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公开(公告)号：CN102437062A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110366836.X
申请日：2011-11-17
Applicant: 中南大学
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/78 , H01L2224/78271 , H01L2224/85 , H01L2224/85045 , H01L2224/85205 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种用于微电子封装自动引线键合中的打火成球工艺中的参数优化方法及系统，先将自动键合机通过同步驱动电路与摄像装置连接；将摄像装置中的镜头对准尾丝；确定打火参数，当自动键合机进行打火成球时，通过同步驱动电路同步触发摄像装置获取打火成球过程中的尾丝端部的连续多幅成球图像；再采用图像拟合圆方法获取金球拟合直径，最后将金球拟合直径与参考数值比较，调整打火参数，所述的打火参数包括打火时间和打火电流。该方法和系统能快速确定打火参数对金球形成过程的影响，以便最快地优化打火成球工艺参数。
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公开(公告)号：CN102082106B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010583985.7
申请日：2010-12-13
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/607 , H01L21/603
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种铜凸点热声倒装键合方法，在IC芯片焊盘(6)上通过铜线键合方法制作多个铜凸点(2)，将带有铜凸点(2)的芯片(3)倒扣于基板(1)上，从芯片(3)上施加超声能(5)和压力(4)，从基板(1)底上施加热能(8)，完成铜凸点的热声倒装键合。或在基板焊盘(7)上通过铜线键合方法制作多个铜凸点(2)，将芯片(3)置于铜凸点(2)上，从芯片(3)上施加超声能(5)和压力(4)，从基板(1)底上施加热能(8)，完成铜凸点的热声倒装键合，超声能为110-200mA/凸点、压力为50-80g/凸点、热能为300-350℃。本发明是一种能更进一步提高倒装互连的电热性能且工艺简单灵活、键合质量和键合效率高、满足绿色环保要求的铜凸点热声倒装键合方法。
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公开(公告)号：CN102082106A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010583985.7
申请日：2010-12-13
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/607 , H01L21/603
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/01006 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种铜凸点热声倒装键合方法，在IC芯片焊盘(6)上通过铜线键合方法制作多个铜凸点(2)，将带有铜凸点(2)的芯片(3)倒扣于基板(1)上，从芯片(3)上施加超声能(5)和压力(4)，从基板(1)底上施加热能(8)，完成铜凸点的热声倒装键合。或在基板焊盘(7)上通过铜线键合方法制作多个铜凸点(2)，将芯片(3)置于铜凸点(2)上，从芯片(3)上施加超声能(5)和压力(4)，从基板(1)底上施加热能(8)，完成铜凸点的热声倒装键合，超声能为110-200mA/凸点、压力为50-80g/凸点、热能为300-350℃。本发明是一种能更进一步提高倒装互连的电热性能且工艺简单灵活、键合质量和键合效率高、满足绿色环保要求的铜凸点热声倒装键合方法。
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公开(公告)号：CN100414679C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200610031493.0
申请日：2006-04-12
Applicant: 中南大学
Abstract: 热超声倒装芯片键合机，主要包括承载倒装芯片的运动平台、对倒装芯片与基板实施精确定位的视觉系统、对倒装芯片进行键合的超声换能系统、在键合过程中完成芯片的自动拾取的真空吸附系统及加热键合工作台、使工作台保持恒定的温度的温控系统。本发明采用超声键合技术，键合温度为150～200℃，可减小键合过程温度对芯片的影响，提高焊接可靠性；超声能使金属软化的效果是热软化的100倍，降低了焊接的功率，提高了焊接效率，节约了能源；热超声倒装键合无需添加助焊剂，无铅焊接，绿色环保；热超声倒装键合效率高，键合时间少于300毫秒，适应于自动化生产。本发明适用于1×1～5×5mm微电子及LED芯片的倒装键合。
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公开(公告)号：CN119043565A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411153190.0
申请日：2024-08-21
Applicant: 中南大学
Abstract: 本申请属于压力传感器制造领域，尤其涉及一种微型高温压力传感器的封装结构，利用气相沉积法向压敏芯片中玻璃罩上的引线孔以及陶瓷固定片上的第一通孔和连接槽填充金属，再利用超声波焊接将压敏芯片上引线孔中的金属与陶瓷固定片上第一通孔中的金属焊接在一起，在引出压敏芯片电信号的同时提供了高强度连接；陶瓷固定片上设置有与第一通孔数量相同且直径大于第一通孔的多个第二通孔，第一通孔与第二通孔之间通过连接槽相连，通过填充在连接槽内的金属将第一通孔内的金属和穿设在第二通孔内的导线连接，为直径较粗的导线焊接提供了场地。该微型高温压力传感器的封装结构大大提高了连接的强度，提高了传感器使用的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109540374A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910024633.9
申请日：2019-01-10
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种超声烧结封装装置，应用于耐高温的压力传感器，所述压力传感器包括一不锈钢外壳，所述不锈钢外壳的底部设置有一管座，所述管座的顶端由下至上依次设置有下玻璃层、绝缘层和上玻璃层；所述超声烧结封装装置包括：加热平台，设置在所述不锈钢外壳的底端，用于给所述压力传感器的烧结封装提供热能；超声发生装置，设置在所述不锈钢外壳的顶端，用于给所述压力传感器的烧结封装提供超声能。本发明提供的超声烧结封装装置，能降低压力传感器的封装温度，保护压力传感器的芯片和封装体，同时利用超声能的强机械效应和清洁效应，改善了压力传感器封装的整体质量。
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公开(公告)号：CN106206339B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610546341.8
申请日：2016-07-12
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本发明公开了一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置，将上芯片和下芯片之间的微铜柱对准，将上芯片和下芯片加热到倒装键合所需的温度60℃～220℃；将上芯片压在下芯片上，当施加在芯片上的压力达到预期的压力10MPa～30MPa时，开启超声电源并输出大功率1W～6W，并持续时间10ms～200ms；之后再将压力增大到20MPa～80MPa，超声输出功率降低到1W～3W，并保持时间100ms～2000ms，完成了上下芯片微铜柱之间铜铜直接热超声倒装键合。本发明是一种能保证键合界面微结构的形成以及键合后的强度和可靠性的微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置。
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公开(公告)号：CN106211606B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610576017.0
申请日：2016-07-20
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米银/石墨烯复合墨水的热超声烧结方法及其装置，将纳米银粉末和石墨烯分散在混合有机溶剂中，配置质量百分比为0.01％～90％的纳米银/石墨烯复合墨水；通过气压将高粘度的纳米银/石墨烯复合墨水从胶筒中挤出来，通过点胶头涂写在柔性基板上形成带导电电路的柔性基板；将烘干的带导电电路的柔性基板放在两层PDMS保护塑料之间，施加压力达到所需值3～30MPa；加热温度为60～160℃；然后，在3～30MPa、60‑160℃的条件下，进行热压预烧结，烧结时间为1‑10分钟，在3‑30MPa、60‑160℃的条件下进行热超声烧结，烧结时间为1‑10分钟，通过超声、压力和温度的作用，实现纳米银/石墨烯之间的固态扩散，制备出具有良好导电性能和机械弯折性能的柔性电路。
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公开(公告)号：CN107492534A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710656820.X
申请日：2017-08-03
Applicant: 中南大学
IPC: H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种细节距单IC芯片封装件及其制备方法，其中，封装件包括塑封体，塑封体内设有引线框架载体和多个框架引线内引脚，引线框架载体的上表面固接有IC芯片，IC芯片的上表面设有多个焊盘，多个焊盘呈两排平行布置，形成第一焊盘组和第二焊盘组，每个焊盘通过铜键合线分别对应连接一框架引线内引脚，每一焊盘组中的多个焊盘的上表面间隔设置有铝电镀层，一个焊盘组中设置有铝电镀层的焊盘与另一焊盘组中未设置铝电镀层的焊盘相对应。该封装件中相邻焊点不易短路，产品良率高、质量好，本发明的制备方法成本低、生产效率高。
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公开(公告)号：CN105067421B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510585488.3
申请日：2015-09-15
Applicant: 中南大学
IPC: G01N3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于图像分析的TSV结构的三维应力表征方法，包括如下步骤：步骤一、利用高分率X射线显微镜，从不同角度对TSV结构进行成像，然后通过图像重构技术获得TSV结构的三维结构点云数据；步骤二、计算TSV结构在外载荷作用前后，上述点云数据中每一个点的空间三维变形量；步骤三、根据步骤二得到的三维变形量，采用拉格朗日应变张量来计算TSV结构中每个点的三维应力状态。本发明基于图像信号分析来表征TSV结构三维应力，能弥补传统应力表征的成本昂贵、效率较低的不足，对含TSV结构的器件在外载荷作用下的失效分析和可靠性设计意义重大。
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