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公开(公告)号：CN105489981A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510990489.6
申请日：2015-12-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于微机械通孔的MEMS数字可调滤波器，采用容MEMS体工艺和表面牺牲层工艺相兼容的方法制成，包括高阻硅衬底，高阻硅衬底上方设有滤波器的谐振结构，谐振结构四周设有微机械通孔，谐振结构具有输入端和输出端，谐振结构包括多个谐振器，每级谐振器末端串联一组MEMS开关，MEMS开关具有偏置网络和空气桥，MEMS开关加载电容后形成数字调谐可变电容。本发明利用微机械通孔显著减小了滤波器的尺寸，利用MEMS开关实现了不同的中心频率和带宽，降低了通信系统的复杂性，提高了系统的集成度，降低了成本。
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公开(公告)号：CN103043605B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210521807.0
申请日：2012-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明是微型电镀立体结构提高圆片级金属键合强度的工艺方法，通过对其中一个晶片采用双层电镀工艺，以独立的、立体的、阵列式几何图形制备，实现圆片级金属键合的剪切强度与键合面积的增强，提高键合成品率，至少包括在原有器件设计版图上增加第二次电镀金属的几何图形版图，如小尺寸的网格状、柱状等几何凸起图形；通过辅助的金属粘附层实现二次电镀，与另一个晶片金属扩散键合。优点：工艺简单，剪切强度高、成品率高，克服常规金属键合工艺对键合晶片及其晶片金属表面的电镀平整度要求极高而易导致局部区域键合不上、键合面积不足、键合强度不够等晶片机键合质量不高问题，实现器件键合区域键合完好，剪切强度显著增加，实现圆片级密闭封装。
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公开(公告)号：CN103050748B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210522243.2
申请日：2012-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明是微屏蔽结构全密封式的层叠微机械滤波器，其结构包括上层衬底和下层衬底，其中上层衬底和下层衬底通过微机械对准键合工艺形成一体。微波信号由上层衬底滤波器输入端传送至下层衬底输入信号接口传输线，下层衬底信号输出通过输出通孔连接至上层衬底的滤波器输出端，滤波器的下层衬底的下表面为下层接地面，上层衬底的上表面除滤波器输入端、输出端图形外，为上层接地面，上层接地面和下层接地面通过金属通孔阵列实现电连接。优点：该滤波器利用三维通孔互连实现了上下硅片间的信号互连，上、下层衬底尺寸相同，减小输入输出接口的物理尺寸；采用全密封腔结构，减小微波泄漏；避免在芯片分离等后道工艺中水流、碎屑等对芯片内部结构的污染。
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公开(公告)号：CN100435408C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200610098168.6
申请日：2006-12-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明针对目前基于传统工艺制造的滤波器存在的体积大、衰减性能无法满足使用要求的问题，公开了一种基于MEMS技术的层叠式滤波器，其基本结构采用多层分布式耦合线结构。两个接地面分别位于第1介质层(d1)的上面(f1)和第3介质层(d3)的下面(f6)，级间耦合线谐振器(r1，r2，……，r7)和输入输出端(t1，t2)位于各介质层(d1，d2，d3)中间，信号通过同层平面耦合谐振以及上下层面间耦合谐振实现滤波性能，输入、输出端采用抽头线结构，中间耦合线(r8)引入交叉耦合，从而增强阻带衰减特性。各个介质层的厚度控制、介质层上图形以及多层间的对准、装配均通过MEMS(微电子机械系统)微加工工艺形成，从而实现高精度，易集成、可批量生产等特点。
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公开(公告)号：CN101202369A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710191173.6
申请日：2007-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明是一种小型化MEMS开关线移相器，包括MEMS开关、参考相移位传输线、相位延迟传输线、开关偏置线、背面接地层、介质衬底、微波接地端子、微机械通孔。优点：通过高阻抗分布式元件、集总元件和微机械通孔微波接地形成的相位延迟传输网络，保持了传输通道低插损性能，减小移相器大相移单元位传输线的芯片面积；减小移相器小相移单元位延时线所占的芯片面积；减小芯片面积；通过选择小型化设计的MEMS开关，如内禀式悬臂梁MEMS开关，使MEMS开关所占芯片面积最小化；微波信号和开关驱动信号隔离，保持MEMS开关和移相器宽带性能，MEMS开关偏置电路所占芯片面积最小；微机械通孔技术，使芯片上微波接地设计简单方便，并最大程度上减小芯片的面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119652278A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411710731.5
申请日：2024-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种体声波谐振器滤波器释放孔结构的优化方法，包括步骤1、在释放孔位置的上表面和/或下表面增设辅助释放结构；其中，辅助释放结构材料与压电层材料的晶格失配率低于5％，辅助释放结构为环形，辅助释放结构的内径不小于释放孔设计直径的中心值，且与顶电极或底电极不接触。步骤2、制备释放孔：采用氧化硅作为硬掩膜，在释放孔位置进行释放孔图形化，形成竖向的释放孔。步骤3、制备空腔：通过释放孔，对牺牲层材料进行释放，在底电极下方形成与释放孔相连通的空腔。本发明通过在释放孔的表面增加辅助释放结构，能使释放孔整体结构强度增强、形貌尺寸易于控制，避免释放孔周围出现微缺陷，可有效提升器件成品率。
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公开(公告)号：CN114045471B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202111392163.5
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种等离子体增强型化学气相淀积设备薄膜均匀性改善装置。根据量测仪器获得的圆片介质厚度分布图，结合八寸设备生长六寸、八寸圆片的实际情况，通过在八寸分气盘内侧凹槽内增加挡气圆环，腔体上盖出气口零件中心开孔的方式，尽量使气体收敛于六寸圆片区域，减小圆片边缘的气体流量，从而使长膜厚度均匀性改善。本发明避免了因长膜均匀性不合格导致的圆片报废风险，该方法可为改善等离子体增强型化学气相淀积设备薄膜均匀性提供一种解决方案。
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公开(公告)号：CN117393419A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311470319.6
申请日：2023-11-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/3213 , G03F7/16 , G03F7/42
Abstract: 本发明是一种整晶圆表面图形化方法包括步骤：提供整晶圆，整晶圆表面具有三维微结构；对整晶圆表面喷胶及烘烤以形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光；在第一光刻胶层表面喷胶及烘烤以形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光；进行显影以在第一光刻胶层形成第一凹槽，在第二光刻胶层形成第二凹槽；进行薄膜沉积以在第一凹槽及第二凹槽暴露出的整晶圆表面形成金属图形并在第二光刻胶层形成金属层；去除第一光刻胶层、第二光刻胶层及上方的金属层。本发明实现在三维微结构上具有一定线宽精度的厚金属图形化，可为进一步的三维集成与封装提供圆片键合所需的共晶键合层，实现三维形貌晶圆级封装。
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公开(公告)号：CN115732406A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211497832.X
申请日：2022-11-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种高径深比异孔TSV一次性填充的工艺方法，包括准备衬底晶圆，并通过刻蚀在圆片上形成多种径深比的TSV盲孔；圆片表面（含孔内）沉积Cu种子层；采用变频流速的方法，实现高径深比异孔TSV的一次性完全填充。通过采用变频流速及调频层流板的方式，使基板孔周围形成“S”型流场，从而间断性调节各孔内的添加剂浓度及Cu离子浓度，使其充分保障各孔内填充能力，简单有效的实现了多种径深比异孔TSV的完全填充，解决了现有工艺中因分步多次填充带来的种子层损伤的工艺问题，以及解决了分步工艺的导致的工艺复杂性问题，同时完成了高径深比异孔TSV的一次性完全填充问题，有效的提高了工作效率，降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN114045471A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111392163.5
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种等离子体增强型化学气相淀积设备薄膜均匀性改善装置。根据量测仪器获得的圆片介质厚度分布图，结合八寸设备生长六寸、八寸圆片的实际情况，通过在八寸分气盘内侧凹槽内增加挡气圆环，腔体上盖出气口零件中心开孔的方式，尽量使气体收敛于六寸圆片区域，减小圆片边缘的气体流量，从而使长膜厚度均匀性改善。本发明避免了因长膜均匀性不合格导致的圆片报废风险，该方法可为改善等离子体增强型化学气相淀积设备薄膜均匀性提供一种解决方案。
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