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公开(公告)号：CN111024017A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911226757.1
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于仪器校准技术领域，提供了一种膜厚样片及膜厚样片的制备方法，所述膜厚样片包括：样片载体和至少两个样片本体，其中，各样片本体的薄膜厚度和/或薄膜类型不同，所述样片载体上开设有凹槽，各样片本体衬底朝下镶嵌在所述凹槽内，所述样片载体上设有用于指示各样片本体的薄膜厚度和薄膜类型的样片标识。本发明能够在对椭偏仪进行校准时，可以直接移动样片载体实现不同样片本体的替换，而无需取出样片、更换样片，从而增加了校准时的便捷程度，提高了对椭偏仪校准的效率。
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公开(公告)号：CN111024016A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911226289.8
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于仪器校准技术领域，提供了一种膜厚样片及膜厚样片的制备方法，所述膜厚样片包括：样片载体和至少两个样片本体，其中，各样片本体的薄膜厚度和/或薄膜类型不同，所述各样片本体衬底朝下粘贴在所述样片载体上，所述样片载体上设有用于指示各样片本体的薄膜厚度和薄膜类型的样片标识。本发明能够在对椭偏仪进行校准时，可以直接移动样片载体实现不同样片本体的替换，而无需取出样片、更换样片，从而增加了校准时的便捷程度，提高了对椭偏仪校准的效率。
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公开(公告)号：CN106017385B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201610578470.5
申请日：2016-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种标称高度10μm‑100μm台阶高度标准样块的制备方法，属于台阶仪校准技术领域。本发明包括如下步骤：采用双面抛光的硅晶圆片作为衬底材料；在硅晶圆片表面生长氧化层；在氧化层表面涂光刻胶；曝光，其中掩膜版为负版，图形区域为透光区；去除透光区的光刻胶；使用反应离子刻蚀机进行刻蚀，将没有光刻胶掩蔽的台阶区域的氧化层刻蚀掉；使用深反应离子刻蚀机刻蚀硅晶圆片，对没有光刻胶掩蔽的台阶区域的硅晶圆片进行刻蚀，刻蚀深度小于要制备的标准样块的标称高度；去除光刻胶；湿法刻蚀，刻蚀深度达到标称高度要求；在硅晶圆片表面溅射金属保护层，制得所要的标准样块。本发明能准确控制台阶高度，满足作为标准样块的要求，且成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106091952A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610375187.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 本发明公开了一种光谱型椭偏仪椭偏角的校准方法，包括如下步骤：第一步，确定膜厚标准样片的材料；第二步，确定膜厚标准样片的薄膜厚度，使得在所述薄膜厚度下得到的椭偏角能够覆盖所需校准的光谱型椭偏仪椭偏角的范围；第三步，制作膜厚标准样片；第四步，使用多台标准光谱型椭偏仪进行比对测量，确定膜厚标准样片的椭偏角的标准值，即为定标；第五步，使用膜厚标准样片对所需校准的光谱型椭偏仪的椭偏角进行校准，椭偏角的测量误差由所需校准的光谱型椭偏仪的椭偏角测量值与椭偏角的标准值相比较确定。本发明能根据需要全面覆盖光谱型椭偏仪椭偏角的测量范围，校准准确可靠。
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公开(公告)号：CN103983931B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410187953.3
申请日：2014-05-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种矢量网络分析仪S参数测量不确定度的确定方法，涉及矢量网络分析仪的校准方法技术领域。所述方法通过MCM仿真实现，避免了使用GUM法评定不确定度时需要考虑S参数间相关性的问题和使用经验算法得到的不确定度不完善的问题；该方法从校准件的定义出发，基于SOLT校准方法对矢量网络分析仪进行自校准，将校准件引入的不确定度通过矢量网络分析仪传递给被测件，最后，通过使用MCM仿真的方法得到矢量网络分析仪测量被测件S参数的测量不确定度及其相关性，以保证矢量网络分析仪能够获得被测件准确的S参数性能，提高了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN103983931A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410187953.3
申请日：2014-05-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种矢量网络分析仪S参数测量不确定度的确定方法，涉及矢量网络分析仪的校准方法技术领域。所述方法通过MCM仿真实现，避免了使用GUM法评定不确定度时需要考虑S参数间相关性的问题和使用经验算法得到的不确定度不完善的问题；该方法从校准件的定义出发，基于SOLT校准方法对矢量网络分析仪进行自校准，将校准件引入的不确定度通过矢量网络分析仪传递给被测件，最后，通过使用MCM仿真的方法得到矢量网络分析仪测量被测件S参数的测量不确定度及其相关性，以保证矢量网络分析仪能够获得被测件准确的S参数性能，提高了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN205879150U
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201620620984.8
申请日：2016-06-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种接触式台阶仪探针检测图形样块，涉及台阶仪测量技术领域，包括探针性能检查图形和扫描位置检查图形，探针性能检查图形设计成W型和M型分布在样块左右两个扫描区域，M型和W型台阶结构线条分别与水平方向呈30°、60°、90°、120°、150°五个角度，能对探针针尖十个位置进行性能检查，判断探针针尖是否有磨损或沾污；扫描位置检查图形设计为两个等腰直角三角形，斜边平行对向设置，并且每个等腰直角三角形的一个直角边与水平方向平行，在扫描位置检查图形两侧分别有T字线，用来指示探针针尖扫描位置和方向，可以判断样块放置是否水平以及探针扫描位置是否准确；可以及时校准探针，从而提高台阶仪的测量精度。
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公开(公告)号：CN205403829U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620154696.8
申请日：2016-03-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01D18/00
Abstract: 本实用新型公开了一种带有台阶高度的微米级光栅校准样片，涉及微纳米测量类仪器的校准领域。包括基底、以及在基底上设置的至少一组同一周期尺寸的光栅结构和覆盖在光栅结构表面的金属层；所述一组同一周期尺寸的光栅结构包括同一周期尺寸的一维X方向栅条结构、同一周期尺寸的一维Y方向栅条结构和同一周期尺寸的二维栅格结构，所述一维X方向栅条结构和一维Y方向栅条结构中的若干个栅条分别沿X方向和Y方向均等排列，所述二维栅格结构中的若干个栅格沿X方向和Y方向均等排列，所述栅条和栅格均为凸起的台阶高度结构。该样片具有多种量值、多种结构，避免了校准过程中频繁更换样片，提高了校准效率。
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