-
公开(公告)号：CN117647756A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202410116711.9
申请日：2024-01-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种功率器件短路瞬态结温测试方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：控制拍摄设备的工作时间点早于或等于待测功率器件发生短路的时间点；在所述待测功率器件发生短路的情况下，通过所述拍摄设备拍摄多张所述待测功率器件的表面图像；根据拍摄得到的多张表面图像，确定所述待测功率器件在发生短路的情况下，所述待测功率器件的表面在不同时刻对应的反射率；获取预设的映射关系，所述映射关系表征所述待测功率器件表面的反射率与温度之间的关联关系；基于不同时刻对应的反射率和所述预设的映射关系，生成所述待测功率器件处于短路状态时的结温热成像。采用本方法能够提高测试的准确性。
-
公开(公告)号：CN117455978A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311285698.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种器件缺陷长度确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取包括待识别器件的目标图像；识别所述目标图像中所述待识别器件的缺陷边界；确定所述缺陷边界中至少两个边界点在参考方向上的投影，得到相应边界点的投影点；所述参考方向与所述待识别器件的实际呈现方向相对应；根据至少两个投影点，确定所述待识别器件的缺陷长度。采用本方法能够提高器件缺陷长度确定结果的准确度和确定效率。
-
公开(公告)号：CN117174750A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311231151.3
申请日：2023-09-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/02
Abstract: 本申请涉及一种增强型氮化镓器件及其制备方法。增强型氮化镓器件包括：由下至上依次设置的衬底、氮化镓层和氮化镓沟道层；铝镓氮层、栅极沟道保护层、栅介质层、栅极、源极和漏极，铝镓氮层设置在氮化镓沟道层上，铝镓氮层中设置有凹槽，凹槽贯穿铝镓氮层；栅极沟道保护层设置在凹槽中并覆盖氮化镓沟道层，栅极沟道保护层通过等离子增强原子层沉积工艺沉积得到；栅介质层设置在栅极沟道保护层上；栅极设置在栅介质层上；源极设置在氮化镓沟道层上并接触铝镓氮层的一侧；漏极设置在氮化镓沟道层上并接触铝镓氮层的另一侧。本申请的增强型氮化镓器件不会导致氮化镓器件的导通电流下降，且避免出现无导通电流的问题。
-
公开(公告)号：CN116628689B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310549428.0
申请日：2023-05-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F21/56
Abstract: 本申请涉及一种硬件木马攻击模型构建方法以及硬件木马的检测方法。其中，硬件木马攻击模型构建方法包括：获取硬件电路中植入的硬件木马；根据硬件电路的电路结构特征、以及硬件木马的属性特征，形成硬件木马的属性层级；对属性层级中的硬件木马子属性进行分类，得到属性节点；基于属性层级得到的硬件木马在硬件电路中的传递方向，形成属性节点之间的有向边；汇集属性节点、以及有向边，构建得到硬件木马攻击模型。方法能够为硬件木马检测提供更加具体的理论指导，使得硬件木马检测和分析结果更具针对性，进一步提高硬件木马识别或分析处理的可靠性。
-
公开(公告)号：CN116087668A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310250939.2
申请日：2023-03-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请提供了毫米波高线性功率放大器的测试装置、方法及存储介质，测试装置包括中频信号源、第一本振模拟信号源、第二本振模拟信号源、双通道上变频集成模块、合路器、毫米波高线性功率放大器、第一下变频集成模块、第二下变频集成模块、第一毫米波功率计、第二毫米波功率计以及信号分析仪。中频信号源的第一输出端与双通道上变频集成模块的第一端电连接，中频信号源的第二端与双通道上变频集成模块的第二端电连接，双通道上变频集成模块的第三端与第一本振模拟信号源电连接。通过双通道上变频集成模块、第一下变频集成模块、第二下变频集成模块以及其他基础设备及配件，实现对毫米波高线性功率放大器电参数性能的高效测试。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116047153A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310163156.0
申请日：2023-02-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R19/165 , G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种系统故障感知方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：获取待检测系统通断电时，放置在待检测系统的检测回路间的电压传感器采集的实时电压振荡信号；其中，检测回路为待检测系统中开关器件对应的源极和漏极所在回路；根据实时电压振荡信号，以及待检测系统的检测回路对应的基准电压振荡信号，确定待检测系统的退化趋势；根据待检测系统的退化趋势，对待检测系统进行故障感知。通过上述方法可以实现对微小故障的检测，以及对系统故障进行预测。
-
公开(公告)号：CN116008779A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310005687.7
申请日：2023-01-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种集成电路检测方法、装置、设备、存储介质和程序产品。所述方法包括：获取集成电路至少一个强发射部位的电磁信号；确定各电磁信号的信号类型；根据信号类型对各电磁信号进行检测，得到各电磁信号对应检测结果；检测结果用于指示集成电路是否泄露有用信息。采用本方法能够全面地检测集成电路的信息泄露情况。
-
公开(公告)号：CN112098790B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010776999.4
申请日：2020-08-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MIS‑HEMT的边界陷阱的能量分布测试方法及系统。其中所述方法包括：对所述MIS‑HEMT的栅极施加正向电压应力进行充电，至充电完毕；通过多个放电过程对所述MIS‑HEMT进行充分放电，其中在每一放电过程中均执行以下步骤：降低施加在所述MIS‑HEMT的栅极的正向电压应力；采用spot‑Id sense技术监测所述MIS‑HEMT的放电过程，获取所述MIS‑HEMT的当前电流；根据所述当前电流以及MIS‑HEMT的初始电流，确定电流改变量，并根据所述电流改变量确定所述MIS‑HEMT的当前阈值电压漂移量。
-
公开(公告)号：CN115420971A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210954434.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种功率转换设备故障预测方法、装置及功率转换系统。功率转换设备故障预测方法包括，在预设时间段内，多次获取检测线圈的输出电压，提取与检测线圈的各输出电压对应的各输出频率，根据各输出频率的变化趋势，预测功率转换设备的故障发生时间。功率转换设备故障预测装置包括检测线圈和数据处理装置，检测线圈连接数据处理装置，检测线圈为闭合线圈；数据处理装置用于获取检测线圈的输出电压，提取对应的输出频率，根据各输出频率的变化趋势，预测故障发生时间。此功率转换设备故障预测方法、装置及功率转换系统实现了对功率转换设备的故障预测，进一步提高了功率转换设备运行的可靠性。
-
公开(公告)号：CN115116863A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210827825.5
申请日：2022-07-14
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/50 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/38
Abstract: 本发明涉及一种芯片散热结构及其制备方法，芯片散热结构的制备方法包括：将制冷片进行减薄处理，以使制冷片的冷面和芯片贴合；在基板上贯穿开设有安装槽；其中，基板设置在散热件上；将制冷片安装在安装槽内，以使热面和散热件贴合；其中，制冷片的冷面和基板背向散热件的表面平齐；封装芯片和制冷片。将制冷片减薄之后，使得制冷片的冷面能够和芯片直接贴合接触，提高制冷效率，也降低了制冷片的厚度，使得制冷片安装在安装槽内后能够和基板的表面平齐，降低了芯片散热结构的整体体积，增加芯片散热结构及相关设备的集成度。同时，制冷片的热面和散热件贴合，进一步提高芯片散热结构的散热效果和散热效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
163
records
(took 0.083 seconds)
