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公开(公告)号：CN113122927A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110570620.9
申请日：2021-05-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明属于半导体扩散工艺设备领域，公开一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，包括：炉门、炉体、进气管、出气管和隔热部，炉体一侧开口，炉门安装在炉体的开口处，炉门一端与炉体铰接，进气管和出气管分别与炉体连通，进气管至少为两个，炉体内靠近炉门一侧活动设置有隔热部。本方案可以使炉口气体浓度以及停留时间增加，并采用多路进气管，改善炉口处气体均匀性，提升了炉口附近硅片方阻扩散的均匀性。
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公开(公告)号：CN112853325A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110028055.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种管式PECVD设备的腔室结构，包括石英炉管，前端法兰组件，尾端法兰组件和补气装置；石英炉管的两端分别与前端法兰组件和后端法兰组件固接；石英炉管内设置有石墨舟；前端固定法兰套接在石英炉管一端外壁；前端进气法兰为环状设置；前端进气法兰内开设有环形腔；前端进气法兰内壁周向等距开设有若干布气孔；布气孔与环形腔连通；前端进气法兰外壁底部连通有进气管；远离进气管的布气孔孔径逐渐增大；石英炉管另一端连通有补气装置；能够实现工艺气体可以快速且均匀的分布在石英炉管内，气流在管内分布的均匀性以及沉积膜的均匀性大幅度的提高。
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公开(公告)号：CN112760622A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110028643.7
申请日：2021-01-11
Applicant: 中南大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/50 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开一种异质结太阳能电池PECVD设备的真空腔室，其特征在于，包括：真空壳体，沉积装置和升降装置；沉积装置设置在真空壳体内腔；升降装置设置在真空壳体底部；沉积装置包括匀气挡板；真空壳体顶面和底面分别开设有进气口和出气口；匀气挡板的侧壁与真空壳体内壁顶部固接；真空壳体内腔中部固接有喷淋板；真空壳体内腔底部设置有承载机构；承载机构的底面与升降装置顶部固接；匀气挡板顶面中部开设有第一匀气孔；第一匀气孔两侧分别对称开设有第二匀气孔；匀气挡板顶面两最外侧分别对称开设有第三匀气孔。
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公开(公告)号：CN112616236A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202110032841.0
申请日：2021-01-12
Applicant: 中南大学
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明公开一种双天线增强线形微波等离子体源，包括屏蔽罩，载板，微波电源和与微波电源相连通的T型功率分配器；屏蔽罩为梯形结构，且屏蔽罩不设底板；载板设置于屏蔽罩正下方；T型功率分配器另两端分别与一微波天线连通，且两微波天线位于同侧；T型功率分配器与微波天线设置于屏蔽罩内腔中部；屏蔽罩上还设置有磁铁组件和进气管组。本发明在现有线形微波等离子体源的基础上通过引进双天线结构，以及相应的对进气管路、磁场结构进行改进，有效的增大线形微波等离子体源产生等离子体的横向面积，从而最终达到减少微波电源的数量的目的。
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公开(公告)号：CN112234111A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910558249.7
申请日：2019-06-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0443 , H01L31/05 , H02S40/34
Abstract: 本发明公开了一种新型内接式串并半片组件。该新型半片组件采用串并联电路结构，半片电池串联连接成电池串，电池串并联连接成电池串组，电池串组串联连接成组件，每个电池串组并联一个旁路二极管减小热斑效应的影响。组件采用一体式接线盒，接线盒位于组件背面靠近短边的中部，通过跨接汇流条将电流汇入组件顶部的固定位置，跨接汇流条位于电池串背面中心线或组件边缘的位置，不会对组件版型产生影响。该发明具有生产效率高，输出端口唯一的鲜明特征，是一种高性价比的半片组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112030227A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910400635.3
申请日：2019-05-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅铸锭炉热场结构，具有上炉体、下炉体，上炉体内设置有侧隔热笼和上保温板，下炉体内设置有底保温板、热交换块，装有硅原料的石英坩埚放置在石墨坩埚内，石墨坩埚置于热交换块上，石墨坩埚上方和侧方均设置有加热器，且加热器受同一电源控制。侧隔热笼靠近加热器侧装置耐高温发射率低的合金板，石墨坩埚外侧表面涂覆耐高温发射率高的涂层。加热时，侧隔热笼、底保温板、上保温板形成封闭空腔；硅晶体生长时，侧隔热笼缓慢上升，与底保温板分离。本发明在在多晶硅料熔化过程中能够缩短熔化时间，降低能耗，在多晶硅生长时能够避免坩埚侧形核长晶，减少晶体缺陷，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN103668451B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310693532.3
申请日：2013-12-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉，包括：炉体、经过所述炉体底部的冷却水夹层、以及分别与所述冷却水夹层连通的冷却水进水口和冷却水出水口，其中，在所述冷却水进水口和冷却水出水口处分别设有三通阀用于导入或导出冷却水，并可连接外部大气，在所述炉体底部设有从外部开启的泄水阀，所述泄水阀与冷却水夹层接通。本发明的多晶硅铸锭炉在发生坩埚硅液泄漏时，可以及时将炉体夹层内的冷却水排空，从而杜绝了硅液泄漏后发生爆炸的危险。
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公开(公告)号：CN102205950B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110094854.7
申请日：2011-04-15
Applicant: 中南大学
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , H01L31/06 , H01L31/0336
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法，该方法采用以有机混合溶剂或有机单一溶剂为载体，在常压下用液相回流法合成CIS粉末(CuInS2粉末或CuInSe2粉末)。该黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法反应时间短，所需温度低，操作简便，成本低，适合CIS系粉末的产业化。
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公开(公告)号：CN102205950A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110094854.7
申请日：2011-04-15
Applicant: 中南大学
IPC: C01B19/00 , C01G15/00 , H01L31/06 , H01L31/0336
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种黄铜矿结构CIS粉末材料及其液相制备方法，该方法采用以有机混合溶剂或有机单一溶剂为载体，在常压下用液相回流法合成CIS粉末(CuInS2粉末或CuInSe2粉末)。该黄铜矿结构CIS粉末材料的液相制备方法反应时间短，所需温度低，操作简便，成本低，适合CIS系粉末的产业化。
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