-
公开(公告)号：CN102719792A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210199801.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法，该方法利用磁控溅射方法，室温下在清洗干净的基片上依次沉积Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜；通过改变溅射功率和溅射时间改变Zn1-xCuxO膜和Cu膜的厚度，最终可得到电阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的透明导电薄膜，可用于太阳能电池、平板显示器等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
-
公开(公告)号：CN102453880A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010527960.5
申请日：2010-11-01
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种改善磁控溅射薄膜均匀性的方法，具体的说是通过在基片下方、等离子体区域的上方，外加一个水平匀强磁场区域，并且磁场的位置和大小可以调节。附加水平磁场后，延长了溅射靶材原子(分子)的运动轨迹，增加了与其他粒子的相互碰撞机会，大大提高了薄膜的均匀性。本发明工艺简单，成膜的均匀度高，且参数可控，重复性好、适宜于大规模生产。
-
公开(公告)号：CN102277570A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110239699.3
申请日：2011-08-19
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种光电材料技术领域的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，原子层沉积ZnO薄膜。利用ZnO良好的光电特性和Cu的低电阻率，加入Cu中间层，形成ZnO/Cu/ZnO的三明治结构。由于Cu的掺入，载流子浓度增加，薄膜的导电性能有了很大的提高，电阻率可低至8.6×10-5Ω·cm，同时可见光透过率高，可达80%以上；且由于原子层沉积为自限制反应，薄膜的均匀性极好。
-
公开(公告)号：CN101921984A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010282390.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种纳米表面处理技术领域的基于MoS2-TiC-C的自润滑减摩复合薄膜及其制备方法，通过在不锈钢基片溅射纯钛或纯镍后进一步进行反应磁控溅射制备得到MoS2-TiC-C复合薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制，沉积后的复合薄膜无需进行热处理，可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用。本工艺制备所得的复合薄膜硬度高，纳米硬度达到7.6GPa，抗磨减摩性能优异，摩擦系数可达到0.04，经摩擦磨损测试后薄膜表面未见磨穿脱落现象。
-
公开(公告)号：CN101428754A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810204376.9
申请日：2008-12-11
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种纳米技术领域的碳纳米管与金属电极的连接处理方法，首先进行碳纳米管溶液制备，然后将碳纳米管溶液加载于金属电极，再采用介电泳方法排布碳纳米管，最后通过直流退火完成处理。本发明利用直流电流产生的焦耳热对碳纳米管与金属电极接触点进行退火处理，达到降低碳纳米管与金属电极接触电阻的方法。该方法利用恒流电源，易操作，可大批量同时处理，退火时间精确可控，能量消耗极低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109399705B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811325776.5
申请日：2018-11-08
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: C01G23/053 , B82Y40/00 , A01N59/16 , A01P1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于抗菌剂的二氧化钛分散液的制备方法及其产品和应用，该方法利用钛前驱体醇解法制备TiO2纳米颗粒，加入盐酸可防止空气中钛前驱体的水解，通过加入表面活性剂、醇解温度和时间控制TiO2颗粒的尺寸及尺寸分布，加入少量的水可调控醇解时成核速度和颗粒生长控制。本发明制备的TiO2颗粒尺寸小、尺寸分布均匀，在去离子水中具有优异的分散性，该发明制备的TiO2纳米颗粒具有优异的抗菌特性。
-
公开(公告)号：CN109395747B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811359989.X
申请日：2018-11-15
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: B01J27/051 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/34
Abstract: 本发明涉及一种采用溶剂热法在无表面活性剂和模板的条件下，获得了纳米片组装的花状Ni‑doped MoS2结构，随后用原子层沉积技术在表面包覆超薄TiO2层，即可获得催化性能优异的花状Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，获得了一种稳定性强催化活性高的Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，整体制备方案可控性高，适用于规模化生产。本发明制备的花状Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，可直接用于可见光催化反应。
-
公开(公告)号：CN109534404B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201811525822.6
申请日：2018-12-13
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种表面改性氧化钨纳米材料的制备方法，所述方法包括：在纳米氧化钨表面，利用原子层沉积修饰一层SnO纳米层，形成异质结结构，能够有效提升WO3纳米材料的气体传感性能，所用的前驱源分别为N,N'‑二甲基乙二胺亚锡和水，沉积温度为150℃，沉积厚度为2‑10nm。该材料利用原子层沉积在WO3纳米颗粒表面沉积SnO层，形成WO3/SnO异质结，大幅提升了其对甲醛的气敏性能。
-
公开(公告)号：CN109835945A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711230553.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种氧缺陷二氧化锡气敏材料的制备方法及其产品和应用，利用Zn粉作为还原剂和稳定剂，在溶剂热的反应过程中，获得了高氧缺陷的SnO2纳米材料，将一定量无水四氯化锡和锌粉溶于乙醇和水的混合液中，充分搅拌，然后在水热反应釜中反应一段时间，所制备的粉末离心、洗涤，烘干而成。该材料表面氧空位缺陷较多，大幅度提升了气敏性能，对甲醇气体检测敏感度高，选择性好本发明所制备的SnO2，有丰富的缺陷结构，大大提升了其气敏性能，在较低的温度下（200℃），对甲醇有良好的灵敏度和选择性。
-
公开(公告)号：CN109576680A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811398391.1
申请日：2018-11-22
Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
CPC classification number: C23C16/407 , B82Y30/00 , C23C16/45525 , C23C18/1204 , C23C28/04 , G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种复合材料的制备方法及其产品和应用，在SnO2纳米材料表面生长一层SnS2层构建异质结，可提升材料的气敏性能；采用冷冻干燥技术处理样品，可防止SnS2干燥过程中被氧化并可保持较高的比表面积，用ALD在样品表面生长SnO2层可以防止使用过程中SnS2的氧化，并且形成多层异质结结构，有助于进一步提升材料的长期稳定性及灵敏度。该方法制备的复合结构可有效改善单一材料灵敏度和稳定性不足的缺点，并可降低材料的工作温度。本发明制备的SnO2/SnS2/SnO2纳米材料可用于有毒气体检测、光催化降解污染物等领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
234
records
(took 0.041 seconds)
