中，抽真空；再去除SiC衬底表面吸附气体；通入氢气，氢气流量1‑60L/min，去除SiC衬底表面损伤层和划痕；成核阶段：通入氩气，氩气分压比例控制在70％以上；通入气态碳源，流量0.001‑10L/min，气态碳源与氢气流量之比为0.001％‑50％；生长阶段：氢气分压比例控制在70％以上；通入气态氮源，流量0.001‑2L/min；成核温度和生长温度在1100‑1900℃之间，保持气体压力50‑1000mbar，成核阶段持续时间1‑10min，生长阶段持续时间10‑100min，在SiC衬底表面得到1‑5层P型掺杂的石墨烯。该方法有助于制备表面形貌平坦，均匀一致的石墨烯材料。
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公开(公告)号：CN110164959A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910403134.0
申请日：2019-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/36
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种衬底及外延片。所述衬底包括晶片，所述晶片中包含预设原子，所述预设原子的浓度为1e11-1e18cm-3，其中，所述预设原子为铁原子、碳原子或硅原子中的至少一种。本发明在导电晶片上注入的原子，形成的衬底不仅不影响衬底本身的导电类型和掺杂浓度，也不影响后续外延层的导电类型和掺杂浓度，且注入的原子在外延时能扩散到外延材料中，能够填补外延材料中的碳空位，减少深能级缺陷，提高少子寿命。本申请在半绝缘晶片上注入碳原子、铁原子或铁碳混合原子形成的衬底，在生长时，注入的原子会扩散到GaN缓冲层中，形成高阻GaN缓冲层，为生长高频大功率GaN外延材料提供保障和基础。
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